钨青铜结构偏铌酸铅高温陶瓷的制备工艺

本发明钨青铜结构偏铌酸铅高温陶瓷的制备工艺涉及高温压电陶瓷，包括采用纳米原料、压块与粉末复合以及高低温相结合的粉料合成工艺、改进球磨条件和多次混合现细磨、严格控制烧结温度、缩短保温时间以及适当的快冷速度、冷加工精度与增大极化功率等。采用本技术可使陶瓷粉料的制备量提高到10kg，并提高了陶瓷元件的体密度、绝缘电阻、压电性能及一致性等，同时也提高了产品的成品率，且技术简便、易于掌握。     

一种新型吸附剂在痕量重金属分析中的应用

以二苯并18-冠-6交联席夫碱型壳聚糖作为新型吸附剂，用石墨炉原子吸收分光光度法测定了经过滤处理后的燃煤烟气中痕量铬、镉和铅的含量。经过滤处理后的燃煤烟气含铬1．42／μg／m3，其中三价铬占54．20％，为0．77μg／m3，镉0．256μg／m3，铅5．30μg/m3。     

掺Tb3+钛酸铅粉末的制备和结晶行为

采用溶胶喂胶法制备了Tb^3 掺杂钛酸铅(PbTiO3，PT)超细粉末，分别用差热分析、透射电子显微镜、X射线衍射仪对其相结构、形貌特性以及晶粒粒径等进行了分析测试。结果表明：这种粉末在约600℃热处理温度下，由非晶基体转变形成钙钛矿相的过程已逐步完成，其晶粒平均尺寸约为18nm，比未掺Tb抖的PT粉末中的钙钛矿晶粒尺寸略小。形成的钙钛矿结构中，Tb^3 取代Pb^2 进入晶格位置，产生阳离子空位，诱发晶格畸变，使钙钛矿相的析晶能力比相同热处理条件下未掺杂Tb^3 的PT低。另外，掺Tb^2 的PT中钙钛矿相的晶轴比c／a比未掺Tb^3 的PT中的低，这类似于产生了赝立方结构，降低了从立方相向这种四方相转化的势垒，有效地抑制了较高温下焦绿石相的产生，使掺Tb^3 的PT中焦绿石相稳定存在的温度比未掺Tb^3 的PT中低约100℃。     

压电陶瓷变压器材料PMMN-PZT的研究

研究了一种四元系压电陶瓷变压器材料PMMN -PZT。XRD分析证明 ,采用二步法预合成的PMMN -PZT粉料不如一步法 ;SEM分析进一步证实了一步法预合成的粉料能制成性能更好的陶瓷样品。造粒工艺对陶瓷样品的显微结构和压电性能也有重要的影响。最后制得了性能较好的PMMN -PZT压电陶瓷材料 ,其Kp=0 .5 18,Qm=3887,tanδ =0 .71% ,εT3 3 /ε0 =70 1,d3 3 =2 0 3,基本上能满足压电变压器的要求     

液态源雾化化学沉积法制备(Pb,La)TiO3薄膜

研究了在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上用液态源雾化化学沉积法制备镧钛酸铅 [(Pb ,La)TiO3,PLT]薄膜的工艺 ,并分析了各种因素对其相结构的影响。采用金属有机物热分解工艺的先体溶液 ,在沉积阶段 ,用超声波将先体溶液雾化 ,产生微米级的汽雾 ,由载气 (Ar)引入沉积室进行沉积 ,并在沉积室进行预热处理。重复上述过程 ,直到膜厚达到要求 ,再进行退火处理得到均匀、致密的薄膜。此工艺各项参数如下 :沉积前沉积室内气压为 4× 10 - 3Pa ;沉积时沉积室内气压为 8× 10 3～ 9× 10 3Pa ,沉积时基片温度为 2 0～ 2 5℃ ;预处理温度为 30 0℃ ;最佳热处理温度为 60 0℃ ;超声雾化器工作频率为 1.7MHz;薄膜沉积速率为 3nm/min。XRD和SEM图分析说明 ,制备的铁电薄膜具有钙钛矿结构     

SDG分离富集--微乳液介质PAN光度法测定日用陶瓷中的微溶出铅

研究了铅与1-(2-呲啶偶氮)-2-萘酚(PAN)在非离子型微乳液介质中的显色反应,铅与在pH8.3的硼砂-盐酸缓冲溶液中,形成1:1的稳定配合物。配合物的最大吸收波长为560nm,表摩尔吸光系数为1.51×104L·mol-1·cm-1,铅量在0-40μg/10mL范围内符号比尔定律。采用巯基葡聚糖凝胶分离常见离子富集铅,显著提高了方法的选择性和灵敏度,本法用于日用陶瓷中的微溶出铅的测定,结果令人满意。     

铅氧化物行业的环境污染及其防治

本文从熔融法生产铅氧化物的生产工艺出发，分析了治理污染的技术现状及发展，并就尾气、废水、车间环境采用不同的治理技术所产生的控制效果进行了对比．     

准同型相界附近(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3的制备及性能研究

利用固相法制备了（Na1-xKx）0.5Bi0.5TiO3系压电陶瓷，XRD分析表明所得陶瓷样品为纯的钙钛矿结构，其准同型相界在x=0．18～0．22之间；电子探针显微分析显示所做陶瓷样品晶粒发育良好，具有规则的外形和明显的晶界；实验所得陶瓷样品损耗tanδ最大不超过5％，最好的压电常数d33=153 pC／N，平面机电耦合系数kp=0．299，它们分别出现在x=0．22和0．20处。