Ca掺杂钨镁酸铅陶瓷材料的制备及其介电性能

研究了Ca掺杂钨镁酸铅(PMW)陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现：在Ca^2 摩尔分数小于15％时，能形成单相的PCMW钙铁矿相，结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结，气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗，在频率为1MHz时，介质损耗达到了10^-4。当Ca^2 摩尔分数大于10％时，材料的Curie峰宽化显著，介电常数温度系数降低。     

用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷

传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。     

PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

低铅真空蒸馏富集Ge,In,Ag

对隔焰炉底铅进行分步真空蒸馏的小型试验结果：第一次蒸馏获得冷凝合金含８６．７２％Ｚｎ的粗锌，将残留合金进行二次蒸馏获得冷凝合金含７５．９４％Ｐｂ的粗铅，Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ富集于最终残留合金中，千克级规模一步蒸馏。在１０００℃下恒温１８０ｍｉｎ，真空度６６．７～３９．９Ｐａ，将Ｚｎ、Ｐｂ蒸出。残留合金中Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｇ的含量分别为９．９６％、６．６７％、８．９７％，富集比分别为７．２１倍、６．６７倍、     

1996年铅市场回顾与1997年展望

１９９６年铅市场回顾与１９９７年展望□中国有色金属工业总公司信息中心冯君丛□尽管１９９６年西方铅市场存在着３万ｔ左右的供应缺口，ＬＭＥ库存低于正常水平，但可以认为１９９４年年中以来形成的牛市已经基本结束。１９９７年世界铅产量将超过消费量，市场供求趋于...     

碱式苦味酸铅针刺药的应用研究

提出了以碱式苦味酸铅为主体的针刺药在组合点火管中的应用，并对其针刺药的点火性能及能量传递进行了讨论，阐明了此类针刺药良好性能和应用价值。     

食品中铅含量的测定——巯基棉分离富集，离子选择电极法

文中所述食品中铅含量的测定,采用了硫代乙醇酸涂在脱脂棉上制成巯基棉的方法,用来分离测定铅时的干扰元素,同时进行铅的富集。用一定浓度的硝酸为洗脱剂洗脱巯基棉富集的铅后,调整洗脱液酸度后由铅电极标准加入法测定。结果表明,方法回收率在92—109%之间。其富集下限可达0.010mgL~(-1)铅。与双硫腙比色等方法相比,文中所述方法既不用大型昂贵仪器,又避免了剧毒物的使用,具有操作简单,富集倍数大,灵敏度高的优点。     

重金属(以铅计)含量测定方法的改进

探讨了用硫化钠-丙三醇溶液代替饱和硫化氢水溶液进行重金属(以铅计)测定的分析方法。此法简单、快速,并在实际应用中取得了满意的结果。