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51.
一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源 总被引:12,自引:5,他引:7
文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路,该电路采用工作在亚阈值区的电路结构,并采用高增益反馈回路,使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。 相似文献
52.
MAX1773/MAX1773A是用于双电池系统的电源选择器,它允许外部控制器去管理双电池组、适配器输入、电池充电器和系统负载所需的电源连接。文中介绍了MAX1773/1773A的特点、引脚功能、内部结构和工作原理,给出了MAX1773/MAX1773A的典型工作电路。 相似文献
53.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
54.
55.
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
56.
松辽盆地南部深层火山岩识别及成藏条件分析 总被引:14,自引:0,他引:14
松辽盆地北部徐深1井在营城组火山岩获得油气突破后,在松辽盆地南部长岭断陷针对火山岩部署了长深1井。在长深1井营城组火山岩地层测试获4.6×105m3/d的工业气流,推算无阻流量1.5×106m3/d以上,预示松辽盆地南部深层火山岩气藏是下步勘探开发的主要领域。通过大量的火山岩岩心资料,利用岩石学、矿物学、测井和地震地层学等多学科技术,首次在松辽盆地南部建立了火山岩识别标准,在东南隆起区部署探井1口,在火山岩中见到了较好的气显示,取得很好的效果。 相似文献
57.
本电源是基于高频高压交流母线具有多组输出的直流电源,它具有高达200kHz的开关频率,后级的整流电路由于高频交流母线的存在,使得变压器和电感的设计变得简单,滤波电容的选择也更容易。本电源由PFC电路提供400V的高压直流输入,再由MOSFET组成全桥逆变电路,在固定额率的PWM发生电路和IR2110 MOSFET驱动电路作用下,只加—个谐振电感就可实现开关管的零电压开通,可在大大降低开关损耗和噪声的同时实现直流交流的变换。整流部分采用倍流整流电路以提高原边电压的利用率,可输出低压大电流。由于采用肖特基管,—方面可使得二板管的损耗可以接受,另外—方面还避免了采用同步整流电路所面临的电路结构复杂和驱动困难。 相似文献
58.
制造业企业竞争情报系统建设浅析 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了制造业企业信息化进程中包含竞争情报系统的必要性。论述了该类企业竞争情报系统的内涵及功能特征。较详细地介绍了相应系统常用外部数据资源内容及各自应用特点;此外本文还简要地说明了该类系统现有开发支持工具软件、开发关键步骤等内容。 相似文献
59.
60.