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101.
The tendencies characterizing worsening of natural, mining and technical, as well as mining and geological conditions of deposit mining are analyzed for the last 100 years. The change in prices for mineral raw material is shown, and the influence exerted by scientific and technical progress in the sphere of mining and processing of copper-containing ores is established. An approach to the estimate of available mineral reserves and possibility of their involvement in mining is stated. 相似文献
102.
103.
104.
本文报导了新型 Ti/SnO_2+MnO_x+RuO_2/MnO_x(DSA)电极材料的各种性能,其中包括电极的导电性、表面粗糙度、电化学活性表面积、析氧阳极特性等,并用 X 射线衍射法进行了物相分析、用 SEM观察了表面形貌。确认该电极性能良好,加之成本较低,可作为酸性介质中的析氧电极材料。 相似文献
105.
StructureandMagneticPropertiesofLaCo_(13-X)M_XIntermetallicCompoundsWUJianMin;LIFeng;TAILiChiandZHEMGQunStructureandMagneticP... 相似文献
106.
107.
对云母粒子化学镀镍及以LDPE为基材,镀镍云母粒子为填料制备的导电复合材料进行研究。认为此种导电复合材料只有质量轻、强度大及良好的导电等性能。 相似文献
108.
结构振动控制中压电阻尼技术研究—压电被动阻尼技术(一) 总被引:6,自引:3,他引:3
压电阻尼技术有两种类型:压电被动阻尼技术和压电主动阻尼技术。本文对其中的压电被动阻尼技术进行了研究,结果表明:通过给压电元件并联适当的外部电路,可使压电系统具有与粘弹阻尼材料及动力吸振器相似的物理特性。合理配置电路参数,可以实现最优阻尼比。 相似文献
109.
Because of its high–temperature chemical stability, SiC ceramic is a promising material for high-temperature device applications such as thermoelectric energy converters. However, the electrical conductivity of SiC ceramic is too low for it to be used as a thermoelectric energy converter at the cold junction. Therefore, we propose a SiC-Si functionally gradient material (FGM) in order to improve the electrical conductivity of the SiC ceramic at the cold junction. An SiC rod was fired in a temperature gradient furnace. One end of the SiC rod was maintained at 2473 K and the other end was maintained at 1973 K for 30 min. After firing, the porous SiC edge fired at 1973 K was dipped into molten Si in order to infiltrate molten Si into the porous SiC. The microstructure of the FGM is classified into three regions: the SiC-Si composite material; the porous SiC ceramic; and the densified SiC ceramic. The electrical conductivity, the Seebeck coefficient and the thermal conductivity for each region of SiC-Si FGM was measured at 300 K; a figure of merit was calculated. The figure of merit of the SiC-Si FGM at the cold junction, at room temperature, was 108 times higher than that of a nongradient SiC ceramic. 相似文献
110.