平煤—矿丁_6-31050采面瓦斯抽放设计

介绍了采面瓦斯抽放的条件、机理、所实施的方法,并对抽放的效果进行了分析,可为类似条件的采而设计提供了参考。     

NEC开发32nm逻辑LSI多层布线技术

NEC和NEC电子开发出了面向32nm工艺逻辑LSI的多层布线技术，布线间隔为100nm。通过改变low-k膜的成膜方法，达到了32nm工艺LSI所需的性能，同时解决了绝缘耐久性过低的问题。     

陶瓷材料冲击性能研究进展

陶瓷材料由于其多种优良特性得到了越来越广泛的应用。有关陶瓷材料的冲击力学性能研究是最近几十年才开始的。本文从陶瓷材料的应变率效应、冲击下的高压行为、冲击损伤、层裂现象和失效波响应，以及相关的理论研究和数值分析等方面，介绍了国内外对陶瓷材料冲击性能研究的现状，并对进一步的工作提出了建议和展望。     

浅析电信故障申告系统的开发

本文介绍了如何利用互联网络建设基于VPN内网的电信故障申告系统,从设计开发和实际使用角度详细阐述"电信故障申告系统"项目的功能性和拓展需求,并提出可靠的系统实施技术方案。该系统的特点主要有:系统实时性高、兼容性好、可扩展、可跨平台使用、易于故障处理的收集和检索、提高故障反应时间,为电信的业务发展提供有力保障。     

坨五站中间乳化层快速增长原因及治理方案

胜利采油厂坨五站高含水(95％)原油化学预脱水中，二级沉降罐内油水相之间的中间乳化层增长迅速，引起了一系列问题。现场调查和大量室内测试结果表明，产生这一现象的原因有：油溶性破乳剂WD-1加入点不合理。有2／3的含水原油在通过油水分离器之后才与破乳剂混合；二级沉降罐进油口伸入油相内，油流的冲击达不到中间层；WD-1对坨五站混合原油中的稠油破乳脱水性能欠佳，不能适应坨五站混合原油组成和含水的变化。针对上述各种原因筛选出了性能更好的一种破乳剂1916。根据确定的几种原因采取了相应的措施：将破乳剂加入点改在3个并联油水分离器之前；将二级沉降罐的进油口移到水相内；改用筛选出的破乳剂1916，结果使中间乳化层的增长受到了抑制。图2表4参2。     

控制联网技术传输更小、更价廉的节点

在无线USB（WUSB，wireless USB）系统中，基于USB—IF（USB Implementers’Forum）Certified Wireless USB1．0标准，超宽带（UWB，ultrawideband）Tracer MPI系统帮助设计工程师解决了MAC／PHY（media—access—control／physical）层综合和互用性的问题。论坛涉及的标准关注于WiMedia Alliance的MB—OFDM（multiband orthogonal—fre—quency—division multiplexing）超宽带共享带宽、短程无线通性建议。USB—IF期待正式的WUSB最终能在20m的距离传输数据的速率达到大约1Gbps。     

ERP系统及其体系结构的分析

ERP系统是主要面向企业进行物质资源 ,资金资源和信息资源集成一体化管理的企业管理软件系统。本文在研究ERP理论的基础上 ,以全球ERP市场上所占份额最大的管理软件SAPR/ 3为例 ,分析了分布式多层次体系结构在ERP软件中的应用。     

不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究

用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测。结果表明：切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序；锑化镓单晶切割片表面极不平整，有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹；其表面损伤层深度≤30μm；双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹，但比切割片的要细，而且桔皮皱纹的深浅随磨砂（Al2O3)粒径的减小而变细变浅；晶片的表面损伤层深度（≤5μm）也随着磨砂粒径的减小而减小。一般情况下，其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2。机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹；其损伤层深度约55nm。     

贴片式压敏电阻将投产

日前 ,常州星翰有限公司的“贴片型压敏电阻”项目落户常州电子科技工业园 ,即将正式投入生产。该公司的贴片型压敏电阻采用半导体陶瓷材料借助先进的积层技术生产 ,产品的电磁兼容性和热导性领先于同类产品 ;产品采用无引脚型晶片 ,体积和接点比传统的齐纳二级管及圆片型突波抑制器更小 ,可以有效地减低接脚电感量 ,并且保证在低于 0 5ns的时间内快速反应 ,具有瞬间抑制电压、滤波、防静电、防止电磁干扰等特性。贴片式压敏电阻将投产