双极RF功率管的深阱结终端

给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d B     

长输管道定向钻穿越断点段补救施工

西气东输管道工程在郑州黄河北岸滩地设计三次定向钻穿越,在第二次穿越管道回拖过程中,钻具脱落,致使穿越施工无法继续进行。文章针对这一穿越工程事故,详细介绍了补救施工方法及其关键技术。根据工程的实际情况,采取大开挖方式将断点处管段返到变更后的设计高程,再采用沟埋敷设法完成剩余管道的穿越。通过采取分层取土、多级多型降水和钢板桩支护等一系列措施,实现了黄河滩地地表以下19m深处管道的成功对接。     

对机械加工车间设备基础的探讨

根据机械加工车间设备类型探讨设备基础的建造和安装设备的车间地坪问题.对独立基础的尺寸、配筋、基础隔振、设备基础之间或设备基础与建筑物基础之间的位置关系、设备安装固定的方式进行阐述.详细分析了机床的隔振措施及隔振沟的设计,讨论了设备基础的位置关系,并给出了机床的安装固定方法及各种方法适用的范围.     

滨湖新区城市天地综合管沟工程基坑支护方案

结合具体工程实例,介绍了城市新区综合管沟工程基坑支护设计思路,施工工艺以及施工安全技术措施,为今后类似综合管沟工程基坑支护积累了施工经验。     

全海深宏生物保压取样装置设计与实验研究

针对非保压取样方法难以获取高质量生物样本的问题,提出全海深宏生物保压取样器. 考虑海上布放对装置质量的限制,提出中空式活塞取样结构. 针对深海的超高压环境,分析常规蓄能器设计中理想气体状态方程的不适应性,提出基于真实气体状态的设计方法. 针对密封圈移动引起的压降,设计液体主动补偿技术. 内压试验结果表明,保压筒和取样活塞具有足够的强度和良好的密封性. 高压舱测试表明,提出的取样系统在高压下可以稳定工作,设计的压力补偿系统能够显著地提高取样器的保压性能. 取样器在马里亚纳海沟深度超过10 800 m深度时进行2次原位实验,共获取端足类生物保压样品174只.     

Correlation analysis between pattern and non-pattern wafer for characterization of shallow trench isolation–chemical–mechanical polishing (STI–CMP) process

This study is about control of oxide removal amounts on the shallow trench isolation (STI) patterned wafers using removal rate and thickness of blanket (non-patterned) wafers. At first, the removal properties of plasma enhanced tetra-ethyl ortho-silicate (PETEOS) blanket wafers was investigated, and then it was compared with the removal properties and the planarization (step height) as a function of polishing time of the specific STI patterned wafers. We found that there is a relationship between the amount of oxide removal by blanket and patterned wafers. We analyzed this relationship, and the post-CMP thickness of patterned wafers could be controlled by removal rate and removal target thickness of blanket wafers. As the result of correlation analysis, we confirmed that there was the strong correlation between patterned and blanket wafers (correlation factor: 0.7109). So, we could confirm the repeatability as applying to STI CMP process from the linear formula obtained.     

射频功率晶体管的多晶硅二氧化硅夹心深槽场限制环新结构

提出一种二氧化硅/多晶硅/二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压.模拟结果显示,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎100%达到平行平面结的理想值     

地下墙护壁泥浆临界相对密度的迭代解：坍底涉及地下水面而未及地表面

给出了地下墙泥浆槽壁坍体斜面涉及地下水面而未及地表面情形下的坍体极限平衡方程式和物理意义明确的转换式，导出了最危险状态的坍底面临界倾角和相应的极限平衡状态的护壁泥浆临界相对密度的迭代解公式及实用的近似求解方法，并给出了判别坍底临界倾斜面是否涉及地表的充分必要条件和简化的充分条件。     

不断发展中的IGBT技术概述

概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近（下层）结构的改进（透明集电区）,耐压层附近（中层）结构的改进（NPT,FS／SPT等）和近表层（上层）结构的改进（沟槽栅结构,注入增强结构等）,以及由它们组合成的NPT—IGBT,Trench IGBT,Trenchstop—IGBT,SPT,SPT＋,IEGT,HiGT,CSTBT等。     

利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器

为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求,利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP),对低阻p型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射Al电极等工艺,使之形成凹槽状三维结构,制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单,电容量大(电容密度可达2.2×10–9F/mm2),容值可调,与现有微电子工艺兼容,可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性,该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。