偏振CARS研究核苷分子振动结构

用偏振灵敏ＣＡＮＳ光谱研究尿嘧啶、胸腺嘧啶、胞嘧啶和腺嘌呤四种核苷分子的振动结构。谱的非共振背景被有效地消除，核苷的双键振动模清晰可辨，对每种核苷分子的特征谱线进行了标识，作为在生物分子中识别它们的标志。     

多孔硅发光的物理机制——纳米量子限制效应及表面态在发光中的作用

采用阳极氧化腐蚀的方法制备了多孔硅（ＰＳ），这种ＰＳ的微结构为纳米量级的，并具有光致发光特性，这无疑将对全硅光电子学的发展具有很大意义。根据大量实验与理论分析，提出了这种ＰＳ发光的物理机制：纳米量子限制效应和表面态及其物质在发光中的作用，从量子力学的薛定锷方程出发，用沟道势阱的近似模型，推导得到进入量子线的电子和空穴的能量势垒，ＰＳ的有效带宽Ｅ＝Ｅ＿０＋ΔＥ，对于Ｓｉ（Ｅ＿０＝１．１２ｅｖ）。完美地解释了目前在ＰＳ研究中的ＰＬ谱的篮移现象。     

闪锌矿结构半导体声子谱研究

我们采用两参数的Keating模型描述晶体的短程相互作用,并引入有效电荷Z描述长程的库仑相互作用,研究了极性半导体的晶格动力学性质。对SiC,GaAs,GaSb和InSb的计算表明,本文的结果与实验及其它理论计算符合较好。由于本文的模型只引入了三个参数,具有参数少,物理图象清晰的性质,因此,这个模型可以应用到复杂的体系,如超晶格等。     

瞬态光的光电摄谱测量

“光电摄谱法”是一种辐射光谱计量参数的测量方法,此法解决了单次脉冲闪光灯辐射光谱相对能量分布的精确测量问题。本文介绍了这种方法的测量原理、方法和特点,同时阐述了对接收器件、光路系统和时控电器系统的要求,并以自行研制的闪光光谱测定仪为例,对其计量参数波长和相对能量的标定与校正给予了必要的讨论,最后以实测结果证实了该方法的可靠性。     

放大器En-In噪声模型的完善及其与Rn-Gn噪声模型的关系

目前，微波低噪声放大器设计中采用的Ｒｎ－Ｇｎ噪声模型只适用于高频、窄带和源导纳（Ｇｓ≠０）情况，其应用范围有限，特别是不适用于低频段的低噪声放大器设计。本文对文献［１］提出的Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型作了改进，使其不仅适用于高频、窄带，而且也适用于低频、宽带放大器的低噪声设计。进而推导出放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型与Ｒｎ－Ｇｎ噪声模型的等价关系，给出放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的测量方法及实测结果。     

Cd（Ⅱ）—N—邻甲苯基—N‘—（氨基对苯磺酸钠）硫脲—吡啶体系中镉的极谱测定

在含有０．５％吡啶的ＮＨ３－ＮＨ４Ｃｌ中溶液（ＰＨ９．８）中，镉与新合成的试剂Ｎ（邻甲苯基）－Ｎ‘－（氨基对苯磺酸钠）硫脲于－０．７２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）产生灵敏的还的峰，峰电流与Ｃｄ（Ⅱ）浓度在１０－８００ｎｇ／ｍｌ范围有良好的线性关系，检测限为５ｎｇ／ｍｌ，直接测定高纯锌及锌盐中痕量镉，得到了满意结果，本文对新试剂和吡啶增加测定镉的灵敏度的原因及电极反应机理进行了研究。     

布尔函数的对偶性和线性点

本文主要讨论了部分自对偶和部分反自对偶函数、部分线性函数以及具有线性点的函数的性质。