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室温下我们研究了稀磁半导体(Ga,Mn)As的光调制反射(PR)光谱,观测到来自样品的Franz-Keldysh振荡(FKO)信号。随着Mn原子浓度的增加,PR线形展宽,但是临界点E0和E0+Δ0没有明显的移动。根据FKO振荡数据,计算得到样品表面电场强度随Mn原子掺杂浓度的增加而增强。测量到与Mn原子掺杂相关的杂质带,其能量位置离GaAs价带边~100 meV。根据样品的表面电场强度和表面耗尽层模型,估算样品的空穴浓度为~1017cm-3,较低的空穴浓度可能与样品具有较低的居里温度有关,或测量的PR信号来自于样品中外延层的部分耗尽区域。 相似文献
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建立了一种适用于分析冰毒杂质的方法,并分析其形成原因。将冰毒样品溶于1 mL 0.1 mol/L pH7.0的磷酸盐缓冲液(4份缓冲液1份10%Na2CO3),杂质用0.5 mL乙酸乙酯萃取。结果共有8种物质被检出。N-甲酰甲基安非他明、N-乙酰甲基安非他明在样品中出现,说明此批冰毒由苯丙酮(phenyl-2-propanone,P-2-P)经Leuckart法合成。N-乙基甲基安非他明的检出,则说明用于合成此批冰毒的P-2-P由苯甲醛和硝基乙烷合成。从实验结果看,该法可以满足冰毒杂质分析的需要,为分析冰毒杂质成分的成因、判断冰毒样品的合成路径提供重要信息。 相似文献
43.
44.
熔石英亚表面缺陷是光学材料低损伤阈值的主要因素之一.本文建立了熔石英亚表面三维球形杂质颗粒模型,采用三维时域有限差分方法对杂质附近的光场进行了数值模拟,分析了杂质的介电常数与尺寸对光强增强因子的影响,结果显示:介电常数小于熔石英的杂质,其光强增强因子不随尺寸、介电常数的改变而改变,均保持为4左右;当介电常数为6.0时,半径为1.5λ,2λ及2.5λ的杂质,相应的光强增强因子分别为50.1588,73.3904及102.9953,即增强因子随杂质尺寸的增大而增大;恰
关键词:
杂质颗粒
三维时域有限差分
数值计算
光强增强因子 相似文献
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ICP—AES法测定铁矿中铝,钙,镁,锰,钴,铜,钠和钾 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了ICP-AES法测定铁矿中铝,钙、镁、锰、钴、铜、钠和钾的方法。对仪器工作参数,共存元素的光谱干扰和基体效应干扰进行了探讨。采用向标准系列中加入铁基空白溶液建立工作曲线,试样经酸处理后即可直接测定。本方法获得了良好的回收率(95~103%)和变异系数(0.5~1.3%,n=11),同原子吸收法进行比对试验,结果一致。 相似文献
48.
X射线荧光光谱法测定氟石中的氟化钙和杂质的含量 总被引:8,自引:3,他引:8
本文采用Li2B4O7:LiBO2=12:22作熔剂制备氟石熔融片,用波长色散X射线荧光光谱仪测定氟石中的CaF2、SiO2、Fe2O3、SO3、P2O5。本法测量 准确度、精密度较好,所得结果与湿法化学分析结果一致。 相似文献
49.
ICP-AES法测定金属硅中的Al、B、Ba、Ca、Cr、Cu、 Fe、Mg、Mn、Ni、Sr、Ti、V和Zn杂质元素 总被引:13,自引:0,他引:13
本文提供了一种测定金属硅中B,Fe,Al,Ca,Mn等14个杂质元素的ICP-AES方法,在样品处理过程中,加入适量体积的甘露醇能够抑制B的挥发。用本方法测定了一个国家地球化学标准样(GSR-4),结果令人满意。 相似文献
50.