全文获取类型
收费全文 | 1632篇 |
免费 | 227篇 |
国内免费 | 156篇 |
学科分类
工业技术 | 2015篇 |
出版年
2024年 | 10篇 |
2023年 | 59篇 |
2022年 | 46篇 |
2021年 | 60篇 |
2020年 | 75篇 |
2019年 | 82篇 |
2018年 | 64篇 |
2017年 | 89篇 |
2016年 | 66篇 |
2015年 | 31篇 |
2014年 | 57篇 |
2013年 | 213篇 |
2012年 | 74篇 |
2011年 | 58篇 |
2010年 | 42篇 |
2009年 | 81篇 |
2008年 | 66篇 |
2007年 | 113篇 |
2006年 | 77篇 |
2005年 | 84篇 |
2004年 | 91篇 |
2003年 | 71篇 |
2002年 | 66篇 |
2001年 | 64篇 |
2000年 | 60篇 |
1999年 | 48篇 |
1998年 | 24篇 |
1997年 | 33篇 |
1996年 | 25篇 |
1995年 | 23篇 |
1994年 | 24篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 12篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 7篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 2篇 |
1975年 | 1篇 |
排序方式: 共有2015条查询结果,搜索用时 0 毫秒
91.
研究了铁电微晶粉粒的热刺激电流及其铁电相变。对三种不同化学成分的钛酸钡粉料与硅油的混合物进行了热刺激电流测量。钛酸钡粉粒与硅油的混合物有很明显的热刺激电流(TSC)且表现出和铁电相变有关的明显的峰,显示出与粒径存在一定的关系;得出了样品的表观极化强度曲线。证明了当粉料与硅油混合后,用介电谱观测不到的粉料的铁电–顺电相变,用 TSC 方法可以观察到。 相似文献
92.
93.
94.
95.
96.
97.
采用粉末溶胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度约为1.50μm,铁电性能优良的CSBT铁电厚膜。研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响。结果表明:适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜,从而有利于厚膜的铁电性能。750℃烧结的粉末制备的厚膜具有最佳的铁电性能,其Pr和Ec分别为13.3μC/cm2,46.2 kV/cm,具有较高的应用价值。 相似文献
98.
Flexible non‐volatile memories have attracted tremendous attentions for data storage for future electronics application. From device perspective, the advantages of flexible memory devices include thin, lightweight, printable, foldable and stretchable. The flash memories, resistive random access memories (RRAM) and ferroelectric random access memory/ferroelectric field‐effect transistor memories (FeRAM/FeFET) are considered as promising candidates for next generation non‐volatile memory device. Here, we review the general background knowledge on device structure, working principle, materials, challenges and recent progress with the emphasis on the flexibility of above three categories of non‐volatile memories. 相似文献
99.
100.
铁电材料在铁电存储器等领域具有良好的应用前景,受到极大的关注,其中铋层状铁电薄膜因为其良好的铁电性,得到了广泛的研究.采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底成功沉积出(Bi3.7Dy0.3)(Ti2.8V0.2)O12(BDTV)的A、B位同时掺杂的铁电薄膜,发现这种双掺能够显著改善薄膜的铁电性.研究了650~800℃不同退火温度下,BDTV铁电薄膜的铁电性能、晶体结构及表面形貌变化.通过SEM分析发现,温度为750℃时,薄膜的颗粒生长较好,薄膜的铁电性能最佳. 相似文献