Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件，其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应，陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高，适当过量PbO则能降低陶瓷室温电阻率及其NTCR效应。利用XRD，SEM和EDS分别对样品的相结构，形貌及成份分布等进行分析。结果显示晶界中的Sr,Ti含量相对较高，而Pb含量相对较低，材料的阻温特性明显受其影响，铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现NTCR效应的主要原因之一，同时探讨Y^3 离子掺杂（Sr,Pb)TiO3陶瓷的半导体机理和热敏特性。     

AI－RE合金的高温强化研究

研究了Ａｌ－ＲＥ合金的高温性能，用扫描电镜、电子探针对该合金的断口形貌和相成分进行了分析。结果表明，该合金在３５０～４００℃的高温下仍具有优越的力学性能，比一般耐热铝合金的耐热温度提高５０℃。这主要是因为合金中形成了多种高温稳定的稀土化合物相，这些化合物相呈放射状分布在晶界和枝晶间，可有效地阻碍高温下晶界的滑移。     

低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料

报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数、较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称ＧＢＢＬＣ)．材料的有效介电常数高达３７×１０４,损耗可控制在４%,晶粒５μｍ左右,ΔＣ/Ｃ＜±３%(２０~１５０℃),频率色散较小,且制备工艺简单．     

INCONEL 718合金中硼的非平衡晶界偏聚

介绍了用溶质非平衡偏聚理论研究INCONEL 718合金中硼的晶界偏聚所取得的最新进展.这些进展包括用非平衡晶界偏聚动力学理论预报热处理工艺对合金晶界脆性的影响.     

粗晶纯Al多晶材料的循环形变——Ⅰ.滑移特征

研究了粗大晶粒(直径10mm以上)纯Al多晶材料在循环形变中的滑移行为,与一般的多晶材料(晶粒大小为微米量级)的滑移行为比较有如下特点:(1)在一个晶粒内存在由于不同滑移系统的开动所造成的不同滑移区,可称之谓形变畴或滑移畴;在同一畴区内也可有几个滑移系统同时或先后强烈地操作,在试样表面形成美丽而整齐的滑移图像。(2)对于较大∑值或随机晶界结构,晶界对滑移形变的影响区约在距离晶界50—120μm的范围内。这类晶界往往在疲劳寿命早期就可萌生裂纹。晶界迁移、晶界滑动现象也能经常观察到;对那些低∑值的重位晶界,一般情况下滑移线都能连续地穿越晶界,在晶界区的形变不协调性小,这样的晶界往往不易成为裂纹的萌生地点。(3)三叉晶界的节点抑制了晶界滑动,是形变不协调较大的区域,造成较大的应力集中,尤其三条晶界中的高∑值的或随机的晶界,往往是沿晶开裂的优先部位。     

ZG0CrNi13炉用热强钢工件开裂分析

分析了ＺＧ０Ｃｒ２３Ｎｉ１３耐热钢工件在过程产生晶界弱化，导致早斯失效的原因。     

陶瓷晶界及其利用

1概述陶瓷通常是指由无机非金属原料经过配料、混料、成型、烧成等工艺而获得的一类材料。经过这些工艺所制得的陶瓷,其组织结构是由许多微晶聚集的多晶体构成,这就不可避免地存在着大量的晶粒之间的边界,我们把这些晶粒边界简称为晶界。陶瓷材料中这种晶界的存在,使其在材料性能上与金属材料、有机材料和无机单晶材料相比有着明显的特性。陶瓷的性能是由其结构中的晶粒和晶界共同决定的。以往人们普遍认为晶界是恶化陶瓷性能的构成物,但是随着陶瓷科学技术的发展,人们逐渐认识到,在一定程度上,晶界也是陶瓷的一大宝贵财富:受控晶界的存在,…     

25Cr2MolV钢高温螺栓断裂分析与恢复热处理

利用金相技术、力学性能试验及扫描电子显微镜断口分析研究了M120汽缸25Cr1MoV钢高温紧固螺栓断裂的原因。结果表明螺栓在长期高温工作条件下,网状碳化物沿晶界析出造成材料脆化,并且存在缺口产生应力集中,加上工人拆卸不当使其受到过载冲击力而断裂。经960℃正火、900℃正火及650℃回火的恢复热处理工艺能基本上消除网状晶界,改善微观组织,使螺栓有良好的性能。