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11.
低温烧结SrTiO_3晶界势垒高度的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文利用双Schottky势垒模型依据SrTiO3晶界层电容器材料的R~T特性和室温下的I~V特性获得了晶界势垒高度随温度变化的关系.结果表明,势垒高度随温度的升高而增加.这一结果与用各不同温度下的I~V特性拟合所得到的势垒值基本相符.  相似文献   
12.
大角度晶界的正电子湮没研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
周先意  王淑英 《核技术》1989,12(11):638-642
  相似文献   
13.
14.
Zr对Ni_3Al合金中晶界与位错交互作用的影响谷月峰,刘毅,林栋梁,郭建亭,董林(上海交通大学,上海200030)(中国科学院金属研究所)(辽宁省理化测试中心)近来的研究表明:在无硼Ni_3Al合金中加入适量的Zr可使其具有良好的室温塑性和高温强度...  相似文献   
15.
提高HPb59-1铅黄铜塑性的热处理工艺   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文介绍了提高HPb59-1黄铜塑性的热处理工艺的特点,多年在生产上的实际应用表明该工艺能有效的提高HPb-1黄铜的塑性,同时,本文探讨了该热处理工艺对HPb59-1黄铜的增塑机理。  相似文献   
16.
17.
M.  Michiuchi  H.  Kokawa  Z.  J.  Wang  Y.  S.  Sato  K.  Sakai  罗强 《国外核动力》2007,28(1):38-42
利用优化了的,包括3%预应变、1240K温度下退火72h的一步形变热处理工艺来引入孪晶的晶界工程,在316奥氏体不锈钢中引入了高比例(86%)的重合位置点阵(CSL)晶界。处理后的不锈钢在硫酸铁腐蚀实验的测试过程中表现出了良好的抗晶间腐蚀性能。在奥氏体不锈钢的晶界工程化过程中,超过82%的CSL晶界比例可能导致大角度晶界在每个阈值处的渗滤率非常低,并且产生良好的抗晶间腐蚀性。  相似文献   
18.
通过分子动力学计算,得到了所有∑<50和两个具有代表性的∑<50沿[0001]了向h.c.p.Ti中的晶界结构。在所有对应最低能量的组态结构中,界面都是由完好区和具有一定几何构型的位借核所构成,位借核对应的几何单元只有两种型态,一种是四面体结构,另一种是三个并联的四面体,分别被定义为T单元和A单元。  相似文献   
19.
复合功能陶瓷中的晶界渗流模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈昂  智宇 《硅酸盐学报》1995,23(6):686-688
在复合陶瓷材料中提出了晶界控制的渗液模,考虑晶界效应对渗流阀值的影响,采用MonteCarlo模拟,计算得到三维FCC晶格点阵的渗流阀值约为4.5%。该结果与实验数据符合得很好。  相似文献   
20.
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