纳米AlN粉末的制备与烧结

利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性.实验表明:以合成的AlN粉末为原料,添加5%(质量比)Y2O3作为烧结助剂,在常压、流动N2气氛下1600℃保温3 h,制备出平均晶粒尺寸为4～8 μm、密度为3.28 g·cm-3的AlN陶瓷;将同样的粉末不加任何烧结助剂,采用SPS技术在1600℃保温4 min,得到密度为3.26 g·cm-3的AlN陶瓷,晶粒度约为1～2μm.     

纳米钛硅分子筛TS-1催化甲乙酮氨氧化合成甲乙酮肟

以纳米钛硅分子筛TS-1为催化剂，采用三口玻璃反应器研究了甲乙酮（MEK）氨氧化的反应性能。采用SEM、TEM和XRD等分析手段表征了TS-1的晶粒尺寸。考察了TS-1的晶粒尺寸、反应物的加料方式、溶剂、催化剂用量、反应温度和反应物料配比对甲乙酮氨氧化反应性能的影响。结果表明，甲乙酮氨氧化反应的最佳反应条件为：75℃，n（NH3）：n（H2O2）：n（MEK）=4．0：1．5：1．0，TS-1用量21．6g（以1mol MEK计）；H2O2和氨水连续进料，最佳溶剂为叔丁醇或叔丁醇和水的混和液。在最佳反应条件下，甲乙酮的转化率和甲乙酮肟的选择性可分别达到99．4％和99．8％。     

威刚A-DATA DDR2 533内存

威刚A-DATA DDR2 533内存的标准规格为240针脚、1．8V工作电压，且依据JEDEC（美国电子工程设计发展联合协会）的标准规范，采用最先进的0．10微米制程、FBGA封装的DDR2颗粒，成功减少IC颗粒与电路板的球面接触点，并有效降低高频工作温度与资料杂讯。且大幅提高资料传输速率并透过内建的ODT内部中断电阻设计，让主机板不用在内存旁边增加一排电阻，减少PCB的使用空间。OCD讯号校正技术让电压的上升与下降有最小的DQ—DQS SKEW（时钟讯号偏离），提升讯号质量。以及提高汇流排效率的Posted CAS功能，使DDR2 533成功突破DDR的速度限制，缔造出每秒资料访问与输出量比DDR高出一倍的优异效果，真正达到每秒3．2G的极速资料传输带宽。     

基于P2P的虚拟VPN网关模型

一、虚拟私有网的产生 我们知道，大部分企业或机构都构建有供自己办公使用的局域网，用来沟通部门之间的信息联系和信息共享。对处在地理位置范围相对狭小的机构来说．这很容易做到。但在实际生活中．我们往往会遇到以下几种典型情形：机构的各部门地理位置分散；工作人员异地出差时要访问办公资源；SOHO家庭办公等等。     

含氮金刚石结构中Jahn-Teller畸变效应的计算

研究了由J.Bourgoin和M.Lannoo提出的半导体内Jahn-Teller畸变效应的计算理论。应用Bourgoin和Lannoo的方法研究了含中心氮杂质金刚石结构的Jahn-Teller畸变问题,计算了34C+N簇团的T2模耦合沿%111&晶向的Jahn-Teller畸变效应,结果与实验相符。     

BaTiO3基Au纳米颗粒复合薄膜的制备及其光学性质研究

采用溶胶-凝胶（sol-gel）方法，成功的将高体积面分比的Au纳米颗粒复合到BaTiO3的非晶薄膜中，并对其光学性质进行了研究。用XRD、TEM、椭偏仪、吸收光谱、光克尔效应OKE（Optical Kerr Effcet）方法对薄膜进行了表征和测试。从吸收光谱观察到表面等离子体共振SPR（Surface Plasma Resonance)峰随热处理温度升高而红移的现象。光学非线性测试表明薄膜具有高的三阶非线性极化率Χ^(3)和超快的响应时间。     

光亮黑色锡-钴镀液中Sn2+的测定

1前言 近年来,随着欧美、日本等发达国家禁止对含镍饰件的进口,光亮黑色锡-钴电镀已经在相关领域内完全取代了黑镍和黑色锡-镍合金电镀,但由于工艺控制困难,生产中往往靠经验,所以次品率很高.本公司在推广该工艺的过程中,总结了一套准确快速的现场化验手段.     

多孔陶瓷载体氧化铝涂层的研究

分别用纳米γ-Al₂O₃和SB粉制备了多孔陶瓷载体的Al₂O₃涂层。BET法测定了多孔陶瓷载体Al₂O₃涂层改性前后比表面积的变化。由SEM照片观察多孔陶瓷载体涂层改性前后表面和断面的形貌。结果表明，这两种方法对多孔陶瓷载体涂层改性均有效可行。     

Ni-Al2O3纳米复合电镀工艺的初步研究

初步研究了复合电镀各工艺条件：电流密度、镀液pH值和温度以及搅拌方式对Al2O3纳米微粒在镍基复合镀层中含量的影响。研究表明：电流密度增大不利于提高镀层中纳米微粒的含量；pH值增大也明显使复合量降低;镀液温度升高，镀层中微粒的复合量随之略有改变；电镀时，加强搅拌或适当改变搅拌方式，可以使复合镀居中的纳米微粒含量提高。还利用扫描电镜及能谱对Ni-Al2O3镀层表面进行了观察与分析。     

湿硫化氢对压力容器的腐蚀与检测

硫化氢是造成炼油厂设备腐蚀最活跃的硫化合物。原油开采出来时伴有水分．这些水分含有NaCl、CaCl2、MgCl2等盐类．在炼制过程中，很容易受热水解生成腐蚀性很强的HCI2原油中的硫化物则分解成H2S．就会形成HCl—H2S和H2O的湿硫化氢腐蚀环境。