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介绍了研制出其性能达国际先进公司同类产品水平的塑封双列直插式光耦合器的工作原理和提高绝缘耐压的技术难点,从引线框架设计、加工精度控制、内包封材料选型、理想内包封形状控制、塑封气密性的实现、环境条件的完善等方面讨论了提高绝缘耐压的设计和工艺要点。 相似文献
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以往一提到皮革,我们大抵第一感觉就是雍容华贵,柔美细致的水貂毛在灯光的映衬下闪闪发光,优雅的女人慵懒地围坐其中……这一切似乎是那么可望而不可即。然而,刚刚结束的时装周中国设计师的皮革情结,各大商场上柜热卖的比例,街边小店有独特创意的卡哇伊似的“毛茸茸”,让人脑海中对皮革原本那种灰色的、高贵的、遥远的、高不可攀的贵族气不复存在,取而代之的是新一代生活感的皮革蓝本。 相似文献
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近20年来,稀土永磁材料的开拓及其发展经历了三代,即第一代RCo_5型(1966年),第二代R_2Co_(17)型(1972年)和第三代Nd-Fe-B系(1983年)永磁合金(R为稀土或混合稀土族元素)。永磁合金的最大磁能积(BH)_(max)随年代呈指数式增加。早就发现的R_2Fe_(17)居里温度太低,而且Nd_2Fe_(17)还缺少必要的磁晶各向异性。这些性质限制了它的发展。但在其中添加B后,稳定了四方结构,显示出易磁化轴各向异性和较高的居里点(580K。自此,第三代稀土永磁体发展起来了。1983年日本正式公布了无钻、高性能的新型Nd-Fe-B永磁体,最大磁能积达到36.3MGOe;1984年达到42.9MGOe,1985年达到44.8MGOe。目前日本最大磁能积已突破50MGOe,并达到50.6MGOe的最高水平。 相似文献
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The photoluminescence properties of BiTaO4:Pr^3 and BiTaO4 at room temperature were studied, and the infrared transmission and diffusion reflection spectra of BiTaO4 were measured. The photoluminescence spectrum of BiTaO4 peaks at about 420, 440 and 465nm. There has an obvious excitation band from 330 to 370nm. The photoluminescence spectrum of BiTaO4:Pr^3 consists of the characteristic emission of Pr^3 , and its main peak is at 606 nm from ^3P0→^3H6 transition of Pr^3 . Its excitation spectrum consists of the wide band with maximum at 325nm, the wide band in the range of 375-430nm, and the characteristic excitation of Pr^3 .The bands at 325nm and 375-430nm may be from the absorption of the charge transfer transition of the tantalate group and defect energy levels in its forbidden band, respectively.There is energy transfer from host to Pr^3 . Because both the host density and photoluminescence peak intensity of BiTaO4:Pr^3 are superior to PbWO4, BiTaO4:Pr^3 may be a potential heavy scintillator. 相似文献
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