一维导电掺锑氧化锡粉体的制备和表征

为了探究一维导电掺锑氧化锡的制备条件,分别以SnCl_4·5H_2O和SbCl_3为Sn源和Sb源,以NaOH为沉淀剂,添加Na_2SiO_3·9H_2O和Na Cl作为烧结助剂制备掺锑氧化锡(ATO)纳米棒,研究前驱体反应条件对ATO形貌和结构的影响;在硅酸铝纤维表面沉积ATO前驱体并高温焙烧制备导电纤维,研究不同煅烧温度对ATO沉积硅酸铝导电纤维导电性能的影响。结果表明:在Na_2SiO_3·9H_2O与Na Cl的协同作用下,高温焙烧后可制备形貌规则、晶型良好的ATO纳米棒;当焙烧温度为900℃时,导电纤维的导电性最佳。     

银氧化锡电触头材料研究现状及发展趋势

作为最有希望代替银氧化镉材料的材料,银氧化锡成了国内外研究的重点,目前取得了许多成果。文章总结了银氧化锡的性能、制造工艺及其添加元素的种类和作用并简单介绍了国内外的研究现状及发展趋势。     

氧化锡纳米针生长机理的研究

采用热蒸发技术并控制生长条件制备一维氧化锡纳米结构。结果发现衬底温度和催化层的厚度对氧化锡纳米结构的尺寸和形状有较大影响;当衬底生长温度在850℃时针状氧化锡纳米结构遵循的是催化辅助的VLS机制,而衬底温度高于900℃时受气固机制作用。     

以丝绸为模板合成纤维状氧化锡纳米晶材料

以丝绸为模板,通过生物模板法合成了纤维形态纳米氧化锡。丝绸模板在前驱体溶液中浸渍后在不同温度下进行焙烧得到最终产物,并采用XRD、SEM、EDS、TEM和IR对其成分和结构进行了表征。结果表明,通过原位自组装合成,产物很好地保留了原始模板的微观结构,蛋白纤维转变为纳米晶粒组成的SnO2纤维,纤维直径约15μm,SnO2晶粒尺寸约55nm。讨论了反应条件对产物微观形貌的影响,确定了最佳反应温度为600℃,并分析了产物的形成机理。这种生物模板法为制备纳米SnO2提供了一种简易、环保的方法。     

掺杂对纳米Sn2O3晶化及阻温特性的影响

研究了纯及掺入写的, , 的纳米微粉晶拉尺寸随温度 的变化情况℃以前晶拉生长缓慢℃以后晶拉长大迅速掺入十, 可有效 地抑制晶拉的长大, ℃退火晶拉尺寸仍小于晶拉尺寸下降可使电导温度 峰往低温移动, 当晶粒尺寸小于时, 电导峰出现在℃附近, 而掺杂可使电导温 度峰展宽成平台掺的纳米材料在℃时对乙醉有较高的灵敏度和动态响应,     

气相激光光刻法沉积氧化锡薄膜的工艺特点

气相激光光刻法的特点是快速沉积,衬底表面无污染,并且有可能获得比较平展的截面电导膜。     

PECVD法制备的SnOx气敏膜的色变机理

有用ＰＥＶＣＤ法制备了非晶掺Ｓｎ有机膜，经过退火处理得到ＳｎＯｘ气敏膜，考察了退火过程和气敏响应过程的阻温特性和颜色变化的关系，研究了表面掺Ａｇ对ＳｎＯｘ元件电阻、