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81.
在半导体器件和集成电路的研制和制备过程中,随着工艺水平的提高及技术进步,双层乃至多层布线越来越多,尺寸也越来越小。然而,在尺寸较小、台阶较高的情况下,如果在第一层金属上淀积介质后直接形成上层布线就会导致断条现象的出现,这就导致了平坦化成为非常重要的一项工艺。给出了平坦化工艺的基本原理,通过优化工艺条件并进行实验验证,确定了平坦化的最佳工艺条件,可以确保进行一次金属刻蚀以后,片子表面仍能基本平坦,这样就为二次布线打下了良好基础,杜绝了断条现象的产生。 相似文献
82.
利用电化学阻抗谱(EIS)技术对纳米二氧化硅含量为5%的有机硅复合涂层的防护性能进行了研究,试验结果与有机硅清漆涂层和微米二氧化硅含量为5%的有机硅复合涂层的实验结果进行了比较。结果表明,纳米氧化硅粒子的填加有效的阻挡侵蚀介质的渗透和腐蚀,纳米氧化硅-有机硅复合涂层比有机硅清漆涂层和微米二氧化硅-有机硅复合涂层具有更好的防护性能。 相似文献
83.
84.
用氢氧化钠、过氧化钠和硼酸混合熔剂,在聚四氟乙烯坩埚中熔融样,用稀酸浸出溶融物,然后用氟硅酸钾容量法测定二氧化硅含量,当二氧化硅含量在1%以上时,用本法测得的结果与重量法很接近,且完成一次测定只需1 ̄2h。该法不仅适用于各种类型水垢水二氧化硅的测定,也适用于硅砂中二氧化硅的测定。 相似文献
85.
采用熔融共混法制备了m-LLDPE/纳米SiO2复合材料,并对该体系的力学性能和光学性能进行了系统研究。结果表明,纳米SiO2对m-LLDPE具有一定的增强、增韧作用。复合材料的红外吸收能力较m-LLDPE明显提高,此外,m-LLDPE/纳米SiO2复合材料的可见光透光度有所降低,雾度却有明显的上升。通过SEM电镜得出,表面处理方法对纳米SiO2在基体中的分散性能有显著影响。 相似文献
86.
以自制的硅溶胶为原料,通过三甲基氯硅缈六甲基二硅氧烷(trimethylehlorosilsne/hexamethyldlsiloxane,TMCS/HMDSO)混合液对制得的水凝胶直接进行表面改性,用乙醇洗涤以后,在常压条件下干燥后得到疏水的SiO2气凝胶。研究表明;当溶胶液pH值从3变到5,最终得到的气凝胶的密度随pH值的增大逐渐减小到最低点后又有所增大,而气凝胶的比表面积则呈相反的变化趋势。当改性剂TMCS/H20的摩尔比大于0.1时,最终可得到疏水的气凝胶,当其大于0.2后气凝胶的密度和疏水性变化不大。Si02气凝胶密度和比表面积分别在100-160kg/m^3和539-720m^2/g范围。 相似文献
87.
合成二氧化硅对硅橡胶性能的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了合成二氧化硅及硅橡胶的结构性质,探究了二氧化硅的结构性质对硅橡胶补强性能的影响,指出了二氧化硅颗粒的大小、形态、聚结状态、表面性质和与高分子硅氧烷之间的相互作用是影响二氧化硅对硅橡胶补强性能的最主要的因素,并用实验对硅橡胶的硬度、拉伸强度、300%定伸应力、扯断伸长率、撕裂强度、压缩永久变形等物理性能进行测定,结果表明:BET比表面积180~200m^2/g,孔隙度(吸油量)为3.0~3.2mL/g,平均粒径为8~10岬的沉淀法白炭黑对硅橡胶具有很好的补强效果。 相似文献
88.
沉淀水合二氧化硅在我国发布有行业标准HG/T3061~3073-1999,与ISO 5794-1:1994实质内容相同。近5年来,沉淀水合二氧化硅产业得到了迅速发展,绝大部份产品均按HG/T3061-1999组织生产。为便于行业及时了解ISO 5794-1最新版本内容,现将ISO 5794-1:2005(E)全文译出,供参考。
本版标准与上版标准比较,标准主体部份新增加了“6测试报告”一章,相应的在各附录中又删去了各“测试报告”章;另外还新增加了3个附录,分别是:5.附录E比表面积-多点氮吸附法;6.附录FCTAB表面积测试方法;7.附录G颗粒分布测试方法。
其它的主要内容差异在各章的最后以“译注”形式给出。 相似文献
89.
本文研究了采用气相燃烧法合成纳米二氧化硅的技术,得出了反应温度对二氧化硅颗粒形貌及四氯化硅进料量对二氧化硅产品性能的影响规律,研制出了可控的纳米级气相白炭黑。 相似文献
90.
采用低聚物和二氧化硅粒子纳米复合物的漫反射涂覆剂;纳米氧化铝改性聚芳醚酮聚合物及其纳米瓷膜漆;碳纳米管涂料制造方法;无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜的制备及性能研究;一种纳米二氧化钛光催化杀菌降解涂料 相似文献