首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   37026篇
  免费   7086篇
  国内免费   11349篇
数理化   55461篇
  2024年   279篇
  2023年   1015篇
  2022年   1044篇
  2021年   1174篇
  2020年   885篇
  2019年   1105篇
  2018年   782篇
  2017年   1146篇
  2016年   1258篇
  2015年   1294篇
  2014年   2604篇
  2013年   2083篇
  2012年   2262篇
  2011年   2468篇
  2010年   2207篇
  2009年   2383篇
  2008年   2951篇
  2007年   2150篇
  2006年   2142篇
  2005年   2331篇
  2004年   2219篇
  2003年   2778篇
  2002年   2562篇
  2001年   2384篇
  2000年   1771篇
  1999年   1115篇
  1998年   1342篇
  1997年   923篇
  1996年   955篇
  1995年   951篇
  1994年   878篇
  1993年   702篇
  1992年   721篇
  1991年   732篇
  1990年   701篇
  1989年   609篇
  1988年   161篇
  1987年   145篇
  1986年   84篇
  1985年   63篇
  1984年   32篇
  1983年   37篇
  1982年   25篇
  1981年   3篇
  1980年   1篇
  1979年   3篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 109 毫秒
81.
《分析化学》2006,34(8):1128-1128
毛细管电色谱作为一种新型微分离分析技术,其分离过程具有多种机理协同作用的特征。对于毛细管电色谱的理论研究不仅要考虑系统的电属性,还要兼顾溶质的两相分配特征。该书系统地阐述了毛细管电色谱的基本理论,讨论了分离过程中影响峰展宽的因素及其规律。基于作者发展的弛豫理  相似文献   
82.
The electronic structures for three types of PbW04 (PWO) crystals, the perfect PWO, the PWO containing lead vacancy (PWO-Vpb) and fluorine doped PWO crystal (F^-:PWO), are systematically studied within the framework of density functional theory. The computational results show that the Pb 6s state situates below the valence band so that Pb^2 ions are unable to trap holes forming Pb^3 or Pb^4 to compensate for VPb^2-. The hole-trappers in PWO-Vpb are O^2- ions. Two of the longer-bond O^2- ions share a hole forming O2^3-, and four of the longer-bond oxygen ions trap two holes forming an associated color centre [O2^3--Vpb-O2^3-], which may be the origin of the 42Onto absorption band. It is also concluded that the doping of F^- would reduce the band gap and F^- ions substituting for O^2- can effectively restrict the formation of [O2^3--Vpb-O2^3-] and weaken the 42Onm absorption band and hence enhance the scintillation property of PWO.  相似文献   
83.
马歇尔-勒纳条件的实证研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
本文从人民币实际汇率变动是否会对我国贸易收支产生影响出发,基于马歇尔.勒纳条件,对计算贸易弹性常用的OLS回归模型进行了改进,建立了向量自回归误差修正模型来估算我国的国际贸易弹性。实证研究表明:我国进出口需求的价格弹性之和大于1。因此人民币贬值可改善贸易收支;反之升值将使贸易收支恶化。  相似文献   
84.
Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.  相似文献   
85.
系统研究了具有急性和慢性两个阶段的MSIS流行病模型.由两节构成,第1节建立和研究了具有急慢性阶段的MSIS流行病模型;第2节在第1节的基础上建立和研究了具有慢性病病程的MSIS流行病模型.第1节的模型是四个常微分方程构成的方程组.第2节的模型既含有常微分方程,又含有偏微分方程.运用微分方程和积分方程中的理论和方法,得到了这两个模型再生数R0的表达式.证明了当R0<1时,无病平衡态是全局渐近稳定性,给出了各模型地方病平衡态的存在性和稳定性条件.  相似文献   
86.
通过重离子核反应与在束γ谱的实验技术, 对A=130缺中子核区的双奇核136La的高自旋态进行了研究, 所用核反应为130Te(11B,5n). 实验结果扩展了136La的能级纲图, 包括3个集体转动带, 最高自旋态达20h. 对于\uppi h_{11/2}\otimes \upnu h_{11/2}$~带, 观测到了旋称反转与集体回弯现象. 通过系统学比较, 对旋称反转特性进行了讨论. 由推转壳模型的计算指出, 此集体回弯是由一对中子的角动量顺排引起的. 另外两个集体带为具有~$\gamma\approx -60^\circ$~的扁椭形变带, 其可能的组态为: $\uppi h_{11/2}\otimes \upnu g_{7/2}h_{11/2}^2$~与~$\uppi g_{7/2}\otimes\upnu g_{7/2}^2 d_{5/2} h_{11/2}^2$.  相似文献   
87.
本文对前缘弯掠斜流转子叶顶间隙内的流动特性进行了数值分析。结果表明:叶顶间隙气流与主流发生卷吸而生成泄漏涡。泄漏涡作用的区域具有较低的压力分布。在叶片通道内,泄漏涡沿着与转子旋向相反的方向朝相邻叶片的压力面移动。大间隙时的泄漏涡比小间隙时强烈。低流量时泄漏涡的作用区域比高流量时大。在各种流量特性下,叶顶尾缘近吸力面区域都存在着二次间隙流。  相似文献   
88.
本文通过对我院数控技术应用的现状分析,提出发展数控技术的基本思路。  相似文献   
89.
王忠安 《物理实验》2004,24(6):26-26
  相似文献   
90.
利用分子的VolSurf参数预测化合物的水溶解度并阐明有利于水溶解度的主要分子结构特征.被测化合物包括185个共两大系列分子,使用偏最小二乘判别分析和多元线性回归方法在实验数据和分子特征之间建立相关性,均得到较好的结果.以70个化合物所建立的训练集模型对其余115个化合物有较好的预测能力.参数分析表明分子内较大的亲水区域对水溶解度有利;分子质心与疏水区、亲水区之间的不平衡性越高,水溶解度越大;分子量及体积大的分子对其水溶解度不利.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号