负载型复合半导体V2O5-TiO2/SiO2表面V2O5和TiO2的相互修饰作用

 采用表面改性法制备了负载型复合半导体材料V2O5-TiO2/SiO2,并用X射线衍射、比表面积测定、拉曼光谱、程序升温还原和紫外-可见漫反射光谱等技术对固体材料的结构和光响应性能进行了表征. 结果表明,V2O5和TiO2在负载型复合半导体V2O5-TiO2/SiO2表面有相互修饰的作用. 一方面,V2O5能扩展TiO2的光响应范围,使TiO2的吸光区域由紫外光区拓宽至可见光区,从而提高了复合半导体对光能的利用率; 另一方面,TiO2则有助于提高V2O5在载体表面的分散程度,抑制VOx的聚合,减小V2O5的微晶尺寸,提高固体材料的能隙值和氧化还原能力.     

超疏水膜表面构造及构造控制研究进展

本文就表面构造对膜表面亲、疏水性的最新研究成果进行了概括,表面化学成分及化学结构聚集态是获得超疏水膜的基础,表面的形貌和微构造是维持超疏水性质的保障。利用含氟材料极低的表面能,将表面化学结构的聚集态,表面形貌微观构造及排列方式进行有机结合,将会获得理想的超疏水材料。     

气固吸附与Gibbs吸附等温式

讨论了G ibbs吸附等温式对气固吸附的应用。它不仅能结合吸附层的物理模型建立各种实用的气固吸附等温式,而且还能由已知的吸附量推测吸附过程中界面自由能随平衡压力的变化规律。     

分子对接与分子动力学模拟法探究PI3Kδ/度维利塞(Duvelisib)的选择性结合

大量研究表明磷脂酰肌醇3-激酶δ(PI3Kδ)与多种恶性肿瘤及免疫疾病的发生、发展密切相关,因此成为一个备受关注的药物靶点.伊德利塞(Idelalisib),PI3Kδ抑制剂,是首个被FDA批准上市的PI3K抑制剂,以此开启了PI3 Kδ选择性抑制剂开发的热潮,但是严重的毒副作用阻碍了该类化合物的使用.随后,度维利塞(...     

有机/无机复合结构光电导型器件的光激发机制

制备了PVK/ZnS有机无机复合的光电导型器件 ,器件结构分别为Glass/ITO/PVK/Al;Glass/ITO/ZnS/Al;Glass/ITO/ZnS/PVK/Al。通过研究此复合器件在外加电场作用下的稳态光电导激发谱 ,得到了基本光激发过程。把PVK/ZnS的吸收谱和器件的光电导谱进行比较 ,知道虽然两者的吸收对器件光电流都有贡献 ,但有效部分在PVK和ZnS的界面处。最大光电流对外加电场的依赖性与器件的暗电流和光电流谱为此提供了证据     

河渠非定常流的精确边界能控性

借助于一阶拟线性双曲型方程组混合初边值问题的半整体C^1解理论对单个河道及弦状网络河道中的非定常流动分别讨论了在闸门边界条件下的精确边界能控性问题,并对在泄洪边界条件下的精确边界能控性进行了相应的讨论。     

索尔维物理学会议的起源及其影响

介绍了索尔维物理学会议的起源及其影响.索尔维物理学会议是国际著名的科学会议之一.1911年在比利时首都布鲁塞尔举行了首次会议,它是在德国著名物理化学家能斯特的促进下,由比利时工业化学家兼社会改革家恩斯特·索尔维资助的.这次会议对当时量子论的发展产生了积极的影响.从此,索尔维物理学会议作为重要的国际学术研究活动被一直延续了下来.     

聚丙烯表面的计算机模拟

用计算机模拟的方法详细研究了聚丙烯薄膜表面分子级别的结构 .采用无定形本体聚丙烯产生初始的随机父链 ,将一条随机父链在二维边界条件下进行塌陷 ,研究薄膜在真空中的构型 .用 10 0个重复单元的父链生成厚度为 3 5nm的薄膜 .发现薄膜内部密度等于聚丙烯的本体密度 ,而离自由表面 0 8nm处薄膜的密度开始跌落 .主链键在内部随机取向 ,在自由表面附近则明显沿薄膜表面平面取向 ,键开始有序取向的程度大致与质量密度相对于本体密度的减小一致 .与聚丙烯本体相比 ,薄膜表面中CH2 CH 的反式结构和旁式结构是增加的 ,这是因为分子链能更好的沿薄膜平面舒展 .同时通过聚丙烯无定形本体 (3D周期性 )和薄膜 (2D周期性 )中的链的能量的差异计算了薄膜内部能量对表面能量的贡献 .     

InSb的Li替位形成能的从头计算

采用基于平面波展开的第一原理赝势法计算了锑化铟在锂替位到铟位置时的各种情况下的形成能与电子结构,讨论了锂替位的体积变化,电荷分布、能带结构及电子态密度等性质.结果表明,对于闪锌矿结构的InSb,锂的各种替位形成能大致在每个锂原子-2.2eV左右.该结果表明,不可能在嵌入初期Li插入到间隙位置之前发生替位反应,与实验结果一致.     

新型钝感含能材料LLM-105的研究进展

介绍了美国关于新合成的1 氧 2,6 二氨基 3,5 二硝基吡嗪(LLM 105)的研究进展,详细介绍了LLM 105的优点、合成方法、基本物理化学性质和爆炸性能。