聚乙烯基咔唑与8-羟基喹啉铝混合体系的荧光衰减

报道了8－羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑薄膜及其混合体系膜的荧光衰减特性。聚乙烯基咔唑／8－羟基喹啉铝重量比100：4的混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为6．47ns和8．5ns。重量比100：10混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为5．5ns和7．9ns。上述两波长对应8－羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑分子荧光发射。混合体系的荧光寿命仅为8－羟基喹啉铝分子荧光的40％，同时也低于聚乙烯基咔唑14ns的荧光寿命。荧光寿命的减少反映出两种分子之间存在较强的相互作用或形成了分子复合体。     

噻吩基和呋喃基四硫富瓦烯的合成及电化学性质

提供了一种合成噻吩基和呋喃基四硫富有瓦烯（ＴＴＦ）的方法，并用其合成了３种未见文献报道的噻吩基ＴＴＦ（Ⅶａ，Ⅷｂ，Ⅶｃ）和２种呋喃基ＴＴＦ（Ⅶｄ１，Ⅶｄ２）研究这些化合物的循环伏安行为及有关电化学性质，制得了一种Ⅶｂ与ＴＣＮＱ反应生成的电荷转移络合物，讨论了噻吩基ＴＴＦ和呋喃基ＴＴＦ在产物构型和电化学性质方面的差别。     

用化学腐蚀法检测在高温下工作中的压力容器的材料性能劣化

在高温下工作中的结构材料,在长期工作后,其力学性能会下降。本文提出了一种化学腐蚀法,可检验回火脆化,测定材料的晶界腐蚀程度与材料力学性能劣化的定量关系。应用这种腐蚀法,可在现场检测正在使用中的高温结构材料的断裂韧性下降,可对结构的剩余强度和剩余寿命,对结构的可靠性和经济效益作出正确的评价.     

无铅In-BCVIG单晶及其磁光特性

用无铅助熔剂法生长了掺铟的铋钙钒铁石榴石(Bi_3-2xCa_2xFe_5-x-yIn_yV_xO₁₂单晶,采用本文所述的助熔剂,均长出了线度在10mm以上的晶粒完整、包容物很少的高质单晶。选用x=0.90,y=0.12的单晶,在0.7—2.2μm波长范围内测量了法拉第磁光旋转角θ_F和光吸收系数α。我们的结果表明无铅In-BCVIG单晶是磁光优值(M=(│θ关键词：     

光学非均匀复合材料的多元滞后器模型

提出了光学非均匀纤维增强复合材料的复杂双折射现象的多元滞后器模型。给出了多元滞后器矩阵以及由此衍生的一组光强、方位角及滞后量公式，给出了多元与二元等效的证明，并认为二元滞后量应被看作是多元滞后量的一种统计等效值。穿过非均匀介质的偏振光具有复杂的波前，可分解为一组具有不同空间频率的平面波，且每一束平面波都由一对正交偏振光组成。所有这些平面波在试样前方的、垂直于原入射光方向的屏幕上任一点的干涉，在数学上可表示为表征这些平面波的Ｊｏｎｅｓ向量的不同权值的叠加。由于每一对正交偏振光均对应于一个光学均匀微元的Ｊｏｎｅｓ矩阵，因而可用由若干这些Ｊｏｎｅｓ矩阵的叠加所得的多元滞后量矩阵来表征光学非均匀纤维增强复合材料的双折射行为。 关键词：     

Wide-Band Polarization-Insensitive High-Output-Power Semiconductor Optical Amplifier Based on Thin Tensile-Strained Bulk InGaAs

A polarization-insensitive semiconductor optical amplifier (SOA) with a very thin active tensile-strained InGaAs bu/k has been fabricated.The polarization sensitivity of the amplifier gain is less than 1 dB over both the entire range of driving current and the 3dB optical bandwidth of more than 8Onto.For optical signals of 1550nm wavelength,the SOA exhibits a high saturation output power 7.6dBm together with a low noise figure of 7.SdB, fibre-to-fibre gain of 11.5dB,and low polarization sensitivity of 0.5dB.Additionally,at the gain peak 1520nm,the fibre-to-fibre gain is measured to be 14.1 dB.     

Surface States in the AlxGa1-xN Barrier in AlxGa1-xN／GaN Heterostructures

Frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed on modulation-doped Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures to investigate the characteristics of the surface states in the AlxGa1-xN barrier. Numerical fittings based on the experimental data indicate that there are surface states with high density locating on the AlxGa1-xN barrier. The density of the surface states is about 10^12cm^-2eV^-1, and the time constant is about 1μs. It is found that an insulating layer (Si3N4) between the metal contact and the surface of AlxGa1-xN can passlvate the surface states effectively.