全文获取类型
收费全文 | 11005篇 |
免费 | 1002篇 |
国内免费 | 809篇 |
学科分类
工业技术 | 12816篇 |
出版年
2024年 | 26篇 |
2023年 | 148篇 |
2022年 | 189篇 |
2021年 | 277篇 |
2020年 | 274篇 |
2019年 | 233篇 |
2018年 | 215篇 |
2017年 | 314篇 |
2016年 | 442篇 |
2015年 | 411篇 |
2014年 | 587篇 |
2013年 | 722篇 |
2012年 | 773篇 |
2011年 | 949篇 |
2010年 | 797篇 |
2009年 | 856篇 |
2008年 | 714篇 |
2007年 | 813篇 |
2006年 | 775篇 |
2005年 | 544篇 |
2004年 | 457篇 |
2003年 | 467篇 |
2002年 | 352篇 |
2001年 | 283篇 |
2000年 | 240篇 |
1999年 | 199篇 |
1998年 | 120篇 |
1997年 | 126篇 |
1996年 | 87篇 |
1995年 | 66篇 |
1994年 | 48篇 |
1993年 | 55篇 |
1992年 | 38篇 |
1991年 | 51篇 |
1990年 | 23篇 |
1989年 | 24篇 |
1988年 | 20篇 |
1987年 | 15篇 |
1986年 | 18篇 |
1985年 | 15篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 7篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 7篇 |
1976年 | 2篇 |
1975年 | 5篇 |
1968年 | 2篇 |
1966年 | 1篇 |
1951年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
12.
13.
14.
通过对耐热耐蚀合金Incoloy 80 0H的性能分析 ,指出它与普通奥氏体不锈钢相比具有较优的抗氧化性能、耐蚀性和高温蠕变强度。针对催化裂化装置同轴式沉降再生器内部所用Incoloy 80 0H焊件易出现裂纹的问题进行分析 ,认为在施焊过程中由于合金凝固时有低熔点金属或化合物的液态膜残留在晶界区 ,该合金具有高的焊接热裂纹敏感性 ,若焊材选择不当 ,焊丝填充不充分、缺少保护气等将导致晶间裂纹产生。提出了该合金采用TIG焊接防止热裂纹产生的措施。 相似文献
15.
TK40 6H侧钻短半径水平井是西北石油局在塔河油田利用已钻无产能直井井眼侧钻钻水平井而布署的第一批短半径水平井 ,也是国内目前已钻的最深的短半径水平井 ,设计侧钻造斜井深在 5 30 0m以下 ,施工难度大 ,该批短半径水平井的钻成并获得良好的产能 ,使国内水平井钻井技术迈上了新的台阶。本文主要从该油田短半径水平井钻井的技术难点入手 ,对TK40 6H侧钻短半径水平井的设计和施工进行了分析和阐述 ,并通过主要工艺技术分析 ,阐明了技术实施的着眼点和配套的技术措施 相似文献
16.
17.
18.
19.
Alessandro Fantoni Manuela Viera Rodrigo Martins 《Solar Energy Materials & Solar Cells》2002,73(2):148
In this paper a set of one-dimensional simulations of a-Si:H p–i–n junctions under different illumination conditions and with different intrinsic layer are presented. The simulation program ASCA permits the analysis of the internal electrical behaviour of the cell allowing a comparison among the different internal configurations determined by a change in the input set. Results about the internal electric configuration will be presented and discussed outlining their influence on the current tension characteristic curve. Considerations about the drift–diffusion and the generation–recombination balance distributions, outlined by the simulation, can be used to explain the correlation between the basic device output, the i-layer characteristics (thickness and DOS), the incident radiation intensity and photon energy. 相似文献
20.