微波合成CdS纳米颗粒的光致发光和光催化性能

本文用微波液相法成功合成分散均匀的纳米 CdS 颗粒,并采用 XRD 和 TEM 技术分别表征产品结构和形貌。作为光致发光(PL)材料,样品在300nm 波长激发下,出现波峰位于在602nm 的发射光谱。首次提出由于 CdS 半导体材料表面发生光腐蚀,即 Cd~(2 )离子吸收电子后,还原为单质Cd,并沉积在 CdS 固体表面,从而阻止光催化反应继续进行的新观点。     

有机掺杂体系中的Foerster能量传递及其在电致发光中的应用

给体的光致发光量子效率、受体的消光系数及给体的发射谱与受体的吸收光谱的重叠程度，这3个因素对给体与受体间的能量传递效率有重要影响，这对于扩大材料的选择范围，实现有机电致发光的全色显示有重要启示。研究发现在Alq3中掺杂DCM制得的器件很好地满足了这3个条件。本文从Foerster能量传递的3个影响因素出发，对Alq3／DCM、TPD／Alq3等不同掺杂体系的光致发光、电致发光特性和能量传递效率等进行了讨论。     

磁控溅射沉积的Ge/ZnO复合多层膜的光致发光特性研究

采用交替溅射Ge和ZnO靶的方法在Si(100)单晶基片上沉积了Ge/ZnO复合多层膜,并对其在空气中不同温度下进行了快速加热处理.在高温处理中部分Ge成分会被氧化转变成Ge的氧化物,XRD结果表明所制备的薄膜是由ZnO、Ge、GeO和GeO2多晶颗粒组成的复合薄膜,且随着温度的升高晶粒的尺寸加大,结晶度提高.光致发光谱的测量显示,经过高温处理过的Ge/ZnO复合多层膜可以在395nm左右发出强的紫光,随着温度的增加紫峰变尖锐且强度大大提高,并有590nm的黄发光峰出现.紫峰的增强是由于薄膜结晶度提高导致激子复合增加的结果,黄峰是由于Ge颗粒引起的局域态相关的跃迁而产生的.     

多孔硅发光的物理机制——纳米量子限制效应及表面态在发光中的作用

采用阳极氧化腐蚀的方法制备了多孔硅（ＰＳ），这种ＰＳ的微结构为纳米量级的，并具有光致发光特性，这无疑将对全硅光电子学的发展具有很大意义。根据大量实验与理论分析，提出了这种ＰＳ发光的物理机制：纳米量子限制效应和表面态及其物质在发光中的作用，从量子力学的薛定锷方程出发，用沟道势阱的近似模型，推导得到进入量子线的电子和空穴的能量势垒，ＰＳ的有效带宽Ｅ＝Ｅ＿０＋ΔＥ，对于Ｓｉ（Ｅ＿０＝１．１２ｅｖ）。完美地解释了目前在ＰＳ研究中的ＰＬ谱的篮移现象。     

Hg_（1－x）Cd_xTe的扫描光致发光研究

用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品，该方法可直接得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分的二维平面分布，并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布，以及晶体中非平衡载流子寿命的分布     

光致发光测定6H—SiC中的氮掺杂浓度

杂质和本征发光强度可反映出掺杂浓度。本文介绍了一种测量６Ｈ－ＳｉＣ中氮杂质的校准方法，该方法对于１０＾１４～１０＾１６ｃｍ＾－３浓度范围内的ｎ型掺杂都是有效的。并对光致发光实验过程中的激励强度，温度的影响以及与受主有关光谱的观测进行了研究。     

钛酸铋基陶瓷的光致变色及荧光调控行为研究

利用高温固相方法制备了 Pr掺杂的Bi4Ti3O12多功能陶瓷材料.研究结果表明:Pr离子的引入使得Bi4Ti3O12呈现典型的绿光(494 nmn)和红光(613 nm)发射.在407 nm的光辐照下,样品呈现出了由棕色到灰色的颜色转变,同时荧光发射的强度显著下降.当Pr的质量分数为0.015时,荧光变化率ΔR1分别为59.85％(494 nm)及66.83％(613 nm).在交替使用407 nm光辐照和200℃热刺激下实现了可逆的光致发光调控.     

含稀土多金属氧酸盐的杂化)自组装膜的制备和光学性质研究

用自组装方法构建含稀土多金属氧酸盐和聚丙烯胺的有机-无机杂化多层膜.用紫外可见光谱、原子力显微镜、X射线衍射等测试手段表征了膜的结构.计算了此杂化多层膜上分子的密度和独特的排列状态,以及分子在膜上逐层按比例的增长,用荧光光谱检测了自组装膜发光性能.指出在杂化自组装膜上,稀土的发光特性依然得到保持.     

紫外线对BaFCl：Eu光激励发光的增强效应

对X射线辐照后的BaFCl:Eu样品，通过研究紫外线辐照对光激励发光的影响，发现在一定条件下紫外线对光激励发光有增强的作用，并且根据光谱研究提出了光激励发光的过程为Eu^2 和陷阱争夺激发态电子的观点，从机理上对这一现象进行了解释。     

水溶性透明发光涂料的研制

采用聚乙烯醇基料、发光材料和甘油增塑剂等配制成水溶性透明发光涂料，具有装饰、夜间显示等特殊功能。确定了该涂料的最佳配方。讨论了各组分对涂膜性能的影响。