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《稀有金属》2003,27(4):451-451
美国绝缘硅 (SOI)晶圆技术开发商SiliconGenesisCorp .(SiGen)宣称已将单片光电器件集成到了称之为“NanoPhotonicSOI”的标准硅芯片工艺技术之中。该公司高级市场和销售总监LoriNye表示 ,SiGen已经获得了该技术的一揽子订单。Nye在一项声明中表示 :“SiGen开发这种新型衬底技术的原因是它可以与我们的核心层转移 (Layer transfer)能力相配合 ,具有在面向诸如下一代通信和计算的集成光处理应用领域中扮演关键角色的潜力”。他还表示 ,“SiGen与客户之间真诚合作 ,从而有能力实现一种全新的基础衬底 ,在光电子领域引发一场革命。我… 相似文献
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联栅晶体管(GAT)是一种介于双极型晶体管和结型场效应晶体管之间的电流控制型电力电子器件。本文介绍了GAT的结构、特点及其应用。 相似文献
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详细研究了高压偏移栅P沟MOSFET在Co^60-γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明:;击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外,γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅P沟MOSFET具有重要的指导作用。 相似文献
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采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构,设计并研制成功了60路CCD多路开关动态范围≥50dB,转移效率≥99.99%;非均匀性±5%;最小输入5mV;最大输入信号2V;输入积累时间134μs;串行移出时间2μs;输出幅度≥2V。文章阐述该器件的结构、工作原理、特点、用途、器件参数分析及影响器件因素和专项工艺研究。 相似文献
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介绍了采用工业控制机检测坑口电厂的直流系统绝缘电阻的原理与方法,即与直流母线注入 信号,然一一直流回路对地的泄漏电流。 相似文献