热辐射在倾斜通道热流场的作用

针对热辐射是通道内热流场的重要影响因素之一,采用实验和数值计算方法对倾斜角度为10°、20°和30°的两端开口通道内热流场进行了研究。使用基于大涡模拟(LES)求解浮力驱动N S方程的数值模拟方法求得的模拟结果和实验值吻合较好。通过使用耦合热辐射模型的数值计算结果和忽略热辐射的数值计算结果分别与实验结果进行对比分析的方法发现,在热源一定的条件下,对于倾斜角度在10°～30°之间的通道,热辐射使通道上部高温区域的温度降低,随着倾斜角度的增大,热辐射对通道低端开口上壁面附近的影响作用减弱,而倾斜角度对于热辐射在通道高端开口上壁面附近的作用则影响不大,同时,在通道倾斜角度为30°时,热辐射使通道内高温区域向高端开口方向倾斜,并使通道高端的下部温度升高。整个实验和计算结果可为倾斜通道内热流场的理论研究提供参考依据。     

石墨烯/壳聚糖修饰玻碳电极 测定水样中痕量铜离子

采用控制电位电解法,在玻碳电极((GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚糖(CS)修饰膜的电沉积,将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE在0.1 mol·L-1的HAc-NaAc电解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强...     

货架摆放量影响需求的库存管理

建立某些商品的需求与库存管理模型,从商品自身的销售弹性与替代品的销售弹性出发,设定摆放量充足时货架摆放量与需求量是指数函数关系;当摆放量小于一定量时,顾客的需求为一常数,并且允许顾客流失和延迟销售;在此基础上建立货架摆放量与需求量的模型.并通过解析解的情况,求出最优解.     

O2流量对O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响

研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面.     

论奥德姆的生态哲学思想

奥德姆生态哲学思想有三个基本方面,贯穿其中的是能量概念。一是从物质范式到能量范式的转化。二是以能量概念为前提,主张整体论的研究,同时有限承认还原论的地位。三是以能量范式和整体论为前提,主张人与自然相贯通的审视视野,并由此展开其应用生态学的思想。     

大体积混凝土入模温度的控制

<正>福建南平某工程属于二类高层住宅楼工程,地上19层,地下1层。地下室底板厚度不一,裙房部位为1.2m,主楼部位为2.0m。现场采用集中搅拌泵送浇筑混凝土,混凝土强度及抗渗等级为C35、P8,混凝土总量达3400m3,属大体积混凝土。本工程地下室底板浇筑时正值6月,控制好大体积混凝土施工过程中的温度裂缝是工程地下室底板施工的技术关键。     

超导薄膜临界磁场的非线性非局域效应研究

在处理薄膜中的超导现象的理论时,London理论、Pippard理论和GL理论都有其局限性,因为这些理论都不能完全解释超导电性的本质。根据对超导薄膜临界磁场普遍适用的公式,结合实验测得的超导薄膜临界磁场在理论上应该具有非线性、非局域性的特点;分析了影响超导电性的各种要素,得出了London理论、Pippard理论下修正后的临界磁场的表达式;分析了GL理论下波函数分别为球面波和正弦波时临界磁场分布情况。     

浅谈实验室大型仪器设备管理的实践与探索

为了加强高等农业院校实验室大型仪器设备的利用效率和管理水平,构建大型仪器设备网络化、现代化的管理模式,结合东北农业大学化学实验中心的实际情况,对实验室大型仪器设备的管理方法进行了深入的研究,为实验室大型仪器设备的科学管理提供了可靠的保障。     

数控新技术动向研究

对数控新技术动向进行了研究，内容包括国内外机床数控技术，数控编程技术研究方向及最新成果，可作为数控研究与加工人员开展工作的借鉴与参考。     

论现代性视域中红色资源的整合与转化

随着社会生活和人们思想观念的深刻变迁,主要形成于革命战争时期的红色资源在一定程度上面临着被边缘化的危险趋势。要扭转这一趋势,使红色资源在当代发挥其应有的社会文化功能,就必须在现代性视域中深入分析导致其边缘化的社会文化根源,并从而在此基础对其进行符合时代要求的整合与转化。与此同时,还须进一步明确红色资源的传承与弘扬主体,以发挥其重要的示范带头作用。