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液相芯片中功能性聚苯乙烯微球的合成及鉴定 总被引:1,自引:0,他引:1
采用分散聚合法合成了粒径可控、单分散的聚苯乙烯微球,考察了单体苯乙烯和引发剂偶氮二异丁腈的浓度以及稳定剂聚乙烯基吡咯烷酮的分子量对微球粒径的影响.采用后修饰法对合成的空白微球进行表面羧基功能性修饰,耦联单克隆抗体的免疫测试结果表明微球表面结合探针分子的能力达到国际同类产品水准. 相似文献
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发展经济学是研究发展中国家经济社会结构转换过程,经济发展趋势,结构变化内存规律和发展因素等内在关系的科学。本文试用发展经济学的研究方法,从加入WTO后,怎样提高新疆企业核心竞争力的视角入手,谈谈自已一些粗浅的认识。 相似文献
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中间件技术及其在分布式系统中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
王春明 《南通大学学报(自然科学版)》2006,5(1):71-73
文章介绍了中间件技术及消息中间件的概念,对SUN公司提出的JMS标准进行了分析,提出了一个基于JMS消息中间件的分布式应用方法. 相似文献
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利用CSSL群体研究水稻籼粳亚种间产量性状的杂种优势 总被引:9,自引:0,他引:9
利用以粳稻品种Asominori为背景, 籼稻品种IR24为供体的染色体片段置换系群体的63个株系, 构建了一套以广亲和粳稻品种02428为父本的杂种群体, 研究了IR24全基因组的染色体片段与02428基因组相应染色体片段间的产量及产量构成性状的杂种优势效应. 结果表明, 产量和产量构成性状的亚种间杂种优势水平在染色体片段上存在显著的差异, 图示基因型分析发现, 有14个独立的染色体区段在产量上存在显著的亚种间杂种优势, 分布在除Chr.8和 Chr.10外的其余10条染色体上, 其中在Chr.2, Chr.3, Chr.4, Chr.11和 Chr.12上的6个染色体区段的杂种优势显著水平达0.005以上, 分别位于X132~G1340~R459, X48~C393A, R288~R1854, R2918~X52, X257~C1350和R367~X189-2~X24-2的标记区间, 单片段置换后, 其CSSLs×02428组合F1单株产量比对照组合“Asominori×02428”增加35%以上. 大多数染色体片段在产量及主要产量构成性状上没有显著的杂合效应. 在Chr.6上发现一个杂种劣势片段, 与标记R2171连锁, 使杂种产量下降27%. 本文还探讨了应用染色体片段置换系研究作物杂种优势的优点, 并提出了利用水稻籼粳亚种间部分杂种优势和全基因组杂种优势的分子育种途径. 相似文献
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针对边远地区基层单位用电困难而风、光资源丰富的现状,提出了将风力发电技术、光伏发电技术、柴油发电机发电技术集为一体的风-光-柴互补供电系统.并结合甘肃省某地风-光-柴互补供电系统的应用实例,具体介绍了系统的设计与计算方法.实践表明,该供电系统是安全、可靠、切实可行的,是解决偏远地区基层单位日常用电问题的有效途径. 相似文献
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化学镀银过程硅表面催化性质对镀膜成核的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在单晶硅表面用化学镀的方法制备了纳米级的银催化晶籽层,利用开路电位时间曲线(OCP-T)的变化情况监测了硅表面银晶籽的生长过程.研究表明在有Ag 离子存在的溶液中加入HF后的瞬间,银晶籽即在硅表面形成,且在5 s内完全达到覆盖.用OCP-T对刻蚀硅片与银晶籽活化后的硅片在化学镀溶液中的成核情况进行了研究,并结合原子力显微镜与傅立叶红外反射对活化前后的表面经化学镀覆银的情况进行了对比,结果表明用银晶籽层活化的硅片表面具有良好的催化活性,在其上经化学镀银后所得到的薄膜表面平滑度高、致密性好. 相似文献
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实践教学是高职教育教学过程中的主要环节和特色部分,在高职人才培养过程中有着不可替代的作用.近几年来,我院不断强化、革新实践教学,使其在新的形势下更加科学、规范.作为一名高职院校的教师,笔者在简单分析实践教学的含义与内容的基础上,详细论述了如何改革与发展高职院校的实践教学. 相似文献
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嵌入式系统与以太网互连接口设计 总被引:4,自引:0,他引:4
王春明 《南京理工大学学报(自然科学版)》2002,(Z1)
该文介绍以太网控制器芯片RTL80 19AS的结构与应用编程技术 ,讨论利用RTL80 19AS将基于 80 5 1系列单片机嵌入式系统接入以太网的实现方法 ,对嵌入式系统的设计与应用具有参考意义 相似文献
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研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响。当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493v/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因。对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释。掺杂0.15mol%Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景。 相似文献