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31.
为了探索大蒜根系分泌物主要成分(邻苯二甲酸二丁酯、二烯丙基二硫和2,6-二叔丁基对甲酚)及其混合物对烟蚜(Myzus persicae)的忌避、毒杀作用及其解毒酶影响。采用叶碟法测定了3种成分及其混配对烟蚜的忌避、触杀活性影响,采用ELISA检测试剂盒测定了其对烟蚜解毒酶的影响。结果表明,邻苯二甲酸二丁酯、二烯丙基二硫单独使用,对烟蚜的忌避效果显著(P<0.05)。在12 h内,体积比为1∶10时,二烯丙基二硫和邻苯二甲酸二丁酯对烟蚜的忌避活性较高,其对烟蚜最高忌避率分别达到97.98%和87.50%;在48 h内,体积比为1∶10时,3种试剂单独使用,对烟蚜的触杀效果也显著(P<0.05),其校正死率都在92.2%以上。当3种试剂同时混配时,比试剂单独使用对烟蚜有更显著的忌避活性(P<0.05)和触杀活性(P<0.05),忌避率81.96%~94.84%,校正死亡率95.14%~98.60%。3种试剂对烟蚜的解毒酶活性为:乙酰胆碱酯酶>羧酸酯酶>谷胱甘肽S-转移酶。研究结果可为研制含有该混合物试剂控制烟蚜及其对烟蚜控制作用提供科学参考。  相似文献   
32.
当前我们正步入新时代、正面临新态势、正迈进新征程,人类社会国民经济、国计民生和国家安全等各领域系统的模式、技术和业态正在向数字化、网络化、云化、智能化的"智慧物联网"新模式、新技术和新业态发生重大变革.智慧物联网的发展迫切需要面向智慧物联网的新型嵌入式仿真技术,使智慧物联网能具备在线、持续的分析、认知、学习、决策、运行...  相似文献   
33.
34.
采用MBE系统,在GaAs(001)表面用S-K模式分别在原子级平坦的GaAs和AlGaAs/GaAs表面沉积3 ML的InAs量子点,利用STM研究了AlGaAs插入层对InAs/GaAs量子点尺寸分布的影响。研究发现,AlGaAs插入层会使InAs/GaAs量子点平均尺寸变小,而尺寸分布变得分散;采用不同的InAs沉积速率生长量子点,发现随着InAs沉积速率的加快,量子点平均尺寸变小,密度增大,尺寸分布更为集中。  相似文献   
35.
本文介绍了一种应用于航空发动机上的转子位置跟踪方法,即采用霍尔传感器完成压气机转子部件的位置跟踪.试验结果表明,传感器选择及安装方式可靠,输出信号稳定且具有较高的精度.该方法可推广应用到其它相关领域.  相似文献   
36.
知识产权价值评价体系由定性评价和定量评价指标构成。作为一类特殊的无形资产,知识产权的价值来源于其对企业的贡献。这种贡献有两各表现形式:一是对企业盈利的贡献,另一种是对企业战略发展的贡献。这两种不同的贡献形成了不同特点的知识产权价值,需采取不同的评价方法。目前国际上常用的无形资产评估方法收益现值法可以用来评价知识产权给企业带来的现金流,而知识产权战略价值的评价可以采用实物期权法。这两种评价方法相结合,形成完整的知识产权价值评价模型,可以应用于基于动态及静态知识产权价值评价的需要。  相似文献   
37.
为使YIG磁性薄膜应用到Si集成电路中,利用Sol-Gel技术晶化温度低的特点,结合快速热处理(RTP)工艺在Si基上制备了Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜.讨论了Sol-Gel工艺薄膜制备条件的优化,使用原子力显微镜(AFM),X射线衍射仪(XRD)和交变梯度磁强计(AGM)研究了RTP工艺对薄膜样品表面形貌、晶相结构及静态磁性能的影响.结果显示:Sol-Gel技术有效降低了薄膜晶化温度,RTP热处理工艺对Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜结晶温度、晶相结构没有影响,对表面形貌影响较大,从而使薄膜静态磁性能略有降低,但通过低温退火可有效改善RTP工艺对薄膜磁性能的影响.  相似文献   
38.
在医疗诊断中,稀疏采样能减少CT扫描过程中辐射对患者的伤害.但直接对稀疏采样后的投影数据进行重建,会使CT重建后的图像出现失真、伪影等问题.为保证低采样率下重建图像的质量,提出了双字典自适应学习算法,参照Sparse-Land模型的双字典学习框架,将K-SVD算法与双字典学习算法框架相结合得到补全投影数据,利用FBP算法进行重建得到高质量的重建图像.实验结果表明,在低采样率下使用所提方法进行CT重建的图像质量优于COMP双字典学习算法和MOD双字典学习算法,并且此方法有效提高了CT图像重建在低采样率时的性能.  相似文献   
39.
为解决由铁尾矿与沥青黏附性差导致的铁尾矿沥青混合料路用性能不佳问题,提出采用硅烷偶联剂进行改性的方法.首先,基于分子动力学方法,通过"化学接枝""叠加组合"方式构建沥青-硅烷偶联剂-铁尾矿三相界面体系,以模拟硅烷偶联剂的作用过程,并基于相互作用能优选硅烷偶联剂种类,验证其改性机理;然后设计铁尾矿沥青混合料,通过室内试验...  相似文献   
40.
以射频功率放大芯片为研究对象,分别进行了基于人体静电释放模式以及机器静电释放模式的静电放电测试。实验结果表明芯片对两种放电模式的耐压分别为+1750 V和+150 V,且均优先造成射频信号收发引脚端失效。这种失效机制与射频芯片的输入输出端功率耦合电阻承受的大电流密度有关。  相似文献   
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