基于小波包变换的图像消噪方法

小波包理论比小波分析更为复杂,但其分析手段更为灵活,具有更为精确的局部分析能力.对图像消噪是其一个最基本的应用.本文先讨论小波包的分解过程及算法,然后利用MATLAB中的函数wpdencmp对一含噪图像进行消噪处理.     

组合常数的物理意义探讨

详细阐述一些典型组合常数的物理意义和应用，对基本物理常数的组合和应用作了进一步的探计．提出一个联系于超大统一理论的组合常数。     

不同蠕变条件下耐热钢焊接件的空洞损伤演化

针对两种马氏体耐热钢焊接接头(F92/Co3W2和Co3W2/Co3W2)在105~250 MPa和873~948 K条件下开展蠕变拉伸测试,利用Larson-Miller参数法外推不同温度下焊接接头服役100 000 h寿命对应的蠕变断裂许用应力,研究其在不同蠕变条件下的空洞损伤规律. 随着外加应力的降低,两种焊件的断裂位置、断裂模式及断裂机制均发生了转变,从位于母材的穿晶塑性断裂变为细晶热影响区的沿晶脆性断裂(即Ⅳ型断裂). 针对断口区域的空洞损伤变化规律的研究表明：(1) 当断裂模式由塑性断裂转变为脆性断裂时,断口附近空洞会出现突变,塑形断口空洞“个头大数量少”而脆性断口空洞“个头小数量多”;(2) 在相同断裂模式下,随蠕变应力的减小,空洞按照“尺寸变大、数量密度增大及面积分数增大”的规律变化;(3) Ⅳ型断口处空洞存在合并链接现象,其方向与应力方向垂直.     

SZWP240-7/95锅炉爆管原因及对策

szwp型锅炉投入运行以来．先后发生过多起后拱管爆管事故，严重影响了锅炉的安全生产及运行。为此我们对这一问题进行了分析、论证，并且对该型锅炉进行了改造。     

三角形复合型二维光子晶体带隙分析

选用时域有限分方法(FDTD)分析光子晶体带隙结构.选择两种不同晶格常数的光子晶体构成复合型二维光子晶体.计算结果表明,这种复合型二维光子晶体的禁带宽度明显大于组合光子晶体禁带宽度,并通过改变复合光子晶体的介电常数实现其禁带向高频区或低频区移动.     

Abrasion Resistance Comparison between Rotor and Ring Spun Yarn

Ｔｈｅａｂｒａｓｉｏｎｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｏｆｙａｒｎｓｉｓｖｅｒｙｉｍｐｏｒｔａｎｔｆｏｒｔｈｅｄｏｗｎｓｔｒｅａｍｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇａｎｄｅｎｄ ｕｓｅ ;ｍａｎｙｒｅｓｅａｒｃｈｗｏｒｋｓｃｏｎ ｃｅｒｎｅｄａｂｏｕｔｔｈｉｓａｓｐｅｃｔｈａｖｅｂｅｅｎｄｏｎｅ[1～ 17] .Ａｌｔｈｏｕｇｈ ,ｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅｉｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ,ｔｈｅｂｅｈａｖｉｏｒｏｆｔｈｅａｂｒａｓｉｏｎｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｏｆｄｉｆｆｅｒｅｎｔｙａｒｎｓｉｓｄｉｆ…     

基本物理常数与计量基本单位

基本物理常数的发现和测量，不仅在物理学的发展中起到了很大的作用，而且在计量学的发展上也起到了重要的作用，设法把计量单位的定义与基本物理常数相联系，详细分析了长度单位、电压单位、电阻单位以及质量单位与基本物理常数的关系，由于基本物理常数是不会变化的，因此这样定义的计量单位极为稳定，不会随着时间而发生漂移。     

棉花良种包衣及拌种技术

<正>种子包衣技术是用于良种包衣,进行种子消 毒,防治苗期病虫害,促进种子萌发,实现一播全苗 壮苗早发,提高作物产量的常规技术,也是促进作物 良种化、标准化、商品化、产业化的重要标志之一。 因此,2003年,133团全面应用通过前五年小区试验 和大田示范中选出的具有包衣性能好,适宜我区棉 种包衣的配方剂型--26％多福甲枯悬浮种衣剂。 现将2003-2004年两年全面实施棉花良种包衣技 术应用效果及拌种技术总结如下:     

水合物分离二氧化碳气体的研究

气体水合物是在一定的温度和压力下由气体分子填充水分子产生的晶格而形成的一种笼形晶体.这种水结晶体具有高密度的特性使其成为诸多基于气体水合物应用技术的基础.利用气体水合物生成的原理,将空气中的二氧化碳分离出来,并以气体水合物的形式储存在海洋深处.对二氧化碳气体水合物的生成过程和表面活性剂的促进作用进行了实验研究.选取十二烷基硫酸钠(SDS)、十二烷基苯磺酸钠(SDBS)、对甲苯磺酸(p-TSA)三种表面活性剂进行了二氧化碳气体水合物生成的促进研究,确定了促进气体水合物生成的机理与途径.结果表明:三种表面活性剂在一定的程度上都能缩短气体水合物生成的诱导时间,提高了气体水合物的生成速率.     

等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究

等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择比的影响.结果表明:蚀刻率随HBr流量的增大而增大,压力和侧壁保护气体He_30%O2控制着整个蚀刻图形.