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51.
基于Maple的原根及本原多项式的计算   总被引:3,自引:0,他引:3  
在数论中,求解整数的原根和多项式的本原多项式是比较复杂的问题.本文应用Maple数学软件给出了求解它们的通用程序,大大的简化了此类问题的计算.例证表明Maple在计算原根和本原多项式的有效性.  相似文献   
52.
李杨 《科技资讯》2012,(33):235-235
培养独立学院大学生合作精神是社会发展的需要,是独立院校落实素质教育的重要举措,是独立学院大学生成才的内在需要,也是培养独立学院大学生集体主义精神的需要。本文分析了独立学院大学生合作精神的现状和缺失的原因,提出了如何利用学校主阵地对独立学院大学生进行合作精神和合作意识的培养,切实提高独立学院大学生合作精神的教育培养实效。  相似文献   
53.
三峡库区重庆城区段底泥重金属污染调查与分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
以三峡库区重庆主城区段水体底泥为研究对象,对其重金属污染特征进行调查研究与对比分析;结果表明:三峡库区重庆主城区段底泥重金属污染主要是长江段,嘉陵江段污染较轻微,主要污染元素为Cu,Pb、Zn,其含量与背景值相差不大,重金属污染程度综合排序为CuZnPb,各重金属含量都是在70~90 cm深度之间达到最大值,主要污染河段为珊瑚坝、磁器口和广阳坝河段;与前人研究的五大湖区的结论进行对比表明,由于Cu的浓度很高致使研究区域潜在生态危害指数R I高于五大湖。  相似文献   
54.
李杨 《上海信息化》2010,(10):42-43
随着《中国服务外包发展报告2009》和国务院69号文的出台,业界人士预测:中国的离岸外包政策有望延伸到金融后台、物联网、云计算等领域的相关外包企业,物联网、云计算外包企业的"国家队"有望登台亮相。那么,中国未来究竟能否成为全球IT服务外包的"世界工厂"?在当前态势下,国内服务外包企业发展又面临哪些发展瓶颈?  相似文献   
55.
本文提出的汽车远程诊断服务平台采用了基于OSGi的结构框架、B/S为主的开发模式,向汽车用户提供远程服务,响应汽车故障诊断请求,支持远程诊断功能和动态导航。该平台提高了汽车检修速度、降低了维修成本。  相似文献   
56.
双基地高频雷达一阶海杂波多普勒频移展宽效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过分析杂波单元上双基地角的变化,定量分析了双基地高频地波雷达一阶海杂波多普勒频移展宽效应,给出了展宽效应在雷达探测区域上的空间分布,分析了展宽效应的影响因素。同时分析了极限双基地角时的谱展宽效应和零频附近的一阶海杂波能量分布。分析表明,双基地杂波单元上的一阶海杂波Bragg峰多普勒频移是一个连续谱,因而在基线和发射机附近会形成雷达盲区。  相似文献   
57.
通过分析面向虚拟现实的水轮机系统, 运用分解碰撞包围盒方法, 解决了各种水工建筑物不同工况下常规碰撞的时间延迟问题. 运用多边形边界构造方法进行粒子边界运算, 实现了粒子系统与水工建筑物的碰撞, 得到逼真的水流反弹效果, 并对水轮机叶片采用曲面重构分解包围盒和粒子边界构造检测碰撞, 在运行速度和真实度
之间通过实验找到适合的平衡点, 实现了稳定的水轮机水下运行仿真效果.  相似文献   
58.
提及了面向战略性新兴产业的科技查新服务,阐述了科技查新工作在战略性新兴产业中的作用,探寻了适应战略性新兴产业信息的科技查新新思路,完善了科技查新服务,以便进一步提升战略性新兴产业自主创新能力和核心竞争力,促进重点产业的科学发展、加快高端突破.  相似文献   
59.
基于SRIO的FPGA间数据交互系统设计与应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
基于时分长期演进(time division long term evolution,TD-LTE)射频一致性测试系统中数据交互的分析研究,为了很好地满足现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)间的大容量数据交互,设计了一种高速的嵌入式技术串行高速输入输出口(serial rapid IO,SRIO),实现2块FPGA芯片间的互连,保证在TD-LTE系统中上行和下行数据处理的独立性和交互的便捷。基于Xilinx公司的Virtex-6系列XC6VLX475T芯片,给出了SRIO接口的整体性设计方案,经过ModelSim软件仿真,确定适合项目需要的数据交互的格式类型和事务类型,对接口代码进行综合、板级验证、联机调试等,在ChipScope软件上对比分析数据传输的正确性,通过测试模块统计比较发送和接收信号的误比特率,确定了SRIO接口在高速数据传输的稳定性和可靠性,成功验证了SRIO接口在FPGA之间数据的互连互通,并将该方案作为一种新的总线技术应用于TD-LTE射频一致性测试仪系统开发中。  相似文献   
60.
王文林  闫锋  李杨  陈涛 《科技信息》2013,(22):435-437
本文采用化学气相沉积(CVD)法在单晶硅衬底上沉积硅外延层,同时研究了沉积工艺对外延层电阻率和厚度的影响规律。研究发现采用H2气变流量吹扫后可以有效抑制非主动掺杂,提高外延层电阻率的均匀性;衬底表面气流边界层厚度会对外延层的沉积速率有显著的影响。通过对沉积工艺的控制可以得到电阻率和厚度均匀性良好的硅外延层。  相似文献   
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