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采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计,制作出样品,并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试。结果表明:1:2的膜片宽长比可以使SOI压力传感器的灵敏度达到220mV/MPa,远大于多晶硅压力传感器的灵敏度(约50mV/MPa)。此外,该传感器能够工作在200℃的高温环境中,有良好的长期稳定性,30d内的零点时间漂移为0.12%。 相似文献
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硅压阻式低压传感器研制 总被引:3,自引:0,他引:3
以各向异性腐蚀技术制造的矩形硅膜片为弹性敏感元件,研制了硅压阻式低压传感器。通过对矩形硅膜上应力分布的分析和计算,确定了力敏电阻的最佳位置和尺寸。压敏电阻全桥采用集成电路技术制作在2.5mm×5.5mm、厚35μm的矩形硅膜片上。在0~20kPa压力范围内,测得577μV/kPa·V的灵敏度,理论和实验结果有较好的一致性。 相似文献
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探讨错配修复基因hMSH2、hMLH1蛋自在唾液腺多形性腺瘤及癌在多形性腺瘤中的表达及意义。免疫组织化学SP法检测涎腺多形性腺瘤27例及癌在多形性腺瘤中蜡块标本22例,共49例标本hMSH2、hMLH1蛋白的表达情况。涎腺多形性腺瘤瘤旁正常组织、涎腺多形性腺瘤和癌在多形性腺瘤组织中hMSH2、hMLH1蛋白表达的阳、性率分别为28.57%和42.86%、96.3%和85.19%及90.91%和86.36%。hMSH2及hMLH1在涎腺多形性腺瘤和癌在多形性腺瘤组织中均表达上调。 相似文献
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张维新 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》1984,(1)
本文研究了在低浓度条件下,砷在硅中的氧化增强扩散。砷是利用离子注入枝术在<100>方向注入到P型硅片中,离子注入后的硅片在氧化和非氧化的条件下进行热处理,使砷的分布产生再扩散。用两种不同的方法对砷的扩散分布进行了测量,一种是SIMS(二次离子质谱);另一种测量方法是Van der Pauw Hall效应。两种测量方法得到的结果是一致的。扩散系数是利用ICECREM模拟程序语言计算的。实验结果证实,砷在硅中存在着氧化增强扩散,而且氧化增强扩散的大小与氧化速率有关,氧化速率愈高氧化增强扩散愈大。根据实验结果得到了氧化增强系数与氧化速率之间的数学关系式。 相似文献