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91.
目的突破电视使用的条件,降低能源消耗,方便地收听丰富的电视节目。方法分析了电视机伴音电路的工作原理,利用TDQ-3型全增补高频头、7680中放盒、LM386伴音功放集成电路和CD4022计数/分配器设计了一种45~870MHz全频道电视伴音接收机。结果给出了设计原理图和PCB图。调试表明,灵敏度高,选择性好,可以接收有线电视的全频道电视伴音和部分调频广播节目。结论扩展了电视技术的应用领域。 相似文献
92.
目的 对金刚石薄膜在改善电力电子器件热特性的应用进行初步的探索.方法 将金刚石薄膜用于电力电子器件(横向二极管)的热沉,建立横向二极管的导热模型,采用Microso:ft VisualBasie 6.0程序设计语言对导热模型进行计算机模拟仿真.结果 当金刚石薄膜的厚度达到约50μm以上时,所获得的散热效果较显著,但并不是随着金刚石薄膜厚度的增加,器件的温度随之线性降低,当h>100 pan以后,温度降低变缓.结论 金刚石薄膜作为电力电子器件的导热层能明显地降低器件的温升. 相似文献
93.
水稻株高QTL定位及精确性分析 总被引:2,自引:0,他引:2
分别应用具有127和131个标记位点的"广佳"(广陆矮4号×佳辐占)和"明佳"(明恢86×佳辐占)重组自交系群体,利用复合区间作图法(CIM)对水稻株高数量性状位点(QTL)进行检测和效应分析.为保证QTL定位精确性,采用排列试验法确定每一群体的LOD阀值.结果显示:排列测验法是一个十分有效的阀值推断统计方法,两个群体LOD阀值分别为2.8和2.7."广佳"群体共检测到5个加性QTL,位于第1、6、7、8和11染色体的5个区间,单位点贡献率在5.31%~48.35%之间;"明佳"群体共检测到4个加性QTL,位于第3、5、9和12染色体的4个区间,单位点贡献率在7.56%~11.50%之间.同时利用混合线性模型复合区间作图法(MCIM)在两群体各检测到1对上位性QTL.作者从实验设计和数据分析方面对QTL定位精确性进行了讨论,为今后数量性状遗传研究提供有益借鉴. 相似文献
94.
探讨和分析不同种类肝癌TACE治疗时栓塞剂种类及剂量的选择对治疗疗效的影响,探讨不同类型肝癌最佳的栓塞剂及组合和使用剂量。通过回顾TACE治疗81例各类型肝癌病例及相关文献,分析TACE治疗前后患者的临床表现、影像学资料及检验指标,探讨不同类型肝癌TACE治疗时栓塞剂种类及组合和使用剂量治疗疗效的影响。栓塞是TACE的重要环节,不同类型的肝癌应选择不同的栓塞剂、栓塞剂组合和栓塞剂量。不同类型的肝癌选择不同的栓塞剂、栓塞剂组合和栓塞剂量,可提高治疗疗效和患者的整体生存质量。 相似文献
95.
二次场算法是提高时域激电正演计算精度的有效方法之一,能很好处理场源奇异问题。研究工作首先通过引入Cole-Cole模型,推导了在此模型下复电阻率二次场满足的边值问题;并利用有限单元法进行数值计算。然后通过Guptasarma滤波算法,实现了频率域激电到时域激电的转换,改变了传统求解时域激电的方法。为了提高计算效率,首先对边界采取近似处理。经处理的刚度矩阵只与供电频率及波数有关,而与供电点位置无关。其次设计了基于图论理论的矩阵重排与填入元分析算法,实现了矩阵的LDLT分解,从而实现了基于二次场算法的时间域2.5维激电正演的快速算法。利用快速算法,计算并分析了视电阻率、视极化率异常特征;其次通过计算频散率异常特征,验证了极化率与频散率对异常体响应具有相似性。 相似文献
96.
97.
带圆角孔口的应力集中问题是一类典型的数理力学问题,它广泛应用于工程实践中,可惜以往在这方面的研究结果却为数很少。本文在H.N.穆斯海里什维里复应力函数理论及文献[2]的基础上,研究并分析计算了下列两类荷载作用下,六十种常用带圆角孔口的应力集中问题;提出了理论计算关系式。 (1) 无限域内带圆角孔口在三种均匀应力场内的应力集中; (2) 无限域内带圆角孔口在孔边界作用有均匀荷载时的应力集中。为了便于工程应用,文中详细介绍了理论计算过程,利用最后的普遍关系式通过电算实际计算了六十种孔口的应力集中,获得了十二万个计算数据,可为工程实际方便的应用。文中以廊道型孔口及几种不同的圆角孔口为范例,系统的阐明了理论计算方法的实际应用。文中所得成果与实验结果吻合较好。本文成果已经在军工民用等工程实践中获得了重要的应用[6]。 相似文献
98.
PRC_CW雷达地杂波分布特性模型分析 总被引:1,自引:1,他引:0
针对伪码调相连续波(PRC_CW)雷达的特殊性,指出在低俯视角情形时雷达回波信号存在展宽现象,提出了对码元回波幅度进行空间矢量叠加以得到PRC_CW雷达回波信号的方法。通过理论分析,指出PRC_CW雷达的概率密度分布趋近于瑞利分布,并用计算机模拟的方法进行了验证。 相似文献
99.
100.
回顾了石墨烯霍尔元件的现状,并展望了其应用前景.石墨烯霍尔元件能够充分发挥石墨烯材料迁移率高和单原子薄层等优势,规避其没有带隙或者小带隙的缺陷,其主要的性能包括灵敏度、线性度、分辨率、温度稳定性等都超过了基于传统半导体材料的霍尔元件,而且制备工艺简单,容易得到高性能的石墨烯磁敏传感器.基于化学气相沉积(CVD)生长并转移到绝缘基底上的石墨烯材料,批量制备出高质量性能均匀的石墨烯霍尔元件.通过低温的器件加工工艺,将石墨烯霍尔元件集成到硅基互补性金属氧化物半导体(CMOS)电路中,实现了高性能混合霍尔集成电路,展示了石墨烯霍尔元件与硅基CMOS集成电路良好的工艺兼容性. 相似文献