基于自适应神经模糊推理系统的非线性系统辨识与仿真

针对非线性系统的模糊性、不确定性等特点，将模糊推理系统和神经网络相结合，介绍了一种自适应神经模糊推理系统，并将其应用于非线性系统辨识中，仿真结果表明：训练后的ANFIS能够很好地逼近实际的非线性系统，并且辨识精度高。     

装配式轻钢楼盖受力性能试验研究与参数分析

为研究装配式轻钢楼盖的受力性能,文章通过对楼盖试件进行模拟竖向均布荷载作用的静载试验,分析了楼盖的竖向承载力、挠曲变形、应变规律和双向受力性能.研究结果表明:试验楼盖具有较高的承载力,按照2.5 kN/m2的恒荷载作为使用荷载来计算,开裂荷载是正常使用荷载的2.22倍,破坏荷载是正常使用荷载的3.63倍.在加载过程中楼...     

半直线上二阶三点边值问题正解的存在性

研究了如下半直线上二阶三点微分方程的边值问题,建立了特殊的锥,主要利用锥中的不动点定理得到了正解的存在性结果。{-x″=f(t,x),t∈J∈[0,+∞),x(0)=αx(η),x’(∞)=0。     

基于多层灰色关联度的知识联盟伙伴选择模型

针对企业在知识联盟伙伴选择过程中存在的主观性和盲目性问题,建立了基于多层次灰色关联度方法的知识联盟伙伴选择模型,构造了评价企业知识联盟潜在合作伙伴的指标体系,并对所提出的模型进行了例证分析．结果表明,该模型简单实用,能够使企业知识联盟伙伴选择的结果更具客观性和准确性,降低了企业在选择知识联盟的潜在合作伙伴时因主观、盲目而造成联盟伙伴选择不理想,从而最终导致知识联盟达不到预期效果或失败解体的风险．     

阿立哌唑与氯氮平治疗精神分裂症疗效与安全性对照研究

比较阿立哌唑与氯氮平治疗精神分裂症的临床疗效及安全性;按照CCMD-3诊断标准选择60例住院精神分裂症患者,并随机分为阿立哌唑组(30例)和氯氮平组(30例)分别进行治疗,疗程为8周,用阳性与阴性症状量表(PANSS) 评定疗效、采用副反应量表(TESS)副反应.结果两组治疗后PANSS评分均显著下降,两组间比较差异无显著性(p>0.05).不良反应发生率阿立哌唑组显著低于氯氮平组(p<0.05);阿立哌唑治疗精神分裂症疗效与氯氮平相仿,不良反应少,是一种安全有效的抗精神病药.     

面向需求的航天测控资源调度算法

针对如何调度测控资源以满足航天器的长期管理阶段测控需求的问题进行了研究。分析了长期管理阶段需求的特点及对调度过程的影响,建立了测控任务模型,给出了测控需求满足程度的计算方法。在此基础上,设计了面向需求的航天测控资源调度算法,能够较好地保证卫星的测控需求得到满足。通过仿真算例验证了所提算法的有效性。     

盐生杜氏藻和衣藻双结构域NAD+GPD基因的生物信息学分析

将盐生杜氏藻(Dunaliella salina)双结构域(SerB和GPD)3-磷酸甘油脱氢酶基因(NAD+-GPD)序列与莱茵衣藻全基因组进行比对,发现莱茵衣藻(Chlamydomonas reinhardtii)中也存在具有SerB和GPD结构域的NAD+-GPD基因序列.在对两个物种NAD+-GPD基因的基因结构、mRNA组成成分、编码蛋白及其理化性质和编码蛋白结构的分析中,发现二者具有较高的相似性.针对目前仅在盐藻和衣藻中发现含SerB和GPD结构域的NAD+-GPD基因这一现象,分别对SerB和GPD结构域同源基因的系统进化进行了分析.     

氧化镓基器件异质界面陷阱密度的提取方法

高性能的半导体功率器件依赖于金属/半导体、半导体/半导体或者半导体/绝缘体间的高质量界面的形成.本文报道了三种提取β-氧化镓(β-Ga₂O₃)基器件界面陷阱密度(Interface Trap Density, D_it)的方法,分别用于肖特基势垒二极管(SBD)、PN异质二极管和金属/氧化物/半导体电容(MOS Capacitor).利用对应频率下的电容-电压和电导-电压特性获得了Ni-SBD金半界面的陷阱密度.本文还引入了导纳谱(Admittance Spectroscopy, AS)分析NiO/β-Ga₂O₃PN二极管的界面陷阱密度.精确的高-低频电容法则用于MOS Capacitor的D_it测量.本文验证的界面态测量与提取方法为氧化镓器件界面处理提供量化手段,同时为获得高性能氧化镓器件指明方向.     

基于整流特性的RRAM无源交叉阵列研究进展

阻变存储器（resistance random access memory,RRAM）无源交叉阵列由于其结构简单、密度高、易3D集成等优点而得到广泛的关注,是RRAM实现高存储密度的一种极具应用前景的集成方案.但是无源交叉阵列中的串扰问题限制了其发展与应用.本文从阻变存储器的集成、无源交叉阵列中的串扰现象出发,综述了应用在无源交叉阵列中的1D1R结构（one diode one resistor）和具有自整流效应的1R结构（one resistor）,这2种结构在一定程度上都能够抑制串扰现象的出现,从而避免误读.与有源阵列相比,必须对无源交叉阵列发展一套行之有效的测试方法才能够正确地评估其性能并实现商业应用,综述了当前无源交叉阵列常用的操作电压配置方案.最后,展望了RRAM无源交叉阵列的应用前景.     

正态型位置参数Bayes估计中基于P值的验前分布可信度建模

基于Bayes方法完成对战技指标的分析,首要和关键的问题是选择合理可信的验前分布.以正态分布位置参数的Bayes分析为研究对象,构建了基于P值的验前可信度计算模型.首先,对验前分布可信度研究的基本假设和必要性进行了阐述.然后,对于正态分布的位置参数,分为方差未知和已知两种情况,分别建立了基于t分布的验前P值计算模型,和基于正态分布的验前P值计算模型,并给出了不同验前可信度取值范围下验前分布的选择与判断准则.其次,对于正态分布的变形,构建了基于非中心t分布的验前P值计算模型,和基于正态分布的验前P值计算模型.通过四个示例对验前分布P值模型的构建和分析过程进行了阐述,验证了方法的有效性.