高功率微波对杂质半导体材料的透射计算

主要研究了HPM脉冲直接辐照半导体材料情形，给出了平面电磁波垂直入射到一维杂质半导体材料并透射进入其内部时，透射系数的计算方法并分析并计算了HPM脉冲从杂质半导体表面上透射进入内部的电场值，电流密度。     

一维PN结二极管模拟程序mPND1D

在高功率瞬态源激励下 ,半导体器件的行为可由一组由电子连续性方程、空穴连续性方程和泊松方程等组成的耦合、非线性、刚性偏微分方程来描述。绝大部分的器件模拟程序只适合于器件正常工作模拟。从研究器件的烧毁机理出发 ,自行研制了一套计算机模拟程序mPND1D ,并全面介绍了一这程序。     

高功率微波激励下二极管失效和烧毁与载流子寿命的关系

利用自行编制的半导体器件一维模拟程序mP ND1D ,通过对二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性偏微分方程组进行数值求解 ,计算了二极管在高功率微波激励下失效和烧毁时吸收的能量及所需时间与器件载流子寿命的关系     

P-N结器件模拟参数的确定

在给出半导体器件模拟基本方程的基础上,为减少模拟过程中的运算量,对模拟中所需的参数在何种状况下才开始起作用加以讨论。如载流子的雪崩系数,只有当电场强度达到某一值时才会考虑由于碰撞电离而引起的电子和空穴的产生,即载流子的雪崩系数,从而影响载流子的产生率。同时还给出了载流子的复合率、迁移率、本征载流子浓度、能带宽度、热传导系数随电场或温度的变化规律。     

硅二极管I-V特性及二次击穿计算

利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。     

半导体器件模拟中的时间拓展

利用计算机进行半导体器件模拟时，最大限制是所需CPU时间特别长。对此，提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法，可在满足精度（10％）的范围内将计算时间缩短45％以上。     

半导体器体一维模拟的耦合,非耦合及“混合”算法

文献（１）的继续,对文献中得出的差分方程组进行数值计算,讨论耦合,非耦合及混合算法,并给出计算结果。     

硅二极管I—V特性及二次击穿计算

利用时域有限差分方法，求解了一维半导体器件内总裁 流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准，而不是通常认为的以电子电离率为准的结论，并构造了一种准确，快捷地计算半导体器件反偏Ｉ－Ｖ特性曲线的方法。     

运动媒质中电磁波的相速和群速

利用不同惯性系之间电磁波传播矢量的相对论变换，推导了电磁波在运动媒质中的传播的相速和群速，并讨论了它们之间的联系和区别。     

半导体器件模拟中掺杂浓度的处理

讨论了半导体器件模拟计算中的掺杂浓度处理方法,比较了Ｆｏｒｔｒａｎ与Ｍａｔｌａｂ两种计算,指出利用Ｍａｔｌａｂ可以避免复杂繁琐的编程,而且调整极为方便。