NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

高氧化态（Ⅱ─Ⅳ）三核金属簇合物构型的人工神经网络判别方法

本文运用一典型的人工神经网络模型─“反向传播”模型，对高氧化态（Ⅱ─Ⅳ）三核金属簇合物的构型分布进行了分析，得到了较好的分类、预报结果为化合物结构分析提供了新的工具。     

Magnetization and rotation of MTG HTSC ring in magnetic field

The magnetization of a melt-texture growth (MTG) HTSC ring has been studied. It is shown that the magnetic field inside the ring is larger than the external field under a certain range of external magnetic fields. We have also investigated the magnetic field dependence of the response of a detective coil near a rotating superconducting ring. The responses of the MTG sample are different for different cooling methods.     

醇镁还原法一步制取对氯苯胺的研究

醇镁还原法一步制取对氯苯胺是一种新的方法 ,研究发现最佳反应温度为 80℃～ 85℃ ,反应时间为4h ,对氯硝基苯与镁粉的用量 (物质的量比 )为 1∶3,产率为 80 %。     

SAAB雷达与PROVOX系统的通讯

介绍了SAAB雷达液位计和SAAB雷达系统与上位系统的通讯接口FSC以及PROVOX系统的智能设备接口卡 (IDI)等的基本内容 ,并对SAAB雷达液位计与PROVOX系统通讯的硬件连接和PROVOX系统中关于IDI卡的组态方法进行说明     

C/O能谱测井数据预处理的两点改进意见

简单介绍了碳氧比测井的原理及通常的数据处理方法。分析了由常规数据处理所得曲线仍然存在的问题及可能的成因 ,并给出了可行的修正办法。讨论了另一种可行的曲线异常数据的检测、剔除方法。实践表明 :文章讨论的两点建议都是可行的 ,并且在提高测量曲线质量的同时也提高了地层含油饱和度的解释精度。     

崭新的城市正在孕育之中

当成千上万的农民远离穷困的村落,视而不见地掠过小城镇,径奔大城市寻梦或淘金,一个显见的事实是,大城市里有更多的就业机会,有更多的钱赚——从生存的角度看,只要条件具备,没有谁不愿意趋利避害。 站在政府的角度,秩序则是重要的。任何政府都担心刑事案件随着它的城市人口的暴涨而剧增,而且,这还不是惟一的,因为与“月黑风高夜,杀人放火天”的刑事案件相伴的至少还有贫民窟。杀人、放火、贫民窟等等一系列大城市综合症,恰恰是西方国家城市化道路的“遗产”,是发展中国家快速城市化的特产。     

A concise process technology for 3-D suspended radio frequency micro-inductors on silicon substrate

In this letter, a concise process technology is proposed for the first time to enable the fabrication of good quality three-dimensional (3-D) suspended radio frequency (RF) micro-inductors on bulk silicon, without utilizing the lithography process on sidewall and trench-bottom patterning. Samples were fabricated to demonstrate the applicability of the proposed process technology.     

液晶显示驱动电路中Fibonacci型电荷泵单元

本文中所设计的电荷泵将用于手机液晶显示驱动模块中.通过对Fibonacci型电荷泵上升时间的估算,对减小上升时间和动态功耗进行折中考虑,本文提出优化开关频率的方法.用1.2μm CMOS双阱工艺参数对所设计的电荷泵进行模拟,结果表明这个电荷泵具有较快的上升速度和较高的效率.通过提高V_GS电平和保证开关管的衬底始终接在最高电位上,文中提出了一种新型Fibonacci电荷泵,它可以正常工作在从1.2V到5V变化的多种电源电压下.