大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究

采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiC MESFET.优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗.优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性.四胞器件在脉宽为300 μs、占空比为10%脉冲测试时,2 GHz Vds=50 V脉冲输出功率为129 W(51.1 dBm),线性增益为13.0 dB,功率附加效率为31.4%.     

高性能SiC整流二极管研究

在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。     

买小送大，惊喜乐翻天 锐腾（RATTAN）启动“五一·送高清大奖”特别活动

又是一年“五一”时．高清线材来当家！2010年4月19日至2010年5月5日,全球3C配件领导厂商美国锐腾（RATTAN）公司联手搜狐网共同启动“五一·锐腾（RATTAN）买小送大惊喜乐翻天”活动。活动期间,只要买任何一款锐腾的产品,就可参加“高清液晶电视,XBOX．HTPC,蓝光DVD”等高清产品的抽奖。     

世界最大的卡尔黑坝防渗墙

卡尔黑(Karkheh)坝防渗墙面积190 000 m2,是世界上最大的塑性混凝土防渗墙。根据扩大防渗墙的新建议,其面积将增加到约350 000 m2。简述了防渗墙的设计、施工和性能。     

罗德洛基钢铁公司6号板坯连铸机特点及实践

由奥钢联工程技术公司提供纷芬兰思德洛基钢铁公司的一台新单流板坯连铸机于１９９７年１２月５日在拉赫厂投产。 定项目和目前正在改造的另台连铸机，构成了以逐步取代三台前苏联在６０年代末期提供的立式连铸机为内容的现代化改造规律的主体。     

德于尔岑Ⅱ号船闸液压钢结构

德国于尔岑镇附近正在修一座新船闸。以进一步增大易北河－－塞腾运 航运能力。船闸采用一种特殊的水池节水。阐述该船闸的液压钢结构情况。     

赞比西河流域水库实施环境适应性管理

为保障电力供应，赞比西河流域已开发了几个大型水电项目。尽管发电效益已经实现，但是在水电站运行管理方面还存在很大的优化空间。介绍了实施水资源综合管理的研究成果，即非洲大坝研究项目，重点关注水电项目如何适应环境的需求。     

栅长为83-nm的毫米波低噪声InP基PHEMTs的研制

本文设计并实现了一种83-nm T型栅的InP基In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）。该器件的总栅宽为2×30μm,展现了良好的DC直流、RF射频以及低噪声特性,包括最大饱和电流密度Idss和最大有效跨导gm,max分别为894mA/mm和1640mS/mm。基于1~110 GHz全频段在片测试的S参数外推获得的最大截止频率ft和最大振荡频率fmax分别为247GHz和392GHz。测得的器件拐点（稳定因子k=1）频率为102GHz,因此,基于拐点外推获得的fmax更加准确。采用冷源法完成器件的在片噪声参数的测试,测得的最小噪声系数NFmin在30GHz时为1dB,相关增益Gass为14.5dB。这些良好结果的获得是由于沟道层中InAs摩尔组分的增加,沟道层厚度的减小,栅长的缩短以及寄生效应的减小。这些优良的特性使得该器件非常适合于毫米波频段低噪声单片集成电路的应用。     

SiC材料的ICP-RIE浅槽刻蚀工艺

介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化规律。最终得到了用于SiC器件浅槽刻蚀的最优刻蚀条件。实验结果表明,RIE功率和ICP最优功率配比分别为12和500 W。该刻蚀条件应用于SiC MESFET制备中,进行了多凹槽栅结构的浅槽刻蚀,实现了多凹槽栅结构。不同深度栅凹槽的片内均匀性均达到了4%以内,片间均匀性也达到了5%,工艺稳定性及均匀性均达到了批量生产要求。     

浮选柱应用领域不断扩大

浮选柱一直是新建选矿厂所选择的设备，而发展趋势是向直径更大、应用领域更宽的方向发展。