集成电路引线的电阻、电流和电位

讨论集成电路内引线的设计.在一定电压下,利用Maple数学软件包为0.2μm长度的光滑内引线绘制了宽度为0.1μm时电阻和电流与不同高度的关系.内引线指定与集成电路AD8622的发射极相连接,因此流过此内引线的电流为Isr=0.350mA.于是确定了0.2μm长度的光滑内引线的两端电压降为0.2mV.当内引线长度为n×0.2μm时,两端电压降为n×0.2mV.本文提出,当引线中流过电流I(/mA)时,不同引线长度L(μm)、宽度W(μm)、和高度h(μm)引线两端所应加的设计电压的一个普适的简式:AU=0.2×I×0.1×L×0.061/(0.35W×0.2h) (mV).同L时要求引线长度方向上△U/L在几mV/μm数量级以下.当引线中有气泡时,在此电压下,讨论了气泡的半径对其电阻、电流的影响.获得了引线中的电流分布,并指出在引线中气泡的最大突起半径外缘电流表现出拥挤和气泡的半径对全引线电阻的影响.所提供的有关数据可用于集成电路内引线的设计.     

PLC在中药机械中的应用

介绍中药行业中制取颗粒冲剂的简单工艺要求，以及沸腾干燥设备中ＰＬＣ控制系统的硬件组成及软件设计。     

基于改进粒子群优化算法的互信息图像配准

为了实现快速精确的图像配准,提出了基于改进粒子群优化算法的互信息图像配准方法,以互信息作为图像配准的相似性测度,使用改进的PSO算法来求解配准所需的空间变换参数.改进的粒子群算法引入组织的概念把整个种群划分为多个子群体共同进化,并引入变异运算减少算法陷入局部最优.把改进的粒子群优化算法应用到医学图像配准领域上来,实验结...     

Dislocation of Cz-sapphire substrate for GaN growth by chemical etching method

The diameter of Czochralski （Cz） sapphire crystals is 50 ram. The sapphire substrates were lapped by using diamond powders and polished by chemical mechanical polishing（CMP） method using alkali slurry with SiO2 abrasive. After obtaining the smooth surfaces, the chemical-etching experiments were processed by using fused KOH and NaOH etchants at different temperature for different times. The dislocation was observed by means of optical microscope and scanning electron microscope. The clear and stable contrast images of sample etching pits were observed. On the whole, the dislocation density is about 104-105 cm^-2. Comparing the results under the conditions of different etchants, temperatures and times during the etching proceeding, it was found that the optimal condition for dislocation displaying is etching 15 min with fused KOH at 290 ℃. At the same time, the formation of the etch pits and the reducing method of dislocation density were also discussed.     

微小型静电泵的设计(1)

介绍了微小型静电泵工作原理,分析了上腔充压的静电泵阀腔的形状与结构、所加激励电压、可动薄膜面积与厚度对泵的压力、流量、受力和变形的影响,提出了一套完整的数据图标和表格,例如激励敏感膜片的绕度及相应鼓起的体积、膜上所承担压力及其所受的径向应力与泵的半径和膜厚的关系图、表,以便选用.     

PLC在中药机械中的应用

介绍中药行业中制取颗粒冲剂的简单工艺要求 ,以及沸腾干燥器设备中PLC控制系统的硬件组成及软件设计     

一种基于改进PSO和FCM的图像分割算法

在模糊C-均值聚类算法的基础上,提出了基于改进粒子群和模糊C-均值聚类的混合图像分割算法.该算法利用改进粒子群算法优化模糊C-均值的目标函数,同时引入聚类有效性指标,通过迭代更新搜索到合理的分割类别数和聚类中心实现自动确定图像分割最佳类别数,并根据最佳类别数确定最优聚类中心的选取,最终实现图像的自适应分割.实验结果表明...     

利用原子力显微镜观测气敏薄膜的平整度

介绍原子力显微镜功能、原理和结构,用于检测原子之间的接触来呈现样品的表面形貌特性,如粗糙度、起伏不平整度等,提供三维表面图像。常用的是激光反射检测系统,由探针、激光发生器和光检测器组成。探针是由悬臂和悬臂末端的针尖组成,悬臂是由Si或Si3N4经光刻技术用MEMS技术加工而成。当在样品表面扫描的探针引起悬臂梁弯曲时,产生应力。再由压电陶瓷能将十几分之一纳米到几微米的位移而导致的应力信号转换成1mV~1000V的电信号,以代表样品表面的不平整度。同时简单介绍了利用原子力显微镜观察不同退火温度对制备的气敏传感器薄膜表面晶粒度的影响,以及不同腐蚀液抛光硅片的效果。     

微小型静电泵的设计(3)

分别详细介绍了微型泵、大流量泵和串接双泵的设计原理及方法,给出了不同状态下参数计算的详细步骤,并绘制出系列图和表格直接应用于微型泵、大流量泵及串接双泵设计.另外还讨论了用不锈钢代替钛作为激励膜的处理方案,描述了串接双泵抽液和出液状态,并阐述了串接双泵的提压原理.因为静电泵的上腔高度明显影响泵膜的抽压力,所以本设计的意义在于如何给上腔充压,泵膜将向下鼓起,可防止碰壁短路现象.特别是膜鼓起量比较大的大容量泵.全文阐述的理论和提供的图、表为微型泵、大流量泵和串接双泵的参数设计提供了实际数据,为静电泵设计者提供示例,以作比较参考.     

掺TiO2的SnO2丙酮气敏元件的制作及其灵敏度测试

简单介绍了掺TiO2的SnO2薄膜丙酮气敏元件的制作,重点分析不同的掺杂溅射镀膜时间、不同加热电压对灵敏度的影响.对不同有机蒸气进行选择性测试,发现掺TiO2的SnO2薄膜气体传感器对丙酮有很高的灵敏度,而且输出信号与丙酮气体浓度成正比,浓度低至100ppm也可检测试出来.测定了元件的工作温度与加热电压的关系,发现加热电压为6～7V,相当于元件的工作温度为250～300℃时,对不同气体的灵敏度都很高.