Boost变换器分叉序列的仿真与理论分析

为了揭示DC-DC开关功率变换器运行状态失稳过程中的规律,研究了电流模式控制的Boost变换器分叉序列.首先,对基于电流模式控制的Boost变换器的状态方程,利用龙格一库塔(Runge-Kutta)算法进行了仿真,取每个时钟脉冲时刻的电路状态变量构成庞加莱截面,画出了在参考电流变化方向上的分叉图.然后,利用离散映射迭代法推导出了电流模式控制的Boost变换器分叉序列中各分叉点的值.最后,对理论推导出的值与仿真结果进行了对比.研究结果表明,理论值与仿真结果比较吻合,这为变换器的稳定设计提供了理论依据.     

移相控制全桥零电压开关变换器中的非线性现象研究

本文详细分析了移相控制全桥零电压开关变换器的电路结构及运行模式,并指出移相控制全桥零电压开关变换器与Buck变换器的拓扑等价性。既然传统的电压模式控制Buck变换器中存在分叉与混沌等非线性现象,那么移相控制全桥零电压开关变换器中也必然存在相应的各种非线性现象。仿真结果证实了这一推断。     

红外小目标检测跟踪系统设计

从图像处理方法的角度对红外图像中小目标的检测、跟踪进行了研究,给出了系统总体设计框图,整个检测算法的前端图像滤波预处理采用FPGA实现,识别跟踪采用DSP实现。详细介绍了系统各功能模块的设计方法。实验表明该系统实现了小目标检测跟踪的功能,工作稳定可靠。     

CTM俘获层材料选取的模拟研究

电荷陷阱存储器(CTM)由于其分离式电荷存储原理,可以使存储器件尺寸持续小尺寸化,理论上解决了传统浮栅存储器小尺寸化瓶颈的限制。基于第一性原理,从理论上对CTM材料及相关结构进行了模拟计算,采用Material Studio软件包,对多种电荷俘获材料进行改性,引入陷阱,并对其能带、状态密度、缺陷态密度等方面展开模拟研究。为CTM实验提供了非常有效的理论依据与方法,从该角度出发研究存储器是一个全新的视角,提出可以通过陷阱态密度曲线的部分积分来确定CTM的存储窗口等衡量指标。     

摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性

采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的亚阈值特性,即正则摄动法.由于在纳米MOSFETs中,常用的耗尽近似和页面电荷模型(charge-sheet model)不再适用,导致泊松方程由线性变成非线性形式.利用正则摄动法求解非线性泊松方程可以得到纳米MOSFETs亚阈值电流和亚阈值摆幅指数依赖外加偏压的解析表达式.通过与二维器件模拟软件MEDICI模拟结果比较,证明了该方法及结果的有效性.     

基于OrCAD/PSpice10.5的电子电路仿真

本文介绍利用OrCAD/PSpice10.5实现电子电路仿真的方法,并以具体电子电路为例,阐述了OrCAD/PSpice10.5在电子电路中的应用,为电子电路的设计和开发提供一个新的平台。     

巧用黑盒法逆推百度中文分词算法

为了更好地利用中文搜索引擎系统,需要了解搜索引擎的一些关键性技术。笔者选择了国内知名度最高的搜索引擎系统百度作为研究对象。介绍了几种常用的中文分词算法以及中文分词在搜索引擎中的作用,并在此基础上采用黑盒的方法推导出百度的中文分词算法——正向最大匹配分词算法。该算法是最常见的一种中文分词算法,比较符合人的思维习惯。了解了搜索引擎的分词算法有益于搜索词设置的优化以及搜索引擎系统的研究和改进。     

高温CMOS集成电路闩锁效应分析

本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件的尺寸和在芯片上分布情况,我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式:大尺寸MOST的寄生双极晶体管是长基区,基区输运因子起主要作用;VLSI和ULSI中MOST的寄生双极晶体管是短基区,发射效率起主要作用.但是他们的维持电流都与温度是负指数幂关系.文章给出了这两种模式下的维持电流与温度关系,公式在25℃至300℃之间能与实验结果符合.     

异质栅MOSFET热载流子效应的研究

异质栅MOSFET器件的栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,能够提高载流子输运速度、抑制阈值电压漂移等.文中比较了异质栅MOSFET和常规MOSFET的热载流子退化特性.通过使用器件数值模拟软件MEDICI,对能有效监测热载流子效应的参数,例如电场、衬底电流和栅电流等参数进行仿真.将仿真结果与常规MOSFET对比,从抑制热载流子效应方面验证了新结构器件的高性能.     

基于摄动法研究短沟道SOI MOSFET亚阈值特性

提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计及不可动的电离杂质,而且需要考虑自由载流子的数量和分布的影响.利用摄动法求解非线性泊松方程可以得到短沟道SOI MOSFETs二维的表面势解析模型.通过与二维数值模拟器MEDICI模拟结果比较,证明了在亚阈区改进模型所得的结果比只计及不可动的电离杂质的SOI MOSFETs模型所得的结果吻合更好.