Threshold control in VCSELs by proton implanted depth

The proton implantation is one of key procedures to confine the current diffusion in vertical cavity surface emitting lasers(VCSELs),in which the proton implanted depth and profile are main parameters.Threshold characteristics of VCSELs with various proton implanted depths are studied after optical,electrical and thermal fields have been simulated self-consistently in three dimensions.It is found that for VCSELs with confinement radius of 2 mm,increasing proton implanted depth can reduce the injected curren...     

基于RBF网络的智能气敏传感器温度补偿

研制出一种基于ARM7的智能气敏传感器,通过测量气敏薄膜的电阻,并将所测阻值和气体浓度进行校准,从而显示气体浓度。为了减小温度漂移带来的附加误差,提高传感器的测量精度,将气敏传感器所测量的电阻值与加热电压作为神经网络的输入,气体浓度值为输出,构造了一个双输入单输出的RBF神经网络温度补偿模型。采用RBF网络的带遗忘因子的梯度下降算法进行RBF网络的参数调整,实验表明RBF算法学习速度快,精度高。对实验中采集的数据进行非线性补偿后,误差保持在1.5%以内,大大提高了传感器的性能和测量精度,该装置能够很好地对环境中的气体进行监控。     

GaN基HEMT器件的优化设计北大核心CSCD

针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。     

超宽带谐波混频器的设计

叙述了一种超宽带谐波混频器的原理、设计以及测试结果。该混频器主要由微带线巴伦、倍频器、单平衡混频器三部分组成。按中心频率为4.5 GHz设计出微带线巴伦结构,平衡端口输出相位差180°,具有尺寸小、损耗低、幅度相位一致性好等优点;采用AEROFLEX公司的MSPD2018型相位检波器作为混频器,该混频器采用阶跃恢复二极管倍频器与单平衡混频器并联结构,先倍频n次谐波后再与信号进行混频;传输线为四分之一波长线以提高端口间隔离度;利用微波电路仿真软件ADS对混频器进行基波和谐波分析。测试结果表明,在3～25 GHz的频率范围内,本振至中频的隔离度优于66 dB,其变频损耗的实测结果满足设计要求,在现有的宽带混频器中具有较好性能。