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21.
该文通过嵌入式WinCE系统,使用C++编程语言,在Visual Studio 2008环境中开发了码垛机器人垛型生成和编辑界面。该系统通过离线编程,根据产品的实际尺寸,以及系统相关设定参数,创建码垛数据。本系统能够设计的码垛数据,不仅能够实现每次规则抓取的袋子和箱子类产品;还能实现每次不规则抓取的产品尺寸和数量。本码垛工具的设计原则,采用基于终端客户的思想,即可视化编辑界面、即见即所得的产品布局,最大程度地减轻客户产品码垛类型设计负担,提高了客户可应用性和生产效率。  相似文献   
22.
根据码垛任务特点,采用基于混联结构的四自由度码垛机器人设计;优化连杆参数,简化混联结构机器人的运动学求解,采用D—H法,获取机械手末端在三维空间的位置坐标的理论值;采用4个拉线式绝对编码器,2个平行布置的连杆,以及数据采集处理器,基于编码器信息,根据运动几何关系求解,获取机械手末端在三维空间位置的实际值;通过对比理论值与实际值,得到机器人的终端位置误差检测。  相似文献   
23.
采用反射式MoS_2可饱和吸收体在Tm:Lu_3Al_5O_(12)激光器中实现了被动调Q锁模(QML)运转。以可调谐掺钛蓝宝石激光器为抽运源,结合低阈值腔设计,选用透射率为3%的输出镜获得525 mW的出光阈值。当吸收抽运功率达到1743 mW时,激光器处于稳定的被动调Q锁模运行状态。当最大抽运功率达到3.1 W时,激光器被动调Q锁模输出功率为306 mW,斜效率为14.3%,中心波长为2023 nm,对应的锁模脉冲序列的重复频率为106.4 MHz,最大的单脉冲能量为2.88 nJ,调制深度接近100%。结果表明,反射式MoS_2可饱和吸收体在2 μm波段激光锁模中具有良好的应用前景。  相似文献   
24.
以两个65 W的793 nm激光二极管(LD)作为泵浦源,采用U型谐振腔结构进行高功率声光调Q运转实验研究。采用三种b轴切割的板条状镀金Tm∶YAP晶体作为增益介质,分析比较三种增益介质和不同腔参数组合对激光输出性能的影响。当最大泵浦功率为130 W时,连续激光输出的最大功率为42.5 W,斜率效率为42.5%。经过声光(AO)调制后,当重复频率为10 kHz时,调Q激光的最大平均输出功率为33.2 W,脉冲宽度为200 ns。将重复频率提高至40 kHz时,获得最短脉冲宽度为64 ns,相应平均功率为30 W,中心波长为1944 nm的激光输出。采用MATLAB软件仿真输出脉冲激光光斑的三维能量分布,光斑能量呈典型的高斯分布,可见光束质量较好。高功率Tm∶YAP激光器可作为3~5μm中红外光学参量振荡器的泵浦源,在众多领域具有良好的应用前景和巨大的发展潜力。  相似文献   
25.
为了适应码垛机器人特殊的系统配置需求和运行操作需求,基于WinCE平台在Visual Studio 2008环境中使用C++编程语言开发了码垛机器人专用操作界面。专门设计了码垛工艺配置界面以及在线运行环境,可以用来指定产品和托盘尺寸,配置现场布局,用户自定义垛型。设计了专用配方数据块管理系统,以及设计了画面跳转的逻辑关系架构。该人机界面的设计采用了面向对象思想,最大程度地复用画面元素,精简代码容量,提高了画面生成及擦除效率。针对不同的使用者,设计了权限设置和用户管理系统,方便面向不同用户的操作权限。  相似文献   
26.
针对数控实习中设备短缺和指导老师人手不足等问题,通过利用仿真练习和录像观摩等手段,以及激励优秀学生充当"辅导"、建立互教互学机制等方法,为学生提供了有效帮助,使实习进程由被动转为主动,获得良好效果,为实习类教学提供了有益的借鉴。  相似文献   
27.
双极晶体管的Early电压给器件,电路模拟带来了方便。事实表明,MOSFET也有类似的Early电压。从电流连续条件出发,通过引入新的夹断概念,可以得到MOSFET Early电压的解析式。结果表明,Early电压不是常数,而与器件结构和工作条件有关。关于MOSFET Early电压的已有结论,均可由本研究通过简化得出。进一步的分析表明,用该Early电压及其相关参数描述的饱和区特性与实验结果符合良好。  相似文献   
28.
我们用斜坡电流电压(I-Y)测量方法分析了n~+型无定形淀积多晶硅上热生长SiO_2的传导和击穿特性。结果表明,和在体硅上生长的SiO_2相比,在多晶硅上生长的氧化层(多晶氧化层)的绝缘特性要差一些,这可直接归因于由氧化引起的界面粗糙化——这种界面粗糙化导致了氧化层电场的局域增强。例如,我们在测量中发现,167(?)厚多晶氧化层的击穿电场E_(BD)大约为9.5MV/cm,Fowler—Noodheim隧道效应的有效势垒高度φBeff高达2.78eV,这表明,该厚度的多晶氧化层的性质与体SiO_2是接近的。但是,E_(BD)和φBeff都随着多晶氧化层厚度D_(ox)的增大而逐渐减小。当厚度为165(?)时,E_(BD)近似为2.5MV/cm,而φBeff下降到只有0.83eV。随着D_(ox)的增大,我们发现测出的I-V曲线与外加电压极性的关系越来越密切,这是因为多晶硅/硅界面的氧化诱生界面粗糙化程度比氧化层/多晶硅界面严重,由于Fowler-Noodheim电子注入效应,多层晶硅/硅界面的“导电能力”要高于氧化层/多晶硅界面。 某些器件应用领域要求多晶氧化层具有一定的导电能力,能够通过较大的电流密度而不失效。为此,人们开发了一种多晶硅纹理化方法,对于随后形成的薄多晶氧化物,采用这种方法可减小φBeff,增大击穿电流I_(BD),并可消除I-V曲线对外加偏压极性的依赖关系。该工艺  相似文献   
29.
在Matlab环境中设计和实现了沃迪装备TPR混联码垛机器人的跨领域的仿真.仿真设计内容包括人机交互界面(HMI)包括控制器参数调试专用界面(CPTI)、状态机、轨迹生成器、控制器以及从Solidworks中导出的机器人本体模型,并且包括对这些功能模块的集成,信道的建立和对数据信号的操作显示和处理.交互界面方便人机交互和控制器参数的调试;状态机的设计依据是机器人工作状态跳转的内部逻辑;轨迹生成器解算和生成了各轴的轨迹的时间序列点;控制器的设计使用了PID算法,但位置环和速度环是并行结构关系而非内外环结构关系;机器人机械本体CAD模型在Solidworks中建立,然后导入到Matlab中,经过调整后与其他系统相集成.仿真系统的构建将为后续更优的轨迹算法设计和更优的控制器算法设计提供一个很好的仿真和验证平台.  相似文献   
30.
利用垂直生长法制备的氧化石墨烯(GO)作为可饱和吸收体,结合特殊设计的低阈值谐振腔,在Tm,Ho…LiLuF_4全固态激光器中实现了低阈值被动调Q锁模运转。出光阈值功率低至73mW,稳定锁模阈值功率为663mW,对应GO可饱和吸收体上功率密度为76.4μJ·cm~(-2)。典型的调Q脉冲包络重复频率为104.2kHz,脉宽约为30μs,包络下锁模脉冲序列的重复频率为178.6 MHz,调制深度接近100%。  相似文献   
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