电位滴定法测定普通混凝土用砂中的氯离子含量

JGJ 52—2006《普通混凝土用砂、石质量及检验方法标准》规定了砂中氯离子含量的检测方法,通过铬酸钾指示剂溶液,用硝酸银标准滴定溶液滴定至溶液呈砖红色,然后通过消耗硝酸银标准滴定溶液的体积得出砂中氯离子含量,该方法虽操作简单,但不足之处在于以下方面：（1）铬酸钾中的铬为六价态,六价铬毒性较强,具有致癌作用;（2）废液污染环境和地下水;（3）不易判断滴定终点,且当砂中的氯离子含量较高时（如Cl->0.050%）,会出现滴定时间较长,影响工作效率。本文对电位滴定法测定普通混凝土用砂中的氯离子含量进行了研究,并与铬酸钾指示剂滴定法的数据进行对比,表明电位滴定法测量结果准确,可作为混凝土企业日常检测的代替法,同时也能对企业起到指导实践的作用。     

电位滴定法测定普通混凝土用砂中的氯离子含量

JGJ 52—2006《普通混凝土用砂、石质量及检验方法标准》规定了砂中氯离子含量的检测方法,通过铬酸钾指示剂溶液,用硝酸银标准滴定溶液滴定至溶液呈砖红色,然后通过消耗硝酸银标准滴定溶液的体积得出砂中氯离子含量,该方法虽操作简单,但不足之处在于以下方面：（1）铬酸钾中的铬为六价态,六价铬毒性较强,具有致癌作用;（2）废液污染环境和地下水;（3）不易判断滴定终点,且当砂中的氯离子含量较高时（如Cl->0.050%）,会出现滴定时间较长,影响工作效率。本文对电位滴定法测定普通混凝土用砂中的氯离子含量进行了研究,并与铬酸钾指示剂滴定法的数据进行对比,表明电位滴定法测量结果准确,可作为混凝土企业日常检测的代替法,同时也能对企业起到指导实践的作用。     

生料辊压机终粉磨系统处理难磨和高水分物料的实践

介绍了辽宁山水工源水泥有限公司的生料辊压机终粉磨改造项目的工艺流程、系统优化和系统改造前后的产量及电耗对比。探索了生料辊压机终粉磨系统在处理难磨和高水分物料时遇到的问题,通过采取一系列的优化改造措施后,达到了提产降耗的目标。     

半焦-烟煤混燃特性及动力学分析

掺烧烟煤是解决低挥发分热解半焦着火难、燃尽差的一种有效方法。采用热重实验研究了半焦、无烟煤与烟煤混燃特性的差别,分析了混燃过程中的交互作用和反应动力学。结果表明:陕煤半焦的燃烧过程分为可燃质的燃烧和CaCO_3的分解两个阶段。半焦-烟煤混烧的主失重峰靠近燃料比接近的单燃料的DTG峰。半焦-烟煤混合燃料较无烟煤-烟煤混合燃料的综合燃烧特性更优。掺混烟煤比例越高,混燃的表观活化能越低,可燃性和综合燃烧特性越好。烟煤与半焦或无烟煤混燃过程中存在一定的交互作用,且无烟煤-烟煤的交互作用较半焦-烟煤更显著。可燃性指数和综合燃烧指数与燃料比呈负线性相关性,表观活化能E与燃料比呈正线性相关性。     

生物高分子纳米复合材料在食品包装中的应用

简述了聚合物纳米复合材料的制备及表征方法,主要论述了纳米填料对可降解生物高分子性能尤其是阻隔性的影响。指出了改善纳米填料的分散程度以及与聚合物的相容性是材料开发的关键,如何制备具有高性价比的功能性降解包装材料(如抗菌性)并满足相关法规要求,将会成为新的发展方向之一。     

a—SiNx：H薄膜对a—Si：H TFT阈值电压的影响

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。     

4H-SiC纳米薄膜的晶化研究

采用新电极结构的PECVD技术，在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下，在SiO2玻璃表面形成双等离子流，增加了SiO2表面SiC的成核几率，增强成核作用，形成纳米晶。采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键时，由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用，产生自组织生长，发生晶化。Raman光谱和透射电子衍射（EM）的测试结果表明，纳米晶SiC是4H-SiC多型结构。实验结果指出，SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核，并且其晶化存在一个功率密度阈值；当低于这一功率密度阈值时，晶化消失；当超过这一阈值时，纳米晶含量随功率密度的提高而增加，晶粒尺寸加大。电子显微照片表明晶粒尺寸为10-28nm，形状为微柱体。随着晶化作用的加强，电导率增加，导电机理是渗流作用所致。     

微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究

为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜电阻率的测试 ,分析了多晶硅薄膜的电学特性。