铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜

为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温（＜６００℃）制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点．本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法．在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜,并光刻形成铝膜图形,而后于氮气保护中退火．利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法,研究了Ａｌ诱导下非晶硅薄膜的晶化过程,结果表明;在５６０℃退火６ｈ后;铝膜下的非晶硅已完全晶化,确定了所制备的是多晶硅薄膜．初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理．     

实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺

根据多晶硅薄膜氢化的微观机理,提出改进氢化效果的工艺方法,在不增加设备投资的情况下,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果,从而提高薄膜晶体管的性能,ＩＯＮ／ＩＯＦＦ从１０＾３量级,氢化工艺的处理时间也相应缩短。     

焊缝超声波探伤中缺陷性质的评估

通过对超声波探伤中典型缺陷及其反射波特征和缺陷波形的分析,结合缺陷的位置和焊接工艺,给出了焊缝超声波探伤中缺陷的定性评估方法。     

多晶硅薄膜的等离子氢化新工艺

根据多晶硅薄膜氢化的微观机理,提出改进氢化效果的工艺方法。在不增加设备投资的情况下,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果,从而提高薄膜晶体管的性能,ＩＯＮ／ＩＯＦＦ从１０＾３量级增加到１０＾５量级,氢化工艺的处理时间也相应缩短。     

煤层瓦斯含量控制因素指标体系的构建

煤层瓦斯含量是进行矿井瓦斯防治和瓦斯资源评估的主要依据,对它的准确定位必须建立在弄清其控制因素的基础上。综合考虑了煤层瓦斯含量各方面的影响因素,从煤储层地质特征、煤储层物性特征、煤层瓦斯封盖特性3个方面进行分析。利用层次分析法将指标体系按照集中度分为目标层、约束层、准则层,构建出煤层瓦斯含量控制因素评价指标体系的多层次分析结构模型,并以焦坪矿区为例进行了验证。     

基于Linux的PC集群搭建及其性能分析

本文介绍了PC集群的基本概念和基于Linux环境搭建PC集群的方法,通过在搭建的实验集群上运行经典的N-body并行计算程序,对实验集群的多机并行计算和单机串行计算性能进行了对比,实验结果表明PC集群并行计算相对于单机计算的性能提示非常可观。     

安川变频器成功地应用于纺丝机卷绕

安川变频器成功地应用于纺丝机卷绕浙江湖州丝厂ＶＣ４０６型纺丝机上的卷绕横动装置，共装有２４台ＳＥＰ５６３４交流异步电动，电机铭牌为６０Ｗ、０．６８Ａ、１１０Ｈｚ、１００Ｖ，由ＪＢＰＦ—１型可控硅变频器集中供电实现纺丝机卷绕头的横动变速。由于原变频电源...     

螺旋埋弧预精焊钢管取样问题的探讨

介绍了螺旋埋弧预精焊生产工艺流程及其焊接速度快、操作简单、焊接质量稳定、生产效率高等特点.针对采用此方法生产钢管在进行组批理化取样和焊缝性能不合格复取样时存在的问题,通过对现行标准和存在问题的分析,提出了新的取样方法,即预焊时确定某熔炼批及相邻两根钢管为一组,在同台精焊机组连续焊接,同时保证各精焊机组平均分配取样钢管.     

煤基炭材料脱灰技术研究进展

介绍了脱灰技术的背景和意义,简述了脱灰工艺的分类及原理,着重于超纯煤制备工艺(包括物理法、化学法、物理化学法及微生物脱硫法)的阐述,并对相关工艺技术的研究现状及进展进行了总结,分析了当前脱灰技术发展存在的限制,最后根据国内外脱灰技术的研究现状,对超纯煤基超容炭制备技术今后的发展方向进行了展望。目前,煤基活性炭脱灰工艺普遍存在高生产成本、低后续处理能力等问题。超纯煤制备方面,物理法具有工艺简单、成本低、对煤质影响小的优点,但细磨耗能大,需要改善磨矿工艺,同时配合良好的脱水技术。为克服成本高、工艺复杂、污染大等缺点,需要寻求条件温和、简单的化学处理方法。目前已有一些物理化学法取得了良好的脱矿效果,未来应加强物理法和化学法结合制备超纯煤方面的研究。微生物脱硫法可同时去除无机硫和有机硫,但脱硫周期长,未来应不断寻找高效、经济的新型脱硫菌种,研制更有效的微生物选矿药剂,以提高脱硫效率。大部分脱灰工艺都存在废水、废液后续处理问题,应提高相关处理能力,并发展药剂回收技术以提高经济效益。     

多晶硅薄膜的新型激光晶化制备方法

采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸为 1.1μm,比用传统单步晶化制备的薄膜晶粒尺寸大 ,表明该方法对扩大晶粒尺寸很有效。拉曼光谱分析表明 0 .30 J/ cm2晶化的薄膜结晶程度已很高