A 4 MHz Lamé mode microresonator-based oscil lator

A 4.13 MHz reference oscillator incor p orating a capacitive single-crystal-silicon(SCS) micromechanical resonator is prese nted.The microresonator is fabricated using a cavity-silicon-on-insulator(c avity-SOI) process and is excited in the Lamé mode with electrostatic driving and capacitive sensing.The Lamé mode may be described as a squ are plate that is contracting along one axis in the fabrication plane,while sim ultaneously extending along an orthogonal axis in the same plane.The microreson ator exhibits a quality factor as high as 1.4×106 and a resonant frequency of 4.13 MHz at a pressure of \{0.08 mbar.\} The output spectrum of the oscillator show s that the silicon micromechanical resonator is adapted as a timing element for a precision oscillator.     

不同来源胶体蓄电池用气相SiO2的比较

采用X射线衍射光谱法(XRD)、红外光谱、粘度实验和交流阻抗等方法对国产和德国进口气相SiO2进行了研究,结果表明胶体蓄电池电解质选用比表面为200 m2/g的气相SiO2优于300 m2/g的,SiO2含量最好小于15%(质量分数),其中含量为6%时较8%佳,在3 600 r/min下合适的分散时间为1～1.5 h左右.国产和进口的SiO2硅羟基类型、颗粒的晶型基本相同.相同型号的气相SiO2,进口比国产的表面活性更高、凝胶能力更强,在不加添加剂的情况下配制的胶体电解质,其强度和电导率更高,但电荷转移电阻比国产的更大.     

一种具有"8悬臂梁-质量块"结构的新型硅微加速度计

提出了一种具有"8悬臂梁-质量块"结构的新型三明治式硅微机械电容式加速度计,用微机械加工工艺在(111)硅片上制作出了具有信号输出的器件.该加速度计的惯性质量块由同一(111)硅片上下表面对称分布的8根悬臂梁支撑.这些悬臂梁是利用(111)硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀特性结合深反应离子刻蚀(DRIE)实现的,其尺度精确可控,保证了结构的对称性.该加速度计的谐振频率为2.08kHz,品质因子Q为21.4,灵敏度为93.7mV/g.     

阵列波导光栅插入损耗的降低

阵列波导光栅（AWG Arrayed Waveguide Grating）是实现多通道密集波分复用（DWDM Dense Wavelength Division Multiplexing)光网络的理想器件,插入损耗是它的一个重要性能指标。本文介绍了多种减小AWG插入损耗的方法,并在此基础上,分析了如何使用楔形波导结构来降低模式失配所导致的耦合损耗。这种方法可以在不增加器件制作难度的同时大大降低AWG的插入损耗,并且适用于各种材料和结构的AWG器件设计。     

基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺

研究了基于绝缘材料上的硅（SOI）材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺．利用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）技术，在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面．氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度（RMS）有3nm的改善，达到7.27nm（采样面积6.2μm×26μm）．通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使1×4分波器的器件尺寸仅为20mm×2.5mm．测试结果表明器件实现了分波功能．     

一种新结构的硅基无源环形波导式谐振腔

提出了一种新结构的光学环形谐振腔。该谐振腔由四根直波导和四个拐弯角处集成的全反射镜围成一个方形环构成，这种结构免去了以前的波导式环形谐振腔中必需包含的弯曲波导。设计了谐振腔的输入和输出结构，并通过计算机辅助设计软件对该设计进行了优化。     

原位接枝改性纳米二氧化硅/聚丙烯复合材料Ⅰ:结构表征

以熔融原位接枝的方式, 制得聚丙烯酸丁酯( PBA) 接枝改性纳米SiO₂ / 聚丙烯复合材料, 并利用转矩流变、红外光谱、热重分析、X射线光电子能谱、透射电镜和动态力学分析等技术研究了原位接枝的机理以及相应复合材料的结构。结果表明: 熔融共混过程中PBA 通过化学键的形式接枝到纳米SiO₂ 的表面, 促使其在聚丙烯基体中得到较好的分散, 而且粒子表面的接枝聚合物分子链和基体大分子链相互缠结, 这样的结构加强了纳米粒子和基体间界面相互作用, 将有利于提高复合材料的机械性能。      

一种电容间隙精确可控的高对称加速度传感器

提出了一种高对称电容式微加速度传感器,该传感器为硅四层键合三明治结构,在完成传感器整体结构制作的同时,实现了圆片级真空封装。利用多次氧化的方法,既精确控制了加速度传感器的初始电容间距,又实现了限位凸点的制作。该加速度传感器的谐振频率为657Hz,品质因子为198,灵敏度为0.59V/g。     

气相二氧化硅在胶体蓄电池中的应用

气相二氧化硅具有比表面积大、纯度高,良好的触变性能等特性。主要了介绍气相二氧化硅在胶体蓄电池中的应用。     

一种简单的控制二氧化钒M相热滞回线宽度的方法研究

本文以VO₂(A)纳米线为前驱体和模板进行退火处理,制备出竹状VO₂(M)纳米线。采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等方法对其外部形貌、内部结构以及热致相变特性进行了系统性研究。微观表征发现所制备的VO₂(M)纳米线由晶粒自组装而成,且内部具有独特的多孔结构。进一步在0.18 L/min、0.25 L/min、0.5 L/min和1 L/min的氮气流速下对VO₂(A)纳米线进行退火处理,发现随着氮气流速的增加,构成纳米线的晶粒尺寸减小,纳米线内部气孔的数量逐渐减少。实验结果表明氮气流速可能是影响VO₂(M)纳米线形貌和微观结构的重要原因。最后,对上述方法制备的M相VO₂的热致相变特性进行了测试,结果显示VO₂(M)纳米线的热滞回线的宽度可通过氮气流速调节,实现1～3℃的宽度变化。