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71.
对大型火力发电厂中送粉管道的联合吊架拉杆进行了研究与设计。在设计中,提出采用位移法对联合吊架拉杆进行应力计算和选型,并将位移法计算结果与传统静力矩平衡法计算结果进行对比。通过对比确认,采用位移法进行送粉管道联合吊架拉杆的设计,可以在保证送粉管道运行可靠性的同时节省成本。  相似文献   
72.
为研究大豆脑磷脂对汉麻分离蛋白Pickering乳液性质的影响,本文通过改变大豆脑磷脂添加量考察不同大豆脑磷脂添加量(10%、20%、30%、40%)对汉麻分离蛋白Pickering乳液乳化活性指数、微观结构、乳滴粒径、Zeta电位、流变学特性及贮藏稳定性的影响,初步探究大豆脑磷脂的添加对汉麻分离蛋白Pickering乳液稳定机制的影响。结果表明:在汉麻分离蛋白Pickering乳液体系中加入大豆脑磷脂后,其乳液稳定性有所提高;在大豆脑磷脂添加量为30%时,得到的Pickering乳液各项指标最佳,乳液的乳化活性指数为4.63 m2?g,乳液的分散指数为0.23;乳滴粒径为125 nm,Zeta电位值为?27.12 mV;乳液的表观黏度较小且无明显乳液聚结现象发生,并在贮藏7 d后未出现油析现象,乳液稳定性好。该研究为汉麻分离蛋白Pickering乳液稳定性提高及大豆脑磷脂的应用领域拓宽提供了理论基础。  相似文献   
73.
曾光  王伟奇  王源 《机床与液压》2019,47(16):75-78
对公司30 t挖掘机发动机和主泵的工作特性进行分析,运用模糊控制系统理论建立控制过程模型,对动力系统进行节能优化功率匹配设计。在该挖掘机上进行对比验证,观察挖掘机内泵压力和外泵压力的变化,表明采用新型节能优化功率匹配系统在主泵比例电磁阀电流调节上更加快速和稳定,内泵压力和外泵压力跟随负载变化更加迅速和稳定;进行多次动臂动作测试分析,工作装置动作更加迅速,整体油耗有所降低。结果表明,新功率匹配系统达到公司要求的各项性能指标。  相似文献   
74.
本文通过南水北调安阳段混凝土外观从源头,过程,拉丝孔封堵及缺陷修复,后期养护,渠道混凝土外观等方面入手,在确保建筑物及渠道内在质量的前提下,探讨了外观控制的方法,并在工程建设中得以实践,取得了提高外观质量的成果。  相似文献   
75.
光纤布拉格光栅传感器用于测量结构的应变时,需与被测基体相粘黏,使其与基体协调变形,故胶粘剂的选取对其测量结果有直接的影响。针对此问题,本文对表面粘贴式应变传递模型进行了改进,建立了更为合理的模型,并通过理论分析出了影响应变传递率的主要因素,得到了其传递率随胶体剪切模量的增大而增大的结论。通过控制变量法,用480胶、AB胶、401胶、环氧树脂、3311胶这五种不同胶粘剂,将聚酰亚胺光纤光栅粘贴于等强度梁表面进行对比实验,得到了相应的应变传递率,其结果与理论模型计算值相比误差在5%左右,为表面粘贴式光纤光栅测量应变的工程应用提供了重要的参考。  相似文献   
76.
报告了一个基于形式语言的语法分析方法,对用DELAGES描述语言描述的族性结构文字描述部分进行分析。分析结果以语法树形式存放,以方便下一步的检索或匹配。由于使用了语法分析,程序可以报告文字描述可能存在的错误并指出错误的位置。  相似文献   
77.
发展生态林业对我国具有重要的意义,本文在基于对林业可持续发展概念的分析上,对如何维持我国生态林业的可持续发展提出了相应的策略,为更好的促进林业建设做出一定贡献。  相似文献   
78.
提出了一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环.由于环路带宽可根据输入频率进行自动调节,电路性能可在整个工作频率范围内得到优化.为了进一步提高电路的抖动特性,在电荷泵电路中采用匹配技术,并在压控振荡器中应用电压-电压转换电路以减小压控振荡器的增益.芯片采用SMIC 0.35μm CMOS工艺加工.测试结果表明该锁相环电路可在200MHz~1.1GHz的输出频率范围内保持良好的抖动性能.  相似文献   
79.
在摩尔定律的推动下,工艺节点在不断演进,集成电路设计复杂度也在不断增加,电子设计自动化(EDA)技术面临着来自运行时间与计算资源等诸多方面的挑战。为了缓解这些挑战,机器学习方法已被纳入EDA工具的设计流程中。与此同时,鉴于电路网表作为图形数据的本质,图神经网络(GNN)在EDA流程中的应用正变得越来越普遍,为复杂问题的建模以及最优问题的求解带来了新思路。该文首先对GNN与EDA技术的概念内涵进行了简要的概述,详细地梳理了GNN在高层次综合(HLS)、逻辑综合、布图规划与布局、布线、反向工程、硬件木马检测以及测试点插入等不同EDA设计流程中的主要作用,以及当前基于GNN的EDA技术的一些重要探索。以希望为集成电路设计自动化以及相关领域的研究人员提供参考,为我国先进集成电路产业的发展提供技术支持。  相似文献   
80.
俞波  王源  贾嵩  张钢刚 《半导体学报》2009,30(7):075001-3
This paper presents a novel mixed-voltage I/O buffer without an extra dual-oxide CMOS process.This mixed-voltage I/O buffer with a simplified circuit scheme can overcome the problems of leakage current and gateoxide reliability that the conventional CMOS I/O buffer has.The design is realized in a 0.13-μm CMOS process and the simulation results show a good performance increased by ~34% with respect to the product of power consumption and speed.  相似文献   
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