高温超导薄膜χ-T 曲线虚拟仪器测试系统

采用基于 Labview 的虚拟仪器技术, 设计完成了一套高温超导薄膜χ-T 曲线虚拟仪器测试系统, 通过 IEEE488 总线对数字锁相放大器、电流源和电压表的控制, 利用超导薄膜在超导态时完全抗磁性的 Meissner 效应, 测量超导样品的超导电性, 测量精度高, 速度快, 测试界面直观、友好.     

TD200文本显示器在钢筋调直切断机上的应用

本文介绍了文本显示器TD200在钢筋调直切断机上的应用,简化了操作面板,使操作更为直观。通过TD200组态以及PLC控制程序对调直切断机进行控制,构成一个高效的经济型数控机电一体化装置。     

基于分数阶滤波器的三相锁相环技术

采用复数滤波器(CCF)研究电网同步锁相技术是目前比较流行的方法。为进一步提高锁相环(PLL)的动态性能,利用分数阶控制可以改善系统动态品质这一特性,提出一种将CCF-PLL改为分数阶滤波器(FOF)的PLL算法。设计的前级多重FOF结构会在电网基波正负序(FPC/FNC)及各次谐波处产生谐振尖峰,通过闭环控制,可以精确分离出FPC、FNC和谐波,从而使后级的同步旋转坐标系PLL提取出纯净的频率、相位等信息。为分析所提PLL的动态特性,推导了其线性化数学模型,并在此基础上对系统进行设计,确定其相关参数。研究发现,在相同开环截止频率下,提出的PLL比CCF-PLL具备更优异的动态性能。最后,通过Matlab/Simulink仿真和相关实验验证了该PLL的正确性和良好的动态品质。     

三相光伏故障穿越控制策略研究

在电网发生故障时,根据故障穿越要求,需保持光伏并网逆变器不脱网运行。为使逆变器顺利穿越故障,需注入无功功率支撑并网点电压,同时限制电流,防止电流过大造成故障穿越失败。提出一种新的故障穿越技术,通过调节参数,可灵活控制电流正负序分量。以消除有功波动为例,在有功、无功功率同时注入情况下对所提控制策略进行详细介绍,它提升了并网点电压,限制了并网电流。仿真和实验结果验证了该方法有效。     

基于小波调制的异步电机变频控制技术

在此设计实现一种基于小波调制(WM)的逆变器控制技术,并将其应用于三相异步电机的变频控制。该WM技术首先将逆变器调制过程模拟为一个非均匀采样与重构的过程,而后采用组合Haar小波结合多分辨分析(MRA)理论对这一过程进行实现。实验结果表明,与传统正弦脉宽调制(SPWM)逆变器相比,这种WM方法可将逆变器输出的集中分布的谐波相对均匀分散到一个较宽的频带范围内,并有效减小离散谐波峰值;此外,与传统异步电机SPWM变频控制效果相比,基于WM的异步电机变频控制也体现了定子电流谐波低、变频过程调整时间短及转速调节平滑等特点。     

基于带不平衡度非线性正反馈的负序电流扰动孤岛检测方法

孤岛检测是并网逆变器必须具备的功能,其基本要求是在电网规定的时间内无盲区的检测到孤岛状态,同时要尽量降低对电能质量的影响。负序电流扰动法因其能够实现快速有效的孤岛检测而备受关注。针对带不平衡度线性正反馈的负序电流扰动法在电网电压不平衡度存在波动时会对并网电流的对称性造成较大影响的缺陷,提出一种更少注入负序电流的孤岛检测方案——带不平衡度非线性正反馈的负序电流扰动法。该算法所选的反馈函数值大于孤岛发生后形成正反馈的临界值,且在电网电压允许的最大不平衡度下小于限定值,因此既能保证成功检测到孤岛,又能使得并网电流的不平衡度得到定量限制。理论分析、仿真和实验结果验证了该方法的正确性和可行性。     

高温超导体R-T曲线虚拟仪器测试系统

本文采用基于Labview的虚拟仪器技术。设计完成了一套高温超导体R-T曲线虚拟仪器测试系统，通过IEEE488总线对电流源和纳伏表的控制．利用超导体在超导态时的零电阻特性，测量超导样品的超导电性．测量精度高，速度快，测试界面直观、友好。     

单片机与多个DSP主从式非标串行通讯

以单片机与多个数字信号处理器（DSP）为研究对象，设计了一种主从式非标串行通讯，说明了数据通讯的协议以及通讯的实现，介绍了主单片机以及各从机DSP通讯软件的设计，给出了这种通讯应用的一个实例。     

斜切基片上c-取向YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的生长特性及开裂行为

用脉冲激光沉积方法在斜切SrTiO3 (0 0 1)基片上制备了YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,并用原子力显微镜、X射线衍射仪及透射电镜研究了薄膜表面形貌、取向特征、结晶性和显微结构。结果表明 ,薄膜表面呈“台阶 台面”结构 ,并伴有与台阶边缘垂直的裂纹产生 ,说明薄膜以“台阶流动”方式生长 ;而且薄膜具有c 轴取向 ,但其结晶性不好。在薄膜中没有观察到a b孪晶的存在。薄膜的开裂和结晶性较差均是由于斜切基片台阶表面晶格四方畸变抑制了薄膜正交转变时a b孪晶的产生 ,而使晶格错配应变不能释放造成的。     

低温纯Ar气中Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成与性能的影响

研究了高压Ar气氛中750℃低温下Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成及其性能的影响。结果表明采用名义比为Tl1.9Ba2Ca2Cu3Oy的混合物作铊源时．生成的Tl2O分压达到最佳值。在该Tl2O分压下,获得了单相c取向的Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜,其Tc值达到108K;高于该分压时,薄膜中出现Tl2Ca3O6、Tl2O3。等杂相,导致膜面粗糙度增大和Tc值下降;低于最佳Tl2O分压．薄膜中生成了Tl2Ba2CaCu2O8和Tl2Ba2Ca2Cu3O10的共生相,导致Tc值下降;而Tl2O分压的进一步降低．则薄膜在铊化中不形成超导相。