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研究了在硅双晶基片上制备高临界温度 (Tc) ,YBa2 Cu3 O7(YBCO)直流量子干涉器件 (DC SQUID)工艺及其特性。采用脉冲激光沉积技术在Si ( 10 0 )双晶基片上原位制备钇稳定氧化锆 (YSZ)、CeO2 隔离层、YBCO超导薄膜及非超导YBCO钝化层 ,超导薄膜临界温度为 88K。采用激光技术直接成型的硅双晶结符合典型电阻分路结RSJ模型 ,其IcRN 值在 77K下可达到 15 0 μV ,具有Fraunhofer衍射状的Ic(H)特性。所实现的DC -SQUID器件电压 -磁通传输函数达 4.835 938GV/Wb ,白噪声区及 1Hz下的噪声水平达 136 .47816zWb/Hz1/ 2 和 2 99.83839zWb/Hz1/ 2 。 相似文献
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采用PC+PLC计算机控制系统实现对高功率交流电弧炉炼钢的管理控制,提高系统的管理控制水平及可靠性,对系统的硬件结构及控制功能进行了阐述。 相似文献
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用脉冲激光沉积法在斜切(001)SrTiO3单晶基片上生长了c轴取向的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜,在斜切(001)LaAlO3单晶基片上生长了Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ双层薄膜,并用扫描电镜和透射电镜对薄膜组织进行了表征。结果表明,在1°~3°斜切的SrTiO3基片上生长的YBa2Cu3O7-δ薄膜,呈现台阶流动(stepflow)到三维岛状生长的转变;而6°~15°斜切基片上生长的YBa2Cu3O7-δ薄膜为完全台阶流动生长。在1.2°斜切的LaAlO3基片上原位制备了良好异质外延生长的Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ双层薄膜。在77K,1MHz频率和±30V直流偏压下,测定了其电容-电压特性,确定其介电常数、可调谐性和品质因数分别为1200,60%和133。表明该Ba0.1Sr0.9TiO3薄膜可应用于在液氮温度下工作的可调谐微波器件。 相似文献
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针对铅酸蓄电池在工程应用中其荷电状态(SOC)难以准确估计的问题,本文结合常见的等效电池模型,采用等效电动势法对蓄电池SOC进行了实时估计。与普遍应用的恒参数的电池模型不同,本文通过统计辨识的手段,在不同SOC状态下以及不同的放电倍率条件下对等效模型进行了二维参数辨识。辨识结果表明,电池模型参数在不同的SOC状态下以及不同的放电倍率条件下均存在着较大差别;采用这种二维参数辨识方法估计出的电池SOC能够更加准确地跟踪电池的实际SOC。试验测试验证了这一SOC估计策略的准确性和实用性。 相似文献
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