Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用

采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15mA和0.3mW/mA,边模抑制比大于45dB。寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性。     

单模光纤斜面连接的回波损耗

本文报道一种高回波损耗单模光纤斜面连接端子。用高斯光束耦合理论分析了其回波损耗特性。实验中测得该端子插入损耗小于０．６ｄＢ，回波损耗大于５３ｄＢ。理论研究指出，单模光纤斜面连接是研制高回波损耗光无源器件的有效方法。     

单像素成像在特殊波段及三维成像的应用发展

与传统的面阵成像技术不同,单像素成像技术作为一种新型的计算成像技术,使用不具备空间分辨能力的桶探测器,结合空间光场调制技术,通过关联算法重构待成像物体的空间强度信息,在研究界得到了广泛的关注。近年来,单像素成像技术被广泛应用于各种波段的成像领域,尤其是在某些面阵探测器价格昂贵甚至无法制备的特殊波段,单像素成像技术逐步发展为一项低成本高成像质量的替代技术。并且,在三维成像技术中,大量基于单像素成像的相关研究工作也被相继提出。文中主要介绍了单像素成像技术的基本原理及应用发展历程,并着重介绍了其在条纹结构投影三维成像技术中的应用工作。     

麦尔兹窑的生产适应性改造

<正>1前言柳钢3座日产600 t带悬挂缸式的麦尔兹双膛石灰竖窑,是柳钢千万吨钢的配套项目,其中1、2号麦尔兹窑于2008年投产,3号麦尔兹窑2010年投产。投产后的麦尔兹窑出现喷枪断落、悬挂缸浇注料脱落、喷枪软管漏煤气、窑顶可逆皮带重复故障等情况,造成频繁停窑,     

准连续调谐35nm的SGDBR激光器的研制

对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件. 文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激光器,通过载流子注入,器件准连续调谐范围为35nm,在调谐范围内边模抑制比大于30dB.     

MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究

采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.     

CO2响应型清洁压裂液性能及其转变机理分析*

为改善水力压裂返排液对储层的伤害和环境的污染,以硬脂酸与N,N-二甲氨基丙胺为原料、氟化钠为催 化剂,通过双分子亲核取代反应制备了具有CO₂响应的表面活性剂（EA）。将其与反离子水杨酸钠复配制备具有 CO₂响应增黏的水溶液体系,可作为清洁压裂液体系实现循环利用。利用流变仪研究了EA水溶液及其与反离 子复配体系的CO₂响应性和循环可逆性,利用电子显微镜和分子动力学模拟从介观和微观层面揭示其响应及可逆 转变机理。结果表明,EA水溶液及复配体系均具有良好的CO₂和pH响应增黏特性,通入N₂或高温可实现体系降 黏。该溶液体系的CO₂响应增黏率高、响应速度快、黏弹性模量高,可以实现多次可逆转变。分子动力学模拟及冷 冻电镜揭示了溶液体系中蠕虫状聚集体的形成及转变机理,为实现清洁压裂液循环利用提供理论基础。     

安徽广域测量系统的建设与应用

广域测量系统为电力系统安全稳定运行及监测起着重要作用.对安徽广域测量建设和应用中的一些问题进行了总结.阐述了相量测量单元和故障录波仪的区别;论述了以PI数据库 Oracle数据库为WAMS主站平台,以PI数据库存储电网动态数据,以Oracle数据库存储电网模型和结构的优越性;分析了动态监测系统反映出的电网特征及其物理意义;分析了电网扰动如切机、短路和切负荷与电网正常运行操作的设备退出运行、设备投入运行和正常倒负荷时电网表现出的不同物理特性,从而找出了合理的判据,实现电网扰动情况下的实时正确报警,避免产生了误报警;展望了广域测量系统的进一步应用和发展.     

疏水性硫化铋纳米材料的改性及其性能研究

开发一种新的疏水性硫化铋纳米材料的改性方法,考察改性后的硫化铋纳米材料的光热转换能力。首先制备出油酸、油胺保护的硫化铋纳米材料;接下来合成一种一端可以与钆螯合,另一端为长链烷基链的两亲性的配体;最后,该配体与油相的硫化铋通过非共价作用力结合在一起,得到了钆修饰的硫化铋纳米材料。实验结果显示,该方法可以有效将疏水性硫化铋纳米材料改性为尺寸均一、在水中分散性良好硫化铋纳米材料,改性后的硫化铋纳米材料具有较强的近红外吸收能力,在808nm近红外激光器照射下,在250s即可升温26.3℃。