SOI LDMOS晶体管耐压结构的研究

SOI技术已经成功的应用到功率集成电路中,而击穿电压是功率器件一个重要的参数.本文对SOI LDMOS的击穿电压进行了分析,介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构,较为详细的分析了RESURF原理的应用.     

高温微电子学—Ⅰ：硅器件的高温特性研究

本文详细介绍了硅器件的高温理论以及制作的进展,分析了MOSFET的高温特性和失效模式,指出了改善MOSFET高温性能和提高上限温度的方法。     

基于OrCAD／PSpice10．5的电子电路仿真

本文介绍利用OrCAD／PSpice10．5实现电子电路仿真的方法，并以具体电子电路为例，阐述了OrCAD／PSpicel0．5在电子电路中的应用．为电子电路的设计和开发提供一个新的平台。     

基于OrCAD/PSpice10.5的电子电路仿真

本文介绍利用OrCAD/PSpice10.5实现电子电路仿真的方法,并以具体电子电路为例,阐述了OrCAD/PSpice10.5在电子电路中的应用,为电子电路的设计和开发提供一个新的平台。     

全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析模型

通过准二维的方法,求出了全耗尽SOILDMOS晶体管沟道耗尽区电势分布的表达式,并建立了相应的阈值电压模型。将计算结果与二维半导体器件模拟软件MEDICI的模拟结果相比较,两者误差较小,证明了本模型的正确性。从模型中可以容易地分析阈值电压与沟道浓度、长度、SOI硅膜层厚度以及栅氧化层厚度的关系,并且发现ΔVth与背栅压的大小无关。     

摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性

采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的亚阈值特性,即正则摄动法.由于在纳米MOSFETs中,常用的耗尽近似和页面电荷模型(charge-sheet model)不再适用,导致泊松方程由线性变成非线性形式.利用正则摄动法求解非线性泊松方程可以得到纳米MOSFETs亚阈值电流和亚阈值摆幅指数依赖外加偏压的解析表达式.通过与二维器件模拟软件MEDICI模拟结果比较,证明了该方法及结果的有效性.     

WLAN安全分析与解决方法

IEEE802．11协议在MAC层引入基于WEP算法的安全机制,WEP通过在RC4密码系统中采用CRC-32循环冗余校验的方式实现完整性验证。该文先分析了这种机制的若干缺点,然后重点介绍了802．11i和WAPI,说明后两者是如何弥补上述机制不足之处的。     

短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型北大核心CSCD

根据金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理,在MOSFET的源/漏区域引入了矩形等效源,提出了源/漏电阻的二维定解问题。通过用分离变量法、傅里叶展开和积分方程相结合建立MOSFET源/漏电阻的二维半解析模型,得到了源/漏电阻与几何尺寸之间的关系。该模型避免了数值分析时的方程的离散化,且具有较高的精度。计算和仿真结果表明,模型计算出的源/漏电阻阻值接近于Silvaco的仿真值。     

非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型

用数值方法与解析方法相结合，导出了非均匀掺杂衬底ＭＯＳＴ阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于ＳＰＩＣＥ程序中的ＭＯＳＴ模型，但是所有参数都用数值方法处理过，因此是一个概念清晰、计算量小的高精度模型。该模型可用于电路分析程序。