CMOS兼容电容型湿度传感器的理论模型

对一种与CMOS工艺兼容的电容型湿度传感器进行了理论推导,物理建模和模拟仿真.该湿度传感器是采用梳状铝电极结构,聚酰亚胺作为感湿介质.通过分析感湿介质的介电常数吸附水分后的变化,考虑其电场分布,对电容型湿度传感器的理论模型进行了研究和模拟.利用Matlab软件对理论模型进行仿真,结果表明所建模型比通常采用的Laconte模型更符合实验结果.     

CMO S电容式湿度传感器的测量电路分析与仿真

对与CMOS工艺兼容的电容式湿度传感器的测量电路进行了分析和仿真,为后期的湿度传感器流片成功提供了有效的保证。该湿度传感器系采用梳状铝电极结构,聚酰亚胺作为感湿介质。比较不同的测量方法,得出最优的测量电路。对测量电路进行理论推导后,对其进行模拟,得出了输出电压与相对湿度的关系图。最后,对该湿度传感器进行版图设计,并分析其后加工工艺。     

高温CMOS数字集成电路直流传输特性的分析

分析了高温CMOS倒相器和门电路的直流传输特性,建立了相应的解析模型。根据分析,高温MOSFET阈值电压和载流子迁移率的降低,以及MOSFET漏端pn结泄漏电流的增加引起了CMOS倒相器和门电路直流传输特性劣化。在MOSFET漏端pn结泄漏电流的影响下,高温CMOS倒相器和门电路的输出高电平下降,低电平上升,导致了电路的功能失效。给出的理论模型和实验结果一致。     

一个小型能电成形的多通道记录阵列

硅微机械加工制成的多电极记录探头在研究神经系统的信息处理和许多神经修复过程中起着重要作用.探头面积非常小,但可以精确控制.这样的探头不但实现了用最小的组织损伤装入大量电极的目的,而且又和芯片上信号处理相兼容,同时也满足了生物的相容性.用这种探头,我们已经获得了与神经结构的运行和功能有关的新信息;由于组胞组织能被记录     

短沟道的MOST阈值电压温度系数的分析

本文分析了短沟道ＭＯＳＴ阈值电压在室温以上的温度特性，并给出了温度系数计算公式，根据计算结果，可以得到如下结论：短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数随着沟道长度缩短而减小，与长沟道ＭＯＳＴ相似，在一定的温区范围内，可以把短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数作为常数，用线性展开式来表达阈值电压的温度特性。     

一种分析高速时钟网络信号完整性的有效方法

本文基于有耗传输线模型,运用等效源理论首次分析了工作在GHz频率时时钟树电路互连系统对传输信号完整性的影响,对时钟树的'T’型结构引入三端口网络,计算结果表明这是一种有效的分析时钟树电路信号完整性的方法.     

灵敏的CMOS温度传感器

已经报道了几个用双极型技术制造的灵敏温度传感器.我们这里的目的是用标准的阱CMOS技术制造一个灵敏的传感器,这个传感器不但要和双极型技术制成的传感器有同样的精度和稳定性,而且还要增加CMOS技术固有的数学处理能力.采用的电路包括四个主要部分:(1)、一个与温度有关的电流源;(2)、一个参考电流源;(3)、一个电流一频率转换器;(4)、一个数字信号处理器.第(1)部分用两个横向晶体管产生的PTAT电压~2;它的工艺与任何标准CMOS工艺兼容.这一部分作为温度一电流转换器.第(2)部分为芯片上的A/D转换器产生一个电流参考源.它组合了两部分电流;其一是     

TRANSIENT CHARACTERISTIC ANALYSIS OF HIGH TEMPERATURE CMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS

This paper analyses the transient characteristics of high temperature CMOS inverters and gate circuits, and gives the computational formulas of their rise time, fall time and delay time. It may be concluded that the transient characteristics of CMOS inverters and gate circuits deteriorate due to the reduction of carrier mobilities and threshold voltages of MOS transistors and the increase of leakage currents of MOS transistors drain terminal pn junctions. The calculation results can explain the experimental phenomenon.     

用分量匹配法实现对高速时钟电路的动态优化

本文讨论如何设计工作在GHz频率下的VLSI芯片时钟电路.时钟树采用平衡平面布局消除时钟偏差;利用插入缓冲器对电路性能进行动态优化.最后用一个电路模拟软件对电路进行评估.和以往的工作相比较,本文实现了在频域内对时钟电路的优化,显著地提高了仿真速度.     

深结短沟道MOS晶体管准二维阈值电压模型

提出了一个新的短沟道MOS晶体管表面势的准二维解析模型。不同于经典模型,该模型对沟道耗尽层横向剖分,由高斯定理导出沟道耗尽层电势的一维微分方程,方程考虑了漏、源的横向电场对沟道耗尽层厚度的影响。求解方程得到了耗尽层厚度与表面势的关系函数,由此得出了一个包含有沟道长度的阈值电压公式。通过MEDICI软件对多种不同参数的MOS晶体管进行了仿真,此模型计算结果与MEDICI仿真数据吻合较好,比电荷分享模型精度高。