Au纳米晶MIS结构存储性能研究

从器件结构和能带的角度分析了提高非易失性存储器性能的可能途径,建立了纳米晶浮栅结构的存储模型,并在模型中考虑了量子限制效应对纳米晶存储性能的影响.基于模型计算,分析了纳米晶材料、高k隧穿介质材料及其厚度对纳米晶浮栅结构存储性能的影响.同时,制作了MIS结构(Si/ZrO2/Au Ncs/SiO2/Al)的存储单元,针对该存储单元的电荷存储能力和电荷保持特性进行测试,并对测试结果进行分析.     

电流模式控制Boost变换器中的呼吸现象

本文揭示了在电流模式控制Boost变换器中,由于存在内部或外部耦合电路引起的传导和辐射干扰,使得有可能产生呼吸现象,这是一种以较长的周期按顺序交替历经规则、分谐波和混沌状态的时间分叉现象,在功率变换电路中是一种非正常的工作状态.可以通过建立具有固定初相位的模拟干扰信号,并使其频率与变换器的开关频率相同,以便将呼吸现象(时间分叉)转换为参数分叉,并从分叉控制的角度来对这种呼吸现象进行合理解释和理论分析,从而给出变换器稳定设计的理论依据.理论分析结果与数值仿真是完全一致的,另外,在电路实验中也得到了印证.     

高压LDMOS场极板的分析与设计

场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析.模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%.     

全耗尽SOI LDMOS击穿电压的分析

SOI技术已经成功地应用到功率集成电路中,击穿电压是功率器件一个重要的参数。文章分析了SOI LDMOS的击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并计算了击穿电压。文中首先定义出漂移区临界掺杂浓度,然后分别给出了实际掺杂浓度高于和低于临界掺杂浓度的击穿电压计算公式。计算结果与文献中给出的数值相吻合,证明了模型的正确性。     

阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真

为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真.同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考.     

OISD MOSFET阈值电压建模与结构设计

对一种新型半绝缘SOI MOS器件的阈值电压进行建模,该器件采用源漏注氧OISD技术,具有优良的自加热效应抑制能力和耐压特性.由于沟道中存在复杂的二维势场分布,OISD MOSFET阈值电压,亚阈值斜率及短沟道效应均受到硅窗口尺寸的调制.给出了一个基于数值仿真的OISD MOSFET阈值电压简单模型,该模型可指导器件结构设计,并通过MEDICI二维数值仿真进行验证.最后,对OISD MOSFET亚阈值斜率、短沟道阈值电压偏移以及DIBL因子等重要电学参量进行详细的研究.     

摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性

采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的亚阈值特性,即正则摄动法.由于在纳米MOSFETs中,常用的耗尽近似和页面电荷模型(charge-sheet model)不再适用,导致泊松方程由线性变成非线性形式.利用正则摄动法求解非线性泊松方程可以得到纳米MOSFETs亚阈值电流和亚阈值摆幅指数依赖外加偏压的解析表达式.通过与二维器件模拟软件MEDICI模拟结果比较,证明了该方法及结果的有效性.     

高压LDMOS功耗的分析

利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS进行了模拟.采用分段模型计算了器件各部分电阻值和总电阻值,并讨论了电阻值随器件结构参数以及外加偏压变化的情况,给出了高压LDMOS主要的功耗区及其变化情况.     

CMOS兼容电容型湿度传感器的理论模型

对一种与CMOS工艺兼容的电容型湿度传感器进行了理论推导，物理建模和模拟仿真．该湿度传感器是采用梳状铝电极结构，聚酰亚胺作为感湿介质．通过分析感湿介质的介电常数吸附水分后的变化，考虑其电场分布，对电容型湿度传感器的理论模型进行了研究和模拟．利用Matlab软件对理论模型进行仿真，结果表明所建模型比通常采用的Laconte模型更符合实验结果．     

一种分析高速时钟网络信号完整性的有效方法

本文基于有耗传输线模型,运用等效源理论首次分析了工作在GHz频率时时钟树电路互连系统对传输信号完整性的影响,对时钟树的'T’型结构引入三端口网络,计算结果表明这是一种有效的分析时钟树电路信号完整性的方法.