基于相位检测的SAW传感器变送电路设计

本文设计了一种利用直接数字频率合成器(DDS)作为频率源,基于相位测量芯片AD8302的气敏传感器测试系统.该测试方法通过获取相同的输出相位差情况下的两次输入频率之差而达到测试目的,整个测试系统自动化程度高,且声表面波SAW谐振器工作于较高的频率,满足了较高精度现场检测的需要.     

基于MgF2波导的谐振型乐甫波器件特性研究

在浅体声波(SSBW)器件上采用真空热蒸发法制备MgF2波导层,研究了器件的频率、插损、质量灵敏度随波导层厚度变化的特性.当波导层厚度约为2.48 μm时,器件的插损最小(-23.93 dB);当波导层厚度约为6.5 μm时,器件获得了最大质量灵敏度416.7 cm2·g-1.并分析了不同沉积速率对薄膜质量的影响.实验结果表明:要制备高质量的薄膜必须采用低的薄膜沉积速率,MgF2薄膜可作为乐甫波器件的波导层材料.     

磁控溅射镱薄膜的制备及压阻特性

使用直流磁控溅射的方法在聚酰亚胺上制备镱薄膜,XRD分析薄膜的晶体结构,SEM表征薄膜的形貌,利用一级轻气炮进行了1.5 GPa～2.5 GPa的冲击加载压阻测试.研究结果表明,压阻系数依赖于薄膜的晶粒尺寸,经300℃热处理1 h,镱薄膜晶粒长大,薄膜结构更为致密,膜内缺陷减少,压阻系数有明显提高.     

静电射流技术制备纳米材料的研究进展

电流体动力学射流技术包括静电喷雾和静电纺丝2项孪生技术,是新型的纳米材料制备方法,可以制备纳米薄膜、纳米纤维、壳一鞘结构纤维、纳米管、微纳米包囊、量子点等各种形态的纳米材料.对此进行了系统的总结:静电喷雾技术制备的薄膜比常规喷雾法制备的薄膜更为均匀;静电纺丝技术近年来更是在取向型纤维的制备、无机陶瓷纤维的制备以及同轴射流技术方面取得了重大突破.     

H+辐照前后Mo涂层表面的XPS分析

对离子束混合技术在不锈钢基体上沉积的钼膜进行了H 辐照前后的XPS分析,研究了H 辐照对钼膜的结合能的影响.分析结果表明,沉积的钼膜中除了单质钼外,还有部分钼的氧化物;H 辐照结果表明,H 的辐照使钼的结合能向低能方向偏移;钼的氧化物有所减少,说明污染的氧化物在一定程度上被择优溅射掉.     

纤维状有机光电探测器制备与特性研究

纤维状光电探测器因具有柔性可编织、全角度光探测等特性，有望在可穿戴电子领域取得广泛应用。现已报道的纤维状光电探测器多采用无机光敏材料，器件存在机械柔性受限、制备工艺复杂等问题。本文提出制备纤维状有机光电探测器(FOPD)，采用浸渍提拉法依次在锌丝表面制备电子传输层(ZnO)、有机体异质结光敏层(PBDB-T:ITICTh)和空穴传输层(PEDOT:PSS)等功能层，最后缠绕银丝或碳纳米管纤维(CNT)作为外电极，制备了两种柔性FOPD。结果表明，两种器件在可见光波段均具有优良的响应，整流特性明显，在-0.5 V偏压下比探测率均可达10¹¹Jones (300 nm～760 nm)。其中，CNT外电极与光敏层的界面接触更佳，器件具有更低的暗电流密度(9.5×10^-8A cm^-2，-0.5 V)和更快的响应速度(上升、下降时间：0.88 ms、6.00 ms)。本文的研究有望为柔性纤维器件和可穿戴电子领域的发展提供新思路。     

电子束光刻制备In-Ga-Zn-O场效应晶体管

无掩模直写技术制备半导体器件的方法在微电子学领域受到了广泛关注。提出了采用电子束直写技术对SnO₂薄膜进行图形化并辐照改性的方法，成功制备了以SnO₂为源/漏电极的底栅型铟镓锌氧化物(IGZO)场效应晶体管(FET)并对其进行了测试。测试结果表明，该IGZO FET展现了优良的电学性能：高源漏电流开关比(1.1×10⁶)、高电子迁移率(1.4 cm²/(V·s))、较小的回滞差分电压(<2 V)、极低的栅极漏电流(<1 nA),这为无掩模版制备高性能氧化物半导体器件及柔性全透明集成电路提供了全新的方法。