神东矿区8m大采高工作面矿压显现规律研究

以补连塔12511工作面为实践背景,对8 m大采高工作面的矿压显现规律和支架适应性进行研究。矿压监测结果表明:工作面初次来压步距40～44 m,平均为42 m,动载系数1. 43～1. 53之间,来压强度较强;工作面周期来压步距6. 4～16. 8 m,平均约11. 6 m,动载系数约1. 4,来压较为明显,来压规律符合双关键层的来压特点;工作面支架受载情况良好,基本呈正态分布形态,压力主要集中在250～350 bar,完全满足工作面的支护需要。这为后续大采高工作面安全高效开采提供理论基础和经验借鉴。     

微桥法基体裂纹的线性模型及薄膜断裂应变测试

薄膜断裂韧性测试方法的有效性取决于薄膜断裂应力和应变的精确测量。采用高分辨扫描电镜对微桥法单晶硅片基体紧凑拉伸测试样品在测试过程中的基体裂纹张开量进行考察,发现基体裂纹尾部张开量(δ_(s1))在9～35μm的范围内,与止裂孔边缘基体裂纹张开量(δ_(s2))存在良好的线性关系。该试验结果表明存在一个位置恒定不变的虚拟裂纹尖端,使得基体裂纹张开量遵循线性关系。基于该基体裂纹张开量的线性模型,可通过基体裂纹尾部张开量δ_(s1)的测量来间接获得薄膜的拉伸应变,进而计算薄膜在单轴拉伸和弯矩作用下的断裂韧性。对CuZr非晶合金薄膜的标准化测试结果表明,薄膜断裂韧性KIC在1.08～1.70 MPa·m~(1/2)的范围内变化,且与薄膜预制裂纹长度a/W存在一定的相关性,可能与非晶合金薄膜的应变软化机制有关。     

直拉硅单晶中氢行为的研究进展

总结了氢对直拉硅(CZ)单晶中缺陷影响的研究进展,主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成,以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺陷消除的机理,其中氢促进硅中氧的扩散被认为是氢对直拉硅中的缺陷产生影响的主要原因.