SiC功率器件与电路中的栅介质技术

目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制。本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响,指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量,并通过高k介质的引入以提高介质层可靠性是今后SiC功率器件与电路研制中比较理想的栅介质制备技术。     

煤电钻改制成煤的抗切削强度测力计

<正> 煤的抗切削强度国内仍沿用普氏系数推断评价,苏联已用ДКС仪,以标准工作方式对采煤工作面进行切削,就可以获得该层煤的抗切削强度指标A。但该仪器设备比较庞大,使用不便,不能测量在地压作用下,工作面附近煤层内煤的抗切削强度的变化。我们根据有关资料,简化测量方法,用扩钻炮眼法测量抗切削强度,利用具有两级减速器和牵引机构的ЭРП—20型防爆煤电钻进行改制。由煤电钻、行星减速器、记录装置、导向管、钻杆、钻头、立柱等组成,称之为DZC—1型电钻测力计。测力计的主要技术特征: 钻杆推进速度 10mm/r,20mm/r 钻杆转速 130r/min