二维Ge岛成核早期阶段的动力学蒙特卡罗模拟

采用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo)方法模拟了Si/Ge系统自组织生长Ge量子点过程中二维Ge岛成核的早期阶段.引入吸附原子导致的应力场,对原子扩散的势垒进行了修正.研究了温度和应力场分布对二维Ge岛成核位置以及尺寸分布的影响,结果表明应力场对二维岛的成核具有决定作用,采用调制应力的方法可以有效控制量子点的自组织生长过程.     

林村大桥钻孔桩基础的施工技术

结合工程概况,从施工准备工作、钻孔、清孔、钢筋骨架的制作与起吊就位、灌注水下混凝土等方面介绍了林村大桥钻孔桩基础的施工技术,并对其施工质量控制进行了阐述,以供同类工程参考。     

用于硅衬底隔离的选择性多孔硅厚膜的制备

在硅衬底上形成高阻隔离层对于提高硅基射频电路的性能具有重要意义。采用多孔硅厚膜作为隔离层 ,能够极大地降低衬底高频损耗。本文对n+型硅衬底上选择性多孔硅厚膜的制备进行了研究。通过在阳极氧化反应中采用不同的HF溶液的浓度、电流密度和反应时间来控制多孔硅的膜厚、孔隙度等特性。有效地减少了多孔硅的龟裂失效 ,得到的多孔硅最大膜厚为 72 μm。并测量了多孔硅的生长速率与表面形貌     

榨季蔗糖分的变化规律及其应用

本文通过对贵港市糖厂1982/83～1987/88榨季蔗糖分变化的研究,得出榨季蔗糖分动态变化的一般规律为y:{c/1+e~(a+bt)(t≤t_0) a_0+b_0t(t>t_0),并对其在糖分预报及最佳榨季预报中的应用作了初步探讨,为预报定量化、客观化、自动化提供理论依据。     

河南煤的区域环形带状变质规律及其成因的探讨

一、前言 河南地处中原,煤田分布广阔,煤炭资源丰富,煤种齐全,交通便利,为我国煤炭重要产地之一。 对于煤的变质问题,历来受到国内广大地质工作者的重视,提出了不少研究成果。笔者根据在河南工作多年来的经验,以二迭纪山西组二_1煤为对象,提出“区域环形带状变质规律及其成因”的一些看法,以期抛     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

网络窗口系统——Open Windows

OpenWindows是Sun公司最新的基于网络的窗口系统产品。本文简要介绍窗口系统的基本概念,剖析了OpenWindows的组成结构和设计思想,着重讨论OpenWindows的开发环境。     

集成电路技术的进展与展望

本文概述了当前世界集成电路技术发展情况,对今后的发展方向和一些主要的技术课题进行讨论,并对我国发展此项技术应注意的有关问题提出了一些看法。     

零偏源MOS结构的栅电荷弛豫机制及近少子带边界面态分布的瞬态谱测定

讨论了小方栅脉冲下零偏置源MOS结构栅电荷弛豫的机制.证明了当费米能级接近少子带边时,引起栅电荷弛豫的起因将由界面态俘获发射电荷的过程变成受其延迟的表面少子扩散漂移过程.对后一过程进行理论分析导出的栅电荷公式与实验取得了一致.在此基础上提出了根据栅电荷波形参数确定栅电荷变化量中界面态贡献的大小,进而测定近少子带边一侧界面态密度的测量原理.获得了覆盖的能量范围一直延伸到距少子带边 0.05 eV处的界面态密度能量分布.在不同类型样品中获得了具有共同特征的结果.